硫系化合物隨機(jī)存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
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全球第一大EEPROM供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出最新EEPROM系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品保證400萬次擦寫操作，而競爭產(chǎn)品只提供100萬次擦寫操作。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品支持更高的存儲數(shù)據(jù)更新頻率，延長系統(tǒng)在高溫條件下的壽命，為設(shè)計(jì)人員帶來了更大的設(shè)計(jì)自由空間。
2013-06-19 10:26:003113 正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會的紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示，由紫光參與投資總額達(dá)240億美元的武漢存儲器芯片廠將于12月初動工。這項(xiàng)投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無力生產(chǎn)存儲器芯片的局面，完工后預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能達(dá)30萬片，2030年躍升至100萬片，成世界級存儲器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:591292 的存儲器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。這篇文章將分析新的主要的基于無機(jī)材料的非易失性存儲器技術(shù)，如鐵電存儲器 (FeRAM)、磁阻存儲器(MRAM)和相變存儲器(PCM)，以及主要的基于鐵電或?qū)щ婇_關(guān)聚合物等有
2017-12-18 10:02:216033 
儲能產(chǎn)品發(fā)展到今天，其技術(shù)變化日新月異，而壽命循環(huán)次數(shù)已經(jīng)成為不少廠商競爭的焦點(diǎn)。市場中超過萬次循環(huán)的產(chǎn)品已成為標(biāo)配，許多企業(yè)還承諾儲能產(chǎn)品壽命能夠達(dá)到20年甚至25年。
2024-04-22 07:52:005968 PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習(xí)本，買來的時候是空白的，能寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報(bào)銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除
2010-11-04 18:15:42
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習(xí)本，買來的時候是空白的，能寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報(bào)銷了。
EPROM，稱之為紫外線擦除
2010-11-01 13:14:23
概述：ST24C16是意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協(xié)議的16kbit EEPROM存儲器，其具備100萬次可擦寫、保存40年數(shù)據(jù)不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
自動流程跑一次需要寫一次FLASH操作，那么FLASH很快就會掛掉。原因很簡單，因?yàn)镕LASH的一般壽命都在10萬次左右，好點(diǎn)的也就100萬次，按照客戶要求去計(jì)算的話，一年最大可能要寫FLASH將近
2020-05-04 05:55:58
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個合理
2019-08-16 07:06:12
M451中，F(xiàn)MC控制flash讀寫，數(shù)據(jù)可否做到寫100萬次？要用什么機(jī)制？有沒有例程？
2023-06-25 08:02:41
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
題目是一個停車場計(jì)時系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號，用來讀取存儲器中對應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
ROMEPROMEEPROMFLASH數(shù)據(jù)保存方法施加電壓施加電壓+更新不需要讀取次數(shù)∞∞100億～1兆次∞∞∞∞可改寫次數(shù)∞∞0次100次10萬～100萬次1萬～10萬次在電路板上的寫入可以可以可以××可以可以讀取時間
2019-04-21 22:57:08
，還是可以直接重寫？
2，其規(guī)格書上寫的讀寫壽命10萬次，按理解應(yīng)該是擦寫10萬次，讀的次數(shù)應(yīng)該是沒有次數(shù)限制的對嗎？
3，如果我每次只寫一頁中的一個字節(jié)，那這個字節(jié)的擦寫次數(shù)仍能達(dá)到10萬次嗎？
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2023-06-25 10:24:18
PROM，稱之為可編程存儲器。這就象我們的練習(xí)本，買來的時候是空白的，能寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯了，就報(bào)銷了。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除
2021-11-24 09:13:46
據(jù)新華社7月2日報(bào)道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
528字節(jié)，依次分為2個256字節(jié)的數(shù)據(jù)區(qū)，最后是16字節(jié)的備用空間。K9F5608具有以下特點(diǎn)： 以頁為單位進(jìn)行讀/寫操作，而擦除操作以塊為單位，讀、寫和擦除操作均通過命令完成；不能字節(jié)擦除，在每次改寫操作之前需要先擦除一整塊；出廠時有一定比例的壞塊存在；每一塊的擦除次數(shù)有限，為10萬次左右[1]。
