文獻(xiàn)[45]實(shí)測(cè)的對(duì)應(yīng)8/20us和1/2.5us的雙指數(shù)電流沖擊波的電壓響應(yīng),作用在ZnO閥片上的電壓均超前電流到達(dá)峰值,試驗(yàn)中的測(cè)量采用帶孔閥片的同軸布置方式，可以減小試驗(yàn)回路中電感的影響。所有測(cè)量
2024-03-22 08:00:53
磁控濺射技術(shù)是在真空中，經(jīng)電場(chǎng)作用，將氬氣電離成Ar+正離子，Ar+經(jīng)加速后撞擊靶材膜料，從而濺射到襯底上，制成薄膜。
2024-03-20 11:27:13
183 
由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場(chǎng)氧化層。
2024-03-13 09:49:05103 
1、三相組合式過(guò)電壓保護(hù)器采用氧化鋅非線性電阻和放電間隙相組合的結(jié)構(gòu)，使二者互為保護(hù)。放電間隙使氧化鋅電阻的荷電率為零，氧化鋅的非線性特性又使放電間隙動(dòng)作后立即熄弧，無(wú)續(xù)流，無(wú)截波，放電間隙不再承受
2024-03-12 10:44:0360 碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
隨著太陽(yáng)能電池技術(shù)的快速迭代，異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池因其高轉(zhuǎn)換效率、高開(kāi)路電壓、低溫度系數(shù)、低工藝溫度、可雙面發(fā)電等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。其中ITO薄膜在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中發(fā)揮著重要作用，其制備過(guò)程中
2024-03-05 08:33:28278 
ITO薄膜在提高異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池效率方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，同時(shí)優(yōu)化ITO薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能使太陽(yáng)能電池的效率達(dá)到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過(guò)程中的重要參數(shù)，兩者對(duì)ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20235 相對(duì)于塊體材料，膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區(qū)分，主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μm，厚膜一般為2μm至25μm，但厚度并不是區(qū)分薄膜和厚膜的標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-28 11:08:51370 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，我們經(jīng)常聽(tīng)到“薄膜制備技術(shù)”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
Molex 的薄膜電池由鋅和二氧化錳制成，讓最終用戶更容易處置電池。大多數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家都有處置規(guī)定;這使得最終用戶處置帶有鋰電池的產(chǎn)品既昂貴又不便。消費(fèi)者和醫(yī)療制造商需要穿著舒適且輕便的解決方案
2024-01-26 15:51:04
高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(p型TOPCon)是進(jìn)一步提高TOPCon硅太陽(yáng)能電池效率的可行技術(shù)方案?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層，成為制備TOPCon結(jié)構(gòu)最有前途的工業(yè)路線之一
2024-01-18 08:32:38288 動(dòng)力。 濺射靶材是制備半導(dǎo)體晶圓、顯示面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的核心材料。其純度、致密度和成分均勻性等性能對(duì)下游客戶的鍍膜質(zhì)量具有直接影響。超卓航科所采用的冷噴涂技術(shù)，作為一種頗具前景的固態(tài)粉末沉積方法
2024-01-15 10:35:5887 
。 一、薄膜電容的工藝 薄膜電容的制造工藝主要包括金屬薄膜沉積、光刻、腐蝕等步驟。 金屬薄膜沉積：金屬薄膜沉積是薄膜電容制備過(guò)程中的關(guān)鍵步驟，它直接影響到電容的性能。金屬薄膜沉積方法有蒸發(fā)鍍膜、磁控濺射等。蒸發(fā)
2024-01-10 15:41:54443 
近年來(lái)，隨著研究人員對(duì)紅外微光學(xué)元器件的深入研究，高精度制備器件備受關(guān)注。傳統(tǒng)的制備技術(shù)存在許多缺點(diǎn)，而飛秒激光有著超強(qiáng)、超快的特性，非常合適用來(lái)制備紅外微光學(xué)元器件。
