摘  要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿Υ鎯ζ鞯脑?、研究進展及存在的問題等。

引言
更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和制造者追求的永恒目標。根據(jù)這一目標，人們研究各種存儲技術(shù)，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。

圖1 MTJ元件結(jié)構(gòu)示意圖

鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。
當前應用于存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。鐵電存儲器的存儲原理是基于鐵電材料的高介電常數(shù)和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規(guī)的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉(zhuǎn)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與讀取。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)就是基于DRO工作模式。這種破壞性的讀出后需重新寫入數(shù)據(jù)，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作。隨著不斷地極化反轉(zhuǎn)，此類FeRAM會發(fā)生疲勞失效等可靠性問題。目前，市場上的鐵電存儲器全部都是采用這種工作模式。NDRO模式存儲器以鐵電薄膜來替代MOSFET中的柵極二氧化硅層，通過柵極極化狀態(tài)(±Pr)實現(xiàn)對來自源—漏電流的調(diào)制，使它明顯增大或減小，根據(jù)源—漏電流的相對大小即可讀出所存儲的信息，而無需使柵極的極化狀態(tài)反轉(zhuǎn)，因此它的讀出方式是非破壞性的。基于NDRO工作模式的鐵電場效應晶體管(FFET)是一種比較理想的存儲方式。但迄今為止，這種鐵電存儲器尚處于實驗室研究階段，還不能達到實用程度。
Ramtron公司是最早成功制造出FeRAM的廠商。該公司剛推出高集成度的FM31系列器件，這些產(chǎn)品集成最新的FeRAM存儲器，可以用于汽車電子、消費電子、通信、工業(yè)控制、儀表和計算機等領(lǐng)域。Toshiba公司與Infineon公司2003年合作開發(fā)出存儲容量達到32Mb的FeRAM，該FeRAM采用單管單電容(1T1C)的單元結(jié)構(gòu)和0.2mm工藝制造，存取時間為50ns，循環(huán)周期為75ns，工作電壓為3.0V或2.5V。Matsushita公司也在2003年7月宣布推出世界上第一款采用0.18mm工藝大批量制造的FeRAM嵌入式系統(tǒng)芯片(SOC)。該公司新開發(fā)的這種產(chǎn)品整合了多種新穎的技術(shù)，包括采用了獨特的無氫損單元和堆疊結(jié)構(gòu)，將存儲單元的尺寸減小為原來的十分之一；采用了厚度小于10nm(SrBi2Ti2O9)的超微鐵電電容，從而大幅減小了裸片的尺寸，擁有低功耗，工作電壓僅為1.1V。2003年初，Symetrix公司向Oki公司授權(quán)使用NDRO FeRAM技術(shù)，后者采用0.25mm工藝生產(chǎn)NDRO FeRAM。NDRO FeRAM是基于Symetrix稱為Trinion單元的新型技術(shù)，但是該公司沒有披露具體的細節(jié)。
FeRAM已成為存儲器家族中最有發(fā)展?jié)摿Φ男鲁蓡T之一。然而，F(xiàn)eRAM的批評者指出，當達到某個數(shù)量的讀周期之后FeRAM單元將失去耐久性，而且由陣列尺寸限制帶來的FeRAM成品率問題以及進一步提高存儲密度和可靠性等問題仍然亟待解決。