2019-06-20 07:25:24
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
操作出錯概率的增加，即寫入存儲器的數(shù)據(jù)會丟失，而存儲器的內(nèi)容卻仍然可被正常讀出，當(dāng)然上述現(xiàn)象只有在存儲器讀寫次數(shù)達(dá)到１００億次之后才會出現(xiàn)，因此，為了延長存儲器的讀寫壽命，可以根據(jù)數(shù)據(jù)讀寫的頻繁程度
2019-04-28 09:57:17
均值和報(bào)警次數(shù)。5. 使用For 循環(huán)、Case 結(jié)構(gòu)及順序結(jié)構(gòu)構(gòu)建VI。要求分別使用公式節(jié)點(diǎn)和LabVIEW 算術(shù)函 數(shù)實(shí)現(xiàn)開普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結(jié)構(gòu)和定時選板下的時間計(jì)數(shù) 器.vi 比較兩種實(shí)現(xiàn)方法計(jì)算200 萬次開普勒方程所用時間。
2014-04-02 11:14:33
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
10 萬次，EMMC 的塊擦寫最高也會有 1 萬次；同理，EEPROM、SD 卡、CF 卡、U 盤、Flash 硬盤等存儲介質(zhì)在都存在寫壽命的問題。在文件系統(tǒng)向寫數(shù)據(jù)的底層存儲器塊寫數(shù)據(jù)時，常規(guī)會
2020-09-16 10:58:10
。但這三種方案均存在著缺陷。其中SRAM加后備電池的方法增加了硬件設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，同時由于加了電池又降低了系統(tǒng)的可靠性；而EEPROM的可擦寫次數(shù)較少(約100萬次)，且寫操作時間較長(約10 ms
2014-04-25 11:05:59
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機(jī)存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
相變存儲器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:551074 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:033661 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
相變存儲器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22883 友達(dá)65寸偏光3D面板將在下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
友達(dá)光電表示，將在下半年量產(chǎn)65寸偏光式Full HD 3D面板，是目前商品化最大尺寸的3D電視面板
2010-03-18 09:21:09779 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371384 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法
2011-07-07 09:26:183234 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲
2011-10-27 09:34:131838 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲器燒寫工具.exe》資料免費(fèi)下載
2015-09-09 14:22:202 ITRI 公司近日發(fā)布了一款與斯坦福大學(xué)共同研發(fā)的可快充鋁電池URABat，據(jù)稱是一種更安全和更高效的鋰電池代替品。URABat電池完成一次充電僅用時1分鐘且充電循環(huán)次數(shù)可高達(dá)1萬次。
2016-11-18 16:01:591586 Molex 推出專為高插拔次數(shù)連接實(shí)現(xiàn)牢固保持效果的公母端一體式 CyClone 面板間連接器系統(tǒng)。CyClone 連接器模塊的插拔次數(shù)可達(dá) 1 萬次，在電信、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)品和工業(yè)電子元件領(lǐng)域可以提供超高的耐久性。
2016-12-13 12:58:292019 
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 Molex 推出專為高插拔次數(shù)連接實(shí)現(xiàn)牢固保持效果的公母端一體式 CyClone 面板間連接器系統(tǒng)。CyClone 連接器模塊的插拔次數(shù)可達(dá) 1 萬次，在電信、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)品和工業(yè)電子元件領(lǐng)域可以提供超高的耐久性。
2017-02-14 09:47:374390 和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲器的級別。而且，F(xiàn)RAM的讀/寫耐久性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM和Flash存儲器。EEPROM和Flash存儲器能寫入大約100萬次（106次），F(xiàn)RAM最高可寫入1013次，或者說寫入次數(shù)可以達(dá)到前兩種存儲器的1000萬倍以上。
2017-03-29 11:46:292172 
程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。本文將探討FLASH存儲器的讀寫原理及次數(shù)。 FLASH存儲器的讀寫原理 FLASH存儲器的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPRO
2017-10-13 16:34:3022518 存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一，能否開發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲器芯片事關(guān)國家信息安全。目前，國際上通用的存儲器材料是“鍺銻碲”。近年來，消費(fèi)電子產(chǎn)品的普及對存儲器芯片的功耗、壽命、尺寸、持久力等各項(xiàng)性能指標(biāo)均提出了更高要求，世界各國科學(xué)家都在加緊攻關(guān)存儲器芯片的制造材料。