2023-12-29 16:25:01224 
2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶。通過(guò)增加單晶襯底的直徑和質(zhì)量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35339 
在太陽(yáng)能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務(wù)。電池廠商在制備ITO薄膜時(shí)，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的基礎(chǔ)上更好的解決對(duì)ITO薄膜方阻有不利
2023-12-28 08:33:00418 石墨烯的制備方法主要有2類（圖1）：一為“自上而下”法，即通過(guò)物理或者化學(xué)方法對(duì)碳材料進(jìn)行剝離或者剪切，從而獲得高品質(zhì)石墨烯，主要包括機(jī)械剝離法、氧化還原法及電弧放電法等。
2023-12-27 10:23:37135 
氧化鋅避雷器具有良好的保護(hù)性能，在電氣系統(tǒng)和低壓電路中應(yīng)用的很多。氧化鋅避雷器的工作原理是利用了氧化鋅壓敏電阻的非線性特點(diǎn)。
2023-12-25 11:35:07489 
芯片晶圓里TaN薄膜是什么？TaN薄膜的性質(zhì)、制備方法 TaN薄膜是一種在芯片晶圓制備過(guò)程中常用的材料。它具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的熱穩(wěn)定性，因此在芯片技術(shù)中應(yīng)用廣泛。本文將對(duì)TaN薄膜的性質(zhì)和制備
2023-12-19 11:48:16376 氧化誘導(dǎo)期分析儀是一款用于測(cè)量材料在氧化過(guò)程中的誘導(dǎo)期的儀器。它通過(guò)測(cè)量材料在氧化過(guò)程中產(chǎn)生的熱量變化，從而確定材料的氧化誘導(dǎo)期。氧化誘導(dǎo)期分析儀具備哪些優(yōu)勢(shì)？1、準(zhǔn)確性高。該儀器采用較高的測(cè)量技術(shù)
2023-12-14 13:33:45127 
電力安全是至關(guān)重要的。為了確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，氧化鋅避雷器發(fā)揮著重要的作用。 氧化鋅避雷器是一種用于電力系統(tǒng)的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備。它采用高性能的氧化鋅電阻片，能夠在雷電或操作過(guò)電壓等情況下，迅速
2023-12-14 10:26:59177 薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個(gè)方向。 PVD主要用來(lái)沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 常重要的技術(shù)之一，其次由于具有濺射速率高，沉積速率高，沉積溫度低，薄膜質(zhì)量好的等優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越受到有關(guān)方面的關(guān)注。 磁控濺射原理 磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電
2023-12-04 11:17:41243 
在現(xiàn)代工業(yè)和科技應(yīng)用中，壓力變送器是不可或缺的關(guān)鍵元件之一。而在特定環(huán)境下，如受到高強(qiáng)度震動(dòng)沖擊、高溫高壓等極端條件的影響時(shí)，濺射薄膜壓力變送器就顯得尤為重要。濺射薄膜技術(shù)是一種先進(jìn)的制造工藝，它為
2023-11-22 17:40:41532 
眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過(guò)改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從而能夠控制這些性質(zhì)。在薄膜沉積的情況下，微結(jié)構(gòu)特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59213 
氧化鋅的靈敏度、成本效益、環(huán)境兼容性、穩(wěn)定性和集成能力，使其成為監(jiān)測(cè)并降低二氧化碳排放的高效氣體傳感系統(tǒng)不可或缺的材料。
2023-11-21 12:31:43265 
在當(dāng)今的高壓電力系統(tǒng)中，氧化鋅避雷器扮演著至關(guān)重要的角色。它的實(shí)用性在于能夠有效地保護(hù)電力設(shè)備免受雷電過(guò)電壓和操作過(guò)電壓的損害，從而確保了電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。 氧化鋅避雷器是一種特殊的避雷器，它采用
2023-11-16 15:59:36167 
上海伯東美國(guó) KRi 高能量射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機(jī), 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率, 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展.