圖2 OUM存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖

磁性隨機存儲器(MRAM)
從原理上講，MRAM的設計是非常誘人的，它通過控制鐵磁體中的電子旋轉(zhuǎn)方向來達到改變讀取電流大小的目的，從而使其具備二進制數(shù)據(jù)存儲能力。理論上來說，鐵磁體是永久不會失效的，因此它的寫入次數(shù)也是無限的。在MRAM發(fā)展初期所使用的磁阻元件是被稱為巨磁阻(GMR)的結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)由上下兩層磁性材料，中間夾著一層非磁性材料的金屬層所組成。由于GMR元件需較大電流成為無法突破的難點，因此無法達到高密度存儲器的要求。與GMR不同的另一種結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié) (MTJ)，如圖1所示。MTJ與GMR元件的最大差異是隔開兩層磁性材料的是絕緣層而非金屬層。MTJ元件是由磁場調(diào)制上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行來建立兩個穩(wěn)定狀態(tài)，在反平行狀態(tài)時通過此元件的電子會受到比較大的干擾，因此反映出較高的阻值；而在平行狀態(tài)時電子受到的干擾較小得到相對低的阻值。MTJ元件通過內(nèi)部金屬導線所產(chǎn)生的磁場強度來改變不同的阻值狀態(tài)，并以此記錄“0”與“1”的信號。
MRAM當前面臨的主要技術(shù)挑戰(zhàn)就是磁致電阻太過微弱，兩個狀態(tài)之間的電阻只有30%~40%的差異，讀寫過程要識別出這種差異的話，還有一定的難度。不過，NVE公司于2003年11月宣布，其工程師研制成功迄今為止最高的自旋穿隧結(jié)磁阻(SDT)。該公司采用獨特材料，室溫下在兩個穩(wěn)定狀態(tài)之間使穿隧磁阻變化超過70%。NVE已向包括Motorola公司在內(nèi)的幾家致力商用化MRAM的公司授權(quán)使用其MRAM知識產(chǎn)權(quán)。
IBM、Motorola和Infineon等公司的MRAM樣品已紛紛出爐，預計2004-2005年MRAM的商用產(chǎn)品將陸續(xù)面市。2002年6月Motorola公司演示了第一片1Mb的MRAM芯片，據(jù)悉2003年10月該公司向其他公司推出了采用0.18mm工藝的4Mb MRAM樣片。Toshiba和NEC公司的聯(lián)合研究小組計劃采用0.25mm磁性隧道結(jié)與0.18mm工藝相結(jié)合的方式，希望在2005年實現(xiàn)256Mb MRAM的量產(chǎn)。Infineon和IBM公司也在2003年6月聯(lián)合宣布，他們開發(fā)出的高速128Kb MRAM采用0.18mm工藝制作，為目前業(yè)界工藝尺寸最小的MRAM產(chǎn)品，有望從2005年開始逐步取代現(xiàn)有的存儲器，并獲得廣泛應用。

相變存儲器(OUM)
奧弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導體學。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來存儲數(shù)據(jù)。后來，人們將這一學說稱為奧弗辛斯基電子效應。相變存儲器是基于奧弗辛斯基效應的元件，因此被命名為奧弗辛斯基電效應統(tǒng)一存儲器(OUM)，如圖2所示。從理論上來說，OUM的優(yōu)點在于產(chǎn)品體積較小、成本低、可直接寫入(即在寫入資料時不需要將原有資料抹除)和制造簡單，只需在現(xiàn)有的CMOS工藝上增加2~4次掩膜工序就能制造出來。
OUM是世界頭號半導體芯片廠商Intel公司推崇的下一代非易失性、大容量存儲技術(shù)。Intel和該項技術(shù)的發(fā)明廠商Ovonyx 公司一起，正在進行技術(shù)完善和可制造性方面的研發(fā)工作。Intel公司在2001年7月就發(fā)布了0.18mm工藝的4Mb OUM測試芯片，該技術(shù)通過在一種硫化物上生成高低兩種不同的阻抗來存儲數(shù)據(jù)。2003年VLSI會議上，Samsung公司也報道研制成功以Ge2Sb2Te5(GST)為存儲介質(zhì)，采用0.25mm工藝制備的小容量OUM，工作電壓在1.1V，進行了1.8x109 讀寫循環(huán)，在1.58x109循環(huán)后沒有出現(xiàn)疲勞現(xiàn)象。
不過OUM的讀寫速度和次數(shù)不如FeRAM和MRAM，同時如何穩(wěn)定維持其驅(qū)動溫度也是一個技術(shù)難題。2003年7月，Intel負責非易失性存儲器等技術(shù)開發(fā)的S.K.Lai還指出OUM的另一個問題：OUM的存儲單元雖小，但需要的外圍電路面積較大，因此芯片面積反而是OUM的一個頭疼問題。同時從目前來看，OUM的生產(chǎn)成本比Intel預想的要高得多，也成為阻礙其發(fā)展的瓶頸之一。

結(jié)語
FeRAM、MRAM和OUM這三種存儲器與傳統(tǒng)的半導體存儲器相比有許多突出的優(yōu)點，其應用前景十分誘人。近年來，人們對它們的研究己取得了可喜的進展，尤其是FeRAM己實現(xiàn)了初步的商業(yè)應用。但它們要在實際應用上取得進一步重大突破，還有大量的研究工作要做。同時存儲技術(shù)的發(fā)展是沒有止境的，但是追求更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本和更高可靠性的目標永遠不會改變。