2017-11-16 14:05:283259 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 此類獨(dú)特的超高柔性線纜組件，專為常規(guī)跳線無法適用的連續(xù)運(yùn)動及自動化應(yīng)用而設(shè)計(jì)，其在1.82英（46.4毫米）彎曲半徑下的額定彎曲次數(shù)為1000萬次。
2018-06-29 09:30:001477 萬勇透露，武漢國家存儲器基地計(jì)產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點(diǎn)亮，明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復(fù)的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:004018 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場推進(jìn)暨江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲器工廠竣工運(yùn)營啟動儀式。
2018-03-28 14:58:197267 存儲單元：
- 2048 x 12 用戶執(zhí)行存儲器
- 64 x 8 可自寫數(shù)據(jù)存儲器
- 程序存儲器耐寫次數(shù)達(dá) 100，000 次
- 閃存數(shù)據(jù)存儲器耐寫次數(shù)達(dá) 1，000.000 次
- 程序和閃存數(shù)據(jù)保持時間：》40 年
2018-06-27 11:24:0017 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 鋰電池已經(jīng)成為當(dāng)前純電動汽車上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時常被人詬病。近日一家法國初創(chuàng)公司稱正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬次循環(huán)使用，將會打破電動汽車行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 存儲器大廠美光 26 日宣布，正式量產(chǎn) GDDR6 存儲器。其核心容量 8Gb，速率 12、14Gbps。美光表示，其速度最高可達(dá) 20Gbps，而且未來還會推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 存儲器，傳輸速率達(dá) 16Gbps
2018-06-27 09:54:584715 
在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司（國家存儲器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 本32X8 FIFO的設(shè)計(jì),采用了雙體存儲器的交替讀寫機(jī)制,使得在對其中一個存儲器寫操作的同時可以對另一個存儲器進(jìn)行讀操作;對其中一個存儲器讀操作的同時可以對另一個存儲器進(jìn)行寫操作。實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)緩沖,速度比單體存儲器的FIFO提高了一倍。
2018-12-30 10:29:004312 
新興存儲器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲器，最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935 IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數(shù)超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲器）矽智財(cái)（Silicon IP），來因應(yīng)車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:491005 NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器（PCM），該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。
2019-01-15 14:30:531447 Oculus Android應(yīng)用程序安裝超過100萬次 在谷歌Play Store上，Oculus安卓應(yīng)用的總安裝量剛剛超過100萬次。蘋果的應(yīng)用程序商店沒有報(bào)告安裝數(shù)量。 Oculus Go的設(shè)置需要Oculus應(yīng)用程序，它可以用來安裝應(yīng)用程序，也可以用來管理設(shè)置
2019-02-26 11:17:531005 近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為
2019-03-19 15:43:0110827 
為了解決這個問題，IBM的研究人員給相變存儲器引入了一個所謂的投影段（projection segment）。投影段是該團(tuán)隊(duì)在2015年首次提出的，它是一個金屬氮化物導(dǎo)電層，包裹著相變材料芯，并在電極之間平行于相變材料芯運(yùn)行。投影段將信息的寫入和讀取過程分開。
2019-08-29 11:51:134277 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用EEPROM存儲器24C02記憶開機(jī)次數(shù)的代碼免費(fèi)下載。
2019-08-26 17:31:2125 據(jù)介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲器，而目前通用的存儲器技術(shù)主要是動態(tài)隨機(jī)存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221675 相變存儲器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402724 
11月16日消息，在第五屆聯(lián)想創(chuàng)新科技大會上，聯(lián)想集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼中國區(qū)總裁劉軍透露，摩托羅拉折疊手機(jī)Raza暫不在國內(nèi)上市，“但一定會拿到國內(nèi)來，到時會是5G手機(jī)。我們的產(chǎn)品過硬，折疊次數(shù)標(biāo)準(zhǔn)達(dá)10萬次”。