2023-11-14 12:57:22305 釩敏感材料采用微測(cè)輻射熱計(jì)技術(shù)與CMOS工藝兼容，能夠與CMOS讀出電路集成，可以基于半導(dǎo)體制造工藝大規(guī)模生產(chǎn)制造，屬于半導(dǎo)體熱敏薄膜，薄膜電阻溫度系數(shù)與電阻率都成正
2023-11-03 16:54:37280 
在電力系統(tǒng)中，氧化鋅避雷器是一種重要的保護(hù)設(shè)備，用于防止雷電和電力系統(tǒng)過(guò)電壓對(duì)設(shè)備造成的損害。然而，如果氧化鋅避雷器被擊穿，它還能繼續(xù)使用嗎？首先，我們要了解什么是氧化鋅避雷器。氧化鋅避雷器是一種
2023-11-01 16:51:44373 復(fù)合銅箔是指在塑料薄膜 PET、PP、PI 等材質(zhì)表面上采用磁控濺射、蒸鍍、離子置換等方式，將銅均勻地鍍?cè)谒芰?b class="flag-6" style="color: red">薄膜表面從而制作而成的一種新型材料。
2023-10-27 15:22:18430 
濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點(diǎn)，則被稱為凸點(diǎn)下金屬層(UBM，Under Bump Metallurgy)。通常
2023-10-20 09:42:212737 
在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)中，ITO薄膜對(duì)其性能的影響是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的優(yōu)劣與制備ITO薄膜過(guò)程的順利往往能直接決定異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的后期生產(chǎn)過(guò)程以及實(shí)際應(yīng)用是否科學(xué)有效
2023-10-16 18:28:09700 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于ARM的擴(kuò)散氧化控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-12 11:20:41
0 規(guī)模化制備具有高強(qiáng)度和優(yōu)異導(dǎo)電性的自支撐薄膜電極對(duì)于超級(jí)電容器等柔性電子產(chǎn)品的發(fā)展至關(guān)重要。受植物葉片的啟發(fā)，華南理工大學(xué)王小慧教授團(tuán)隊(duì)將“葉肉狀”MXene (Ti3C2TX) 納米片、“葉脈狀”纖維素細(xì)絲和銀納米線 (Ag NW) 進(jìn)行快速真空抽濾得到自支撐復(fù)合薄膜。
2023-10-08 10:28:19285 
薄膜和多層中的應(yīng)力會(huì)降低性能，甚至導(dǎo)致技術(shù)應(yīng)用中的故障，通過(guò)諸如破裂、彎曲或分層的機(jī)制。然而，在某些情況下，應(yīng)力是理想的，因?yàn)樗梢杂脕?lái)提高涂層的特定性能，例如導(dǎo)電性，熱穩(wěn)定性，機(jī)械強(qiáng)度或磁性。由于這個(gè)原因，評(píng)估和控制薄膜和涂層的應(yīng)力狀態(tài)具有技術(shù)重要性。
2023-09-28 10:04:13196 
PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491772 一氧化碳檢測(cè)儀是一種用于公共場(chǎng)所具有檢測(cè)及超限報(bào)警功能的儀器，能起到預(yù)防一氧化碳中毒的效果，使人們安全放心的工作。系統(tǒng)以單片機(jī)為核心，利用一氧化碳檢測(cè)傳感器檢測(cè)環(huán)境中的一氧化碳的濃度，并利用顯示器顯示當(dāng)前的濃度值，同時(shí)可設(shè)定報(bào)警值，超過(guò)設(shè)定值時(shí)進(jìn)行聲光報(bào)警。
2023-09-25 06:39:48
隨著消費(fèi)者和商業(yè)應(yīng)用對(duì)快速通信需求的不斷增長(zhǎng)，射頻器件的工作頻率要求也變得越來(lái)越高，這給射頻器件的設(shè)計(jì)師們帶來(lái)了諸多挑戰(zhàn)
2023-09-18 16:53:39619 
工業(yè)上制備傳統(tǒng)塑料薄膜的主要方法有擠出吹塑法、擠出流延法（含雙向拉伸）、壓延法、溶液流延法等。其中高性能塑料薄膜的制備方法主要有擠出吹塑法、擠出流延法、溶液流延法等，前兩種方法是工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的首選方法，而溶液流延法因受環(huán)境保護(hù)等的限制，目前主要是實(shí)驗(yàn)室研究制樣用。
2023-09-13 15:36:09767 
作為各類薄膜工業(yè)化制備的關(guān)鍵材料，濺射靶材廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、平面顯示、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、低輻射玻璃等領(lǐng)域。但由于各應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">濺射靶材的制備技術(shù)、產(chǎn)品性能等要求各異，這就意味著能夠滿足
2023-08-25 10:56:34173 性能。在射頻應(yīng)用中，多層陶瓷電感可支持更高額定電流和更大電感值。
