探索BFU520Y：雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能 在射頻晶體管的領(lǐng)域中，NXP的BFU520Y脫穎而出，成為高速、低噪聲應(yīng)用的理想之選。今天，我們就來(lái)深入剖析這款雙NPN寬帶硅射頻晶體管，看看
2025-12-30 17:35:13
410 聚焦晶體管微型化、功率傳輸效率、新興材料應(yīng)用等行業(yè)關(guān)鍵痛點(diǎn)，涵蓋 MIM 電容器創(chuàng)新、GaN 芯片 let 技術(shù)、2D FET 優(yōu)化及 CMOS 縮放演進(jìn)等多個(gè)前沿方向，為人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)提供了關(guān)鍵支撐。 ? 隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)持續(xù)演進(jìn)，晶體管尺寸不斷縮減，如
2025-12-16 09:33:251791 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入了解一下ON Semiconductor的NSS40301MZ4 NPN晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-02 16:14:18630 
在電子電路設(shè)計(jì)中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
在電子電路設(shè)計(jì)中，合理選擇晶體管至關(guān)重要，它關(guān)乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來(lái)為大家詳細(xì)介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 09:41:59320 
在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET），看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:47:04273 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應(yīng)用中展現(xiàn)出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下。
2025-11-26 15:10:43260 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:01:11259 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的表現(xiàn)。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 14:28:03280 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12435 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成，一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器，另一個(gè)是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
，繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標(biāo)邁進(jìn)，并進(jìn)一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級(jí)晶體管 ? 英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1
2025-11-05 14:31:0559490 
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23350 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
倫德8XX系列晶體管光耦采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，能夠提供高達(dá)3750V的隔離電壓，確保充電樁在高電壓環(huán)境下的信號(hào)傳輸安全。無(wú)論是直流快充還是交流慢充，8XX系列光
2025-09-30 16:34:514316 
在當(dāng)代電子技術(shù)的浩瀚星空中，MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）無(wú)疑是一顆璀璨的恒星。從智能手機(jī)里的微小芯片到新能源電站的巨型逆變器，這種看似簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的性能，支撐著現(xiàn)代電子文明的運(yùn)轉(zhuǎn)。了解MOS管的工作機(jī)制與應(yīng)用場(chǎng)景，如同掌握解讀電子世界的密碼。
2025-09-28 10:30:00798 
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動(dòng)集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:481310 
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)?。
2025-09-20 16:46:222445 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。
一、摩爾定律
摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律，指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月會(huì)增加一倍，同時(shí)芯片大小也
2025-09-15 14:50:58
選型手冊(cè)：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246127 
科技有限公司深耕電子元器件領(lǐng)域多年，對(duì) S8050 晶體管有著深入的研究與豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，下面將為您帶來(lái) S8050 晶體管全系列封裝與功能的詳細(xì)解讀。 一、S8050 晶體管基礎(chǔ)認(rèn)知 S8050 屬于 NPN 型硅晶體管，這意味著其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由兩層 N 型半導(dǎo)體中
2025-08-06 16:27:321173
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子
2025-07-23 17:27:58
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試是對(duì)二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測(cè)的過程，旨在評(píng)估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測(cè)試內(nèi)容與方法的總結(jié)： 1. ? 測(cè)試對(duì)象與分類
2025-07-22 17:46:32825 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如同一對(duì)默契的 “電子開關(guān)”，掌控著電路中電流的流動(dòng)
2025-07-14 17:05:2223274 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（金屬互連），最后封頂防護(hù)（封裝層）。這種將芯片分為FEOL（前道工序） 與 BEOL（后道工序） 的智慧，正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:342011 
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2025-07-08 18:33:02
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2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
（Si）器件，尤其是在高功率、高溫和高頻率應(yīng)用中。SiCMOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用正在推動(dòng)電源轉(zhuǎn)換效率的提高，并助力實(shí)現(xiàn)更高效的電能管理。本文將詳細(xì)探討SiCMOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域、性能優(yōu)勢(shì)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2025-07-08 16:20:50822 晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估半導(dǎo)體分立器件電氣性能的專業(yè)儀器設(shè)備，其核心功能是對(duì)晶體管的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行精密測(cè)量與特性分析。以下是系統(tǒng)的關(guān)鍵要素解析： 一、系統(tǒng)核心功能 ?靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-07-08 14:49:56559 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射光電晶體管密封表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有耐輻射光電晶體管密封表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管密封表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射光電晶體管密封表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-04 18:35:19
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2025-07-03 18:31:17
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2025-07-03 18:30:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器真值表，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造
2025-06-20 10:40:07
在微電子系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對(duì)主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場(chǎng)調(diào)控特性。
2025-06-18 13:41:14694 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
自半導(dǎo)體晶體管問世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494 
導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412512 
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展，現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升，目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
2025-05-22 16:06:191145 
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2025-05-19 18:33:42
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國(guó)際
2025-05-19 16:08:13777 
型晶體管（BJT）、達(dá)林頓管等。 ?功率器件? ?MOSFET?（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景。 ?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結(jié)合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場(chǎng)景。 ?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Tria
2025-05-19 15:28:061309 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183877 由于資料內(nèi)存過大，分開上傳，有需要的朋友可以去主頁(yè)搜索下載哦~
本文共分上下二冊(cè)。本文檔作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路
2025-05-15 14:24:23
LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
在半導(dǎo)體芯片中，數(shù)十億晶體管需要通過金屬互連線（Interconnect）連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級(jí)，互連線的層次化設(shè)計(jì)成為平衡性能、功耗與集成度的關(guān)鍵。芯片中的互連線按長(zhǎng)度、功能及材料分為多個(gè)層級(jí)，從全局電源網(wǎng)絡(luò)到晶體管間的納米級(jí)連接，每一層都有獨(dú)特的設(shè)計(jì)考量。
2025-05-12 09:29:522008 
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙
晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)?/div>
2025-04-23 11:36:00780 
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜，有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)
2025-04-16 16:42:262 多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計(jì)，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì)，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)和制作
2025-04-14 16:07:46
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在開關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 本資料介紹電子電路和器件的基本概念、原理及分析方法。內(nèi)容從半導(dǎo)體器件到功能電路，從電路結(jié)構(gòu)到故障診斷，從理論分析到實(shí)際應(yīng)用。半導(dǎo)體器件包括：二極管、雙極型晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管
2025-04-11 15:55:34
有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步，他們利用二維（2D）半導(dǎo)體技術(shù)，成功研發(fā)出新型三維（3D）晶體管，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451073 
全球電子行業(yè)每年生產(chǎn)數(