2019-11-18 14:59:083370 除了10倍壽命的JetFlash 910系列U盤之外，創(chuàng)見還發(fā)布了新一代寫不死的M.2硬盤，使用的還是東芝BiCS 4 3D TLC閃存，但專有SLC模式使得寫入次數(shù)高達(dá)10萬次，是普通閃存的30多倍，一樣寫不死的。
2019-12-31 09:34:344026 繼電器的電氣壽命通常只有10萬次，如想再提供壽命那么器件的可選范圍可能就小了，且成本居高不下。經(jīng)實(shí)際測試，用零電壓吸合零電流釋放這一技術(shù)，可以極大的提高繼電器的壽命至50萬次到100萬次，且上面提到的這些不良現(xiàn)象的發(fā)生概率降低很多。
2020-01-20 14:46:0020547 相變存儲器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516096 根據(jù)消息報(bào)道，長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項(xiàng)目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項(xiàng)目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 貿(mào)澤將備貨多款兆易創(chuàng)新存儲器解決方案。GD25 SPI NOR Flash存儲器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時間和10萬次擦寫次數(shù)，具有高可靠性。
2020-02-27 17:14:421293 多款GigaDevice存儲器解決方案中，NOR Flash產(chǎn)品主要針對容量、封裝、安全等方面，滿足各個領(lǐng)域?qū)τ布O(shè)計(jì)的要求。GD25 SPI NOR Flash存儲器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時間和10萬次擦寫次數(shù)，具有高可靠性
2020-04-28 09:23:495309 目前針對不同的應(yīng)用市場，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫速度快，SRAM存儲器被用作計(jì)算機(jī)中的高速緩存，提高它的讀寫速度對于充分發(fā)揮
2020-04-30 14:58:022186 
。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:152073 
對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204 2020年12月25日，廈門旌存半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研制的旌存KS3400P SSD控制器完成了與長江存儲3D TLC NAND的適配，順利通過了兼容性、穩(wěn)定性、可靠性等多重驗(yàn)證，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-12-28 16:35:302585 由于輸入存儲器的電平狀態(tài)只能由主令電器通過輸入接口來“寫”，CPU只能“讀取”輸入存儲器的電平狀態(tài)而無法把電平狀態(tài)“寫入”輸入存儲器，所以，輸入存儲器只能分配給主令電器使用，而不能作為輔助存儲器使用，更不能作為輸出存儲器使用。
2021-06-06 11:10:527021 
華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲器：比主流產(chǎn)品1000倍 來源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000倍
2022-01-21 13:15:001047 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 相變隨機(jī)存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:151623 CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬次開關(guān)周期的耐用性，與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲器大致相當(dāng)。如果沒有 CMOS 晶體管，憶阻器只能承受大約 100 個周期。
2023-04-11 10:59:411743 鐵電存儲器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲的要求，故此，國產(chǎn)鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21675 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:031132 單片機(jī)的結(jié)構(gòu)和燒寫方式 單片機(jī)是一種集成電路，它集成了處理器、存儲器、輸入輸出接口等功能。燒寫單片機(jī)時，通常使用專用的編程器連接計(jì)算機(jī)和單片機(jī)，將程序代碼寫入單片機(jī)的閃存中。燒寫的過程通常稱為編程。 2. 單片機(jī)的存儲器
2023-12-07 13:46:387012 早前報(bào)道，蔚來于2023年10月9日實(shí)現(xiàn)第3000萬次換電，然后僅經(jīng)過157天就完成了第4000萬次換電服務(wù)。據(jù)蔚來副總裁沈斐所述，換電相較充電技術(shù)而言，節(jié)省大量時間，尤其適用于長途出行場景。
2024-03-14 14:06:18912 相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
格科微于10月13日發(fā)布公告，宣布其5，000萬像素圖像傳感器產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。該產(chǎn)品建立在格科微已量產(chǎn)的3，200萬像素圖像傳感器技術(shù)基礎(chǔ)上，采用了先進(jìn)的單芯片高像素CIS架構(gòu)。通過運(yùn)用獨(dú)特
2024-10-14 16:09:141615
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