應(yīng)用：
音頻/視頻：音頻設(shè)備、音響功放、音響/揚(yáng)聲器、監(jiān)視器
汽車：電子節(jié)氣門控制系統(tǒng)（ETC）、胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
消費(fèi)
2023-08-22 09:29:59
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:16412 
高性能濺射靶材行業(yè)技術(shù)壁壘較高，涉及電子光學(xué)、工程學(xué)、材料學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)等多門專業(yè)學(xué)科，融合了微觀結(jié)構(gòu)控制、靶材結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、金屬粉末制備、高精度成型、機(jī)加工、綁定焊接、清洗包裝等多個(gè)專業(yè)技術(shù)
2023-08-17 09:12:44158 近年來(lái)，廣東歐萊高新材料股份有限公司（下稱：歐萊新材）等國(guó)內(nèi)濺射靶材廠商在下游產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的帶動(dòng)下逐漸發(fā)展壯大，通過(guò)持續(xù)自主研究開(kāi)發(fā)突破關(guān)鍵技術(shù)，不斷加大力度開(kāi)拓各下游應(yīng)用領(lǐng)域的知名客戶，在部分
2023-08-16 10:24:31184 K 系列壓敏電阻器氧化鋅壓敏電阻器是以氧化鋅為主要材料制造的半導(dǎo)體無(wú)極性電子陶瓷元件。當(dāng)施加在壓敏電 阻器兩端的電壓達(dá)到某一閥值時(shí)，壓敏電阻器的電阻值迅猛變小，從而在電子（電力）線路
2023-08-12 16:12:23
石墨烯作為一種特殊的二維材料，具有高導(dǎo)電性、 高比表面積以及優(yōu)異的化學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性，金屬氧化物納米顆粒與石墨烯結(jié)合制備獲得的復(fù)合催化劑材料，可增強(qiáng)催化劑體系的導(dǎo)電性、分散性、ORR活性以及穩(wěn)定性
2023-08-11 10:45:39364 在電力系統(tǒng)中，保護(hù)設(shè)備免受雷電沖擊和過(guò)電壓的影響至關(guān)重要。氧化鋅避雷器作為一種先進(jìn)的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備，經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的發(fā)展過(guò)程，并在不斷地進(jìn)步和完善。 氧化鋅避雷器的發(fā)展可以追溯到19世紀(jì)末期，當(dāng)時(shí)
2023-08-09 14:27:41301 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介避雷器在線檢測(cè)儀用于氧化鋅[MOA]泄漏電流的測(cè)量分析。主要是用于測(cè)量阻性電流，3～7次諧波電流，從而分析氧化鋅老化和受潮的程度。是檢測(cè)氧化鋅避雷器運(yùn)行中的各項(xiàng)交流電氣參數(shù)
2023-08-09 10:49:13
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介HM6020氧化鋅避雷器測(cè)試儀是專門用于檢測(cè)10kV及以下電力系統(tǒng)用無(wú)間隙氧化鋅避雷器MOA閥電間接觸不良的內(nèi)部缺陷，測(cè)量MOA的直流參考電壓（U1mA）和0.75 U1mA
2023-08-08 11:01:16
氧化鋅避雷器是一種用于保護(hù)電氣設(shè)備免受電壓過(guò)載損害的裝置。其工作原理是基于氧化鋅的電阻特性，在高壓下阻值迅速增加，從而限制電流，使電氣設(shè)備免受過(guò)度電壓的損害。以下將詳細(xì)介紹氧化鋅避雷器的用途
2023-08-07 15:43:24723 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介HM6010氧化鋅避雷器測(cè)試儀以先進(jìn)的微型計(jì)算機(jī)為控制部件，全智能操作，具有抗干擾能力強(qiáng)，測(cè)量準(zhǔn)確可靠,功能強(qiáng)大,操作方便等優(yōu)點(diǎn)，是現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)氧化鋅避雷器各項(xiàng)交流電
2023-08-07 11:25:59
氮化鋁（AlN）具有優(yōu)良的物理化學(xué)特性以及與標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶硅技術(shù)的兼容性，且在多方面性能上優(yōu)于氧化鋅（ZnO）和鋯鈦酸鉛（PZT），因此成為最受關(guān)注的壓電材料之一。
2023-07-28 11:33:32587 
由遇水膨脹的交聯(lián)聚合物網(wǎng)絡(luò)組成的超薄水凝膠薄膜，具有類似生物組織的柔軟和保濕特性，在柔性生物傳感器和可穿戴電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，實(shí)現(xiàn)這種薄膜的高效和連續(xù)制備仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。
