簡(jiǎn)單易用的 25 A 轉(zhuǎn)換器集成 NexFET? 技術(shù)，效率比其它產(chǎn)品提高5%，開關(guān)速度提高1.5 倍

北京2011年4月7日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)日前宣布推出集成 FET的業(yè)界最小型、最高效率的降壓轉(zhuǎn)換器，可為電信、網(wǎng)絡(luò)以及其它應(yīng)用提供高達(dá)25A 的電流。

25A，14V 的 TPS56221集成 NexFET MOSFET 且簡(jiǎn)單易用，與 SWIFT 開關(guān)轉(zhuǎn)換器同步，可在12V 輸入至1.3V 輸出的高負(fù)載條件下，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過200W/in3 的功率密度以及超過90%的效率，從而可在500kHz 開關(guān)頻率下提供高達(dá)25A 的持續(xù)輸出電流。最新 TPS56121 15A、14V 同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器與其它同類產(chǎn)品相比，不但可在5V 輸入至1.2V 輸出下將效率提高3%，而且還可將開關(guān)速度提高2倍。

TI 電源管理業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁 Sami Kiriaki 指出：“板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是那些在更強(qiáng)電流下工作的系統(tǒng)。這兩款新產(chǎn)品既可將我們的 SWIFT 系列產(chǎn)品延伸至更強(qiáng)電流應(yīng)用的領(lǐng)域，又可幫助客戶在功率密度、效率以及熱管理方面有所突破，從而為終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的可靠性。”

TPS56221與 TPS56121采用熱增強(qiáng)型5毫米 x 6毫米 QFN 封裝，尺寸比其它分立式解決方案小 30%，僅為315 mm2。這兩款器件是首批集成 TI NexFET 技術(shù)的產(chǎn)品，可提高熱性能、保護(hù)功能、效率以及可靠性。它們不但提供300kHz、500kHz 以及1MHz 三種可選頻率以實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性，而且還支持4.5V～14V 的寬泛輸入電壓。

TPS56221與 TPS56121的主要特性與優(yōu)勢(shì)：

強(qiáng)電流與高效率：4.5V-14V 輸入電壓時(shí)，在25A 與15A 峰值負(fù)載電流下，效率可超過90%；
小尺寸與更高功率密度：總體解決方案尺寸僅為315 mm2，可將封裝最大限度地縮小，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過200W/in3 的功率密度；
NexFET 功率塊支持多相位50A、100A 及更強(qiáng)電流

除 SWIFT 轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)電流性能之外，TI 去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強(qiáng)電流下實(shí)現(xiàn)高效率的多相位負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)。小巧的5毫米 x 6毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝，支持高達(dá)1.5MHz 的頻率，可降低熱阻抗并簡(jiǎn)化布局。CSD86350Q5D在25A 電流下效率超過90%，且還能與 TI 的 TPS40140 堆棧控制器相結(jié)合，在保持整個(gè)負(fù)載高效率的同時(shí)，支持多相位設(shè)計(jì)；其電流可擴(kuò)展至50A、100A 以及更高。

廣泛的降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列

TI 可提供業(yè)界最廣泛的降壓轉(zhuǎn)換器，其中包括集成FET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K? DC/DC 控制器以及全面集成型電源解決方案，如集成電感器的最新 TPS84620等。

供貨情況

TPS56221 與 TPS56121 采用22引腳5毫米 x 6毫米 QFN 封裝，該封裝有一個(gè) PowerPad? 散熱焊盤，易于焊接。樣片與評(píng)估板將于3月底面市。