?TF卡在很多便攜式設(shè)備中，應(yīng)用比較廣泛，雖然其是金屬外殼，但是由于沒有外露，所以其在進(jìn)行ESD測(cè)試的時(shí)候主要進(jìn)行空氣放電。

一、整改前現(xiàn)象：

???整改前在TF卡的模式下，對(duì)TF卡端口進(jìn)行8KV的空氣放電，音箱會(huì)出現(xiàn)切換模式的狀態(tài)，并且無法自己回連，這不符合IEC/EN61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的B類要求。

二、整改方法：

???一開始只對(duì)TF卡與MCU相連的信號(hào)線對(duì)地并聯(lián)ASIM ESD（型號(hào)：CV0402VT6030T）,測(cè)試有明顯改善，但還是不能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。分析思路：既然信號(hào)線上已經(jīng)并上了ESD保護(hù)器件，那排除靜電是直接通過地串?dāng)_到信號(hào)線上。再分析原理圖，知此TF卡還有幾個(gè)懸空的引腳，那靜電很可能的干擾途徑是由地與懸空引腳之間的形成一個(gè)很高電位差，這個(gè)干擾很強(qiáng)的電壓直接從這些引腳進(jìn)一步干擾TF卡。

????整改措施：用ASIM ESD(型號(hào)：CV0402VT6030T）把懸空的引腳與地串起來，如下圖。使懸空的引腳與地之間的電位差在TF卡承受的范圍之內(nèi)。在進(jìn)行ESD測(cè)試

三、整改后測(cè)試結(jié)果：

???在TF卡模式下對(duì)TF卡端口進(jìn)行8KV的空氣放電，音箱正常工作，這就符合IEC/EN61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的B類要求。

四、ESD抗擾度測(cè)試實(shí)質(zhì)

???從ESD測(cè)試配置描述可以看出，再進(jìn)行ESD測(cè)試時(shí)，需要將靜電槍的接地線接至參考接地板，EUT放置于參考接地板之上，靜電槍放電槍頭指向EUT中各種可能會(huì)被手觸摸到的部位或水平耦合板和垂直耦合板，這就決定了ESD測(cè)試是一種以共模為主的抗擾度測(cè)試，因?yàn)镋SD電流最終總要流向參考接地板。

五、ESD脈沖波的分析：

從靜電放電波形分析，其上升沿時(shí)間為0.7ns到1ns，根據(jù)傅里葉變換可知其頻譜寬度能達(dá)到300MHZ。ESD器件的響應(yīng)時(shí)間一般為PS級(jí)別，所以用ESD器件去防護(hù)靜電是一種有效的措施。

從靜電的脈沖寬度看出，靜電的脈沖持續(xù)時(shí)間很短，其能量比浪涌小很多，所以絕大多數(shù)的小功率的ESD器件足以滿足對(duì)其的泄放。

六、ESD器件的使用方法：

???ESD器件其主要是并聯(lián)在線路上，當(dāng)靜電事件發(fā)生的時(shí)候，ESD器件能夠瞬間導(dǎo)通，給靜電提供一條低阻抗的回路。這里需要注意幾點(diǎn)：

一、ESD器件的泄放地一定要完整，完整地的定義為長(zhǎng)寬比小于3的（沒有縫隙、沒有開孔）二、ESD器件必須要放在信號(hào)線的主路上，不能放在支路上，不然會(huì)使得ESD器件的效果大大降低。

三、如果ESD器件是放在高速信號(hào)上，一定要考慮ESD結(jié)電容對(duì)信號(hào)的影響程度，信號(hào)速率越高，對(duì)ESD器件的結(jié)電容大小要求越低（即信號(hào)速率越高，ESD結(jié)電容越低）。

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