2023-07-24 18:23:462109 
柔性光電膜是?種由透明導(dǎo)電材料和聚合物基材組成的薄膜。其中，透明導(dǎo)電材料可以是ITO、ZnO、Ag等，聚合物基材可以是PET、PI等?分?材料。柔性光電膜的制備過(guò)程是通過(guò)物理?相沉積、溶液法、熱轉(zhuǎn)印
2023-07-17 15:29:02503 氧化鋁是一種化學(xué)化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點(diǎn)、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領(lǐng)域。在工業(yè)上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。
2023-07-05 16:30:154542 ）上。??? 高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無(wú)機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。該方法在制備過(guò)程中需實(shí)時(shí)反饋，更適合于單個(gè)納米孔的制備。因此，探索孔徑可調(diào)、孔密度可控和無(wú)
2023-07-04 11:10:56364 
高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無(wú)機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08137 
的發(fā)明歷史 自發(fā)現(xiàn)電性質(zhì)以來(lái)，人們一直在探索和研發(fā)導(dǎo)電材料。20世紀(jì)50年代，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)了導(dǎo)電聚合物薄膜，并于1977年獲得了專利。隨著科技的進(jìn)步，導(dǎo)電聚合物薄膜逐漸被替代，金屬氧化物薄膜逐漸成為主流。目前，
2023-06-30 15:38:36958 近日，復(fù)合集流體設(shè)備廠商——無(wú)錫光潤(rùn)真空科技有限公司（下稱“光潤(rùn)真空”）完成天使輪融資，本輪融資由無(wú)錫市天使基金獨(dú)家完成。本輪融資資金將主要用于推進(jìn)復(fù)合集流體專用磁控濺射鍍膜設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，加速
2023-06-30 15:28:12525 電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。
2023-06-27 10:08:555835 
DPC（磁控濺射）陶瓷基板是一種重要的電子材料，主要應(yīng)用于微電子器件、集成電路、LED等領(lǐng)域。銅面處理是提高DPC（磁控濺射）陶瓷基板性能的重要手段。本文將從銅面處理方法和處理后的性能影響兩個(gè)方面探討DPC（磁控濺射）陶瓷基板的銅面處理及其對(duì)性能的影響。
2023-06-25 14:35:51472 
近年來(lái)，薄膜陶瓷基板在電子器件中的應(yīng)用逐漸增多。在制備和應(yīng)用過(guò)程中，介電常數(shù)是一個(gè)極其重要的參數(shù)，不同介電常數(shù)的薄膜陶瓷基板在性能方面存在較大差異。本文旨在研究介電常數(shù)對(duì)薄膜陶瓷基板性能的影響，為薄膜陶瓷基板的制備和應(yīng)用提供理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-06-21 15:13:35623 
高溫下DPC（磁控濺射工藝）覆銅陶瓷基板的設(shè)計(jì)和應(yīng)用
2023-06-19 17:35:30654 
陶瓷線路板（ceramic circuit boards，CCBs）是一種由陶瓷材料制成的電路板，因其高耐熱、耐濕、耐化學(xué)腐蝕等特性而廣泛應(yīng)用于軍工、航空航天、醫(yī)療器械等領(lǐng)域。在制造陶瓷線路板時(shí)，磁控濺射工藝是一種重要的制造技術(shù)。
2023-06-17 14:41:04601 
上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱：新硅聚合）近期實(shí)現(xiàn)了6英寸的光學(xué)級(jí)硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜（LNOI）的工程化制備。
2023-06-09 09:43:15949 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22983 
工藝區(qū)別傳統(tǒng)方法，以磁控濺射新技術(shù)在完成金屬化制作的陶瓷線路板上生長(zhǎng)一層陶瓷介質(zhì)，再在這層介質(zhì)上重新金屬化制作第二層線路。
2、陶瓷基板性能和應(yīng)用不同。 陶瓷基板的導(dǎo)熱率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)普通PCB板，氧化鋁陶瓷
2023-06-06 14:41:30
薄膜電容是指將金屬膜或半導(dǎo)體薄膜沉積在絕緣基板上，然后制成電容器。這種電容器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、可靠性高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備領(lǐng)域。本文將從薄膜電容的基本原理、制備工藝、應(yīng)用領(lǐng)域等方面進(jìn)行介紹。
2023-05-31 14:24:552881 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，天津理工大學(xué)的研究人員采用電子輔助熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了垂直石墨烯（VG），并且通過(guò)B原子和N原子的單獨(dú)及同步摻雜，制備了B摻雜垂直石墨烯（BVG）、N摻雜垂直石墨烯（NVG）以及B-N共摻雜垂直石墨烯（BNVG）薄膜
2023-05-29 14:13:02467 
薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。電解電容是以金屬箔為正極(鋁或鉭)，與正極緊貼金屬的氧化膜(氧化鋁或五氧化
2023-05-26 17:03:234717 
PVD篇 PVD是通過(guò)濺射或蒸發(fā)靶材材料來(lái)產(chǎn)生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過(guò)程。應(yīng)用材料公司在 PVD 技術(shù)開(kāi)發(fā)方面擁有 25 年以上的豐富經(jīng)驗(yàn)，是這一領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者
2023-05-26 16:36:511749 上海伯東客戶某高校使用國(guó)產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備, 工藝過(guò)程中, 國(guó)產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個(gè)小時(shí)就會(huì)燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無(wú)法滿足長(zhǎng)時(shí)間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致
2023-05-25 15:53:36770 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:34501 
上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
覆銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）工藝：是一種用于制備高密度電子封裝材料的工藝方法。 該工藝是微電子制造中進(jìn)行金屬膜沉積的主要方法，主要用蒸發(fā)、磁控濺射等面沉積
2023-05-23 16:53:511333 
氧化鋅揮發(fā)窯是化工行業(yè)中廣泛應(yīng)用的生產(chǎn)設(shè)備,作為一種高溫下運(yùn)行的大型設(shè)備,保證設(shè)備安穩(wěn)定全運(yùn)行、節(jié)能減排十分重要。 通過(guò)傳感器與工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的結(jié)合，物通博聯(lián)推出一套氧化鋅揮發(fā)窯在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，可以連接
2023-05-22 10:40:28227 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來(lái)，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
MOV（Metal Oxide Varistors）即金屬氧化物壓敏電阻，以氧化鋅為主體，摻雜多種金 屬氧化物，采用典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元器件。
2023-05-15 12:25:543236 
薄膜陶瓷基板一般采用磁控濺射、真空蒸鍍等工藝直接在陶瓷基片表面沉積金屬層。通過(guò)光刻、顯影、刻蝕、電鍍等工藝，將金屬層圖形化制備成特定的線路及膜層厚度。通常，薄膜陶瓷基板表面金屬層厚度較小 (一般小于 4μm)。薄膜陶瓷基板可制備高精密圖形 (線寬/線距小于 10 μm、精度±1μm）。
2023-05-15 10:18:56591 α-氧化鋁（下稱氧化鋁）導(dǎo)熱粉體因來(lái)源廣，成本低，在聚合物基體中填充量大，具有較高性價(jià)比，是制備導(dǎo)熱硅膠墊片最常用的導(dǎo)熱粉體。氧化鋁形貌有球形、角型、類球形等，不同形貌對(duì)熱界面材料的加工性能、應(yīng)用性
2023-05-12 14:57:30385 DPC（DirectPlatingCopper）薄膜工藝是一種利用磁控濺射技術(shù)制備銅薄膜的方法。該工藝是將目標(biāo)材料為銅的銅靶放置在真空腔室中，通過(guò)磁控濺射技術(shù)使得銅靶表面產(chǎn)生等離子體，利用等離子體中的離子轟擊靶表面，將其濺射成細(xì)小顆粒并沉積在基底上形成銅薄膜的過(guò)程。
2023-05-11 17:38:18843 在POM板上磁控濺射下電極，再用旋涂法把PVDF油墨旋涂到下電極上，再在壓電層上磁控濺射上上電極形成三明治結(jié)構(gòu)，但是上下電極都是短路狀態(tài)，造成短路的可能原因是什么？壓電層厚度約為2nm，電極厚度約為30um。
2023-04-28 18:21:06
的一部分，不依賴化石燃料的能源成為此次會(huì)議的主要話題。此外，人們對(duì)太陽(yáng)能電池也有很高期待。引起特別關(guān)注的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)在市場(chǎng)上需求特別高，成為新一代太陽(yáng)能電池。鈣鈦礦是電池中非常精細(xì)的有機(jī)層組成的結(jié)構(gòu)，而使用干燥濺射法的傳統(tǒng)技術(shù)在沉積時(shí)會(huì)損壞透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜，導(dǎo)致有機(jī)層降解
2023-04-25 05:50:25414 薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結(jié)構(gòu)，所以，按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設(shè)計(jì)?？紤]到開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的分離和回彈的可靠性，薄膜的厚度一般選擇在為佳,過(guò)薄回彈無(wú)力，觸點(diǎn)分離不靈敏。薄膜按鍵
2023-04-21 11:02:191389 
氧化鋁陶瓷基片作為一種基板材料廣泛應(yīng)用于射頻微波電子行業(yè)，其介電常數(shù)高可使電路小型化，其熱穩(wěn)定性好溫漂小，基片強(qiáng)度及化學(xué)穩(wěn)定性高，性能優(yōu)于其他大部分氧化物材料，可應(yīng)用于各類厚膜電路、薄膜電路、混合電路、微波組件模塊等。
2023-04-19 16:14:48602 有人曾這樣形容磁控濺射技術(shù)——就像往平靜的湖水里投入了石子濺起水花。磁控濺射真空鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）的一種，其原理是：用帶電粒子加速轟擊靶材表面，發(fā)生表面原子碰撞并產(chǎn)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，使靶材原子從表面逸出并沉積在襯底材料上的過(guò)程。
2023-04-18 10:30:071765 薄膜開(kāi)關(guān)的三大特點(diǎn)，希望大家通過(guò)本文的介紹，可以對(duì)薄膜開(kāi)關(guān)的工作有一定的認(rèn)識(shí)與了解：（1）密封性能好：因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">薄膜開(kāi)關(guān)是一種整體都密封起來(lái)的零件，開(kāi)關(guān)的觸點(diǎn)不受外界環(huán)境的干擾，所以不用擔(dān)心腐蝕的問(wèn)題，也不容易產(chǎn)生氧化;同時(shí)還可以防灰塵的污染，可以應(yīng)用在各種惡劣的環(huán)境中....
2023-04-14 16:53:33606 
該平臺(tái)擁有超凈間面積約300平方米，其中百級(jí)潔凈區(qū)50平米，配備了可完整涵蓋微加工需求的大、中、小型設(shè)備，包括電子束曝光機(jī)、掃描電鏡、磁控濺射儀、等離子刻蝕機(jī)、快速退火爐、精密貼片機(jī)、勻膠機(jī)、離子濺射儀、膜厚計(jì)、原子力顯微鏡、任意波形發(fā)生器、高速采樣示波器、信號(hào)分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。
2023-04-10 11:24:06712 浙江大學(xué)高超課題組以氧化石墨烯(GO，28 μm，杭州高稀科技)/聚丙烯腈(PAN)薄膜為前驅(qū)體，利用基底替換和協(xié)同石墨化策略，制備了大尺寸和緊密堆疊的組裝石墨烯納米膜(nMAG，橫向尺寸20 cm，厚度范圍50-600 nm)。
2023-04-10 10:20:43833 氧化鋅壓敏電阻以氧化鋅（ZnO）為基料，加入Bi2O3、Co2O3、MnCO3等多種金屬氧化物混合，經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)、焊接、包封等多重工序制成的電阻器
2023-03-30 10:26:261973 經(jīng)常定制薄膜開(kāi)關(guān)和薄膜面板時(shí)候，對(duì)其步驟卻不甚了解，對(duì)此，雨菲跟大家分享薄膜開(kāi)關(guān)和薄膜面板定制的步驟。
2023-03-29 17:02:451701 
薄膜電阻應(yīng)用于光通訊、 射頻微波毫米波通訊，如放大、耦合、衰減、濾波等模塊電路。電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于微波集成電路中，能夠縮小電路板空間，降低元器件成本。薄膜衰減器應(yīng)用于光通訊、微波集成電路模塊，其
2023-03-28 14:19:17
溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會(huì)自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101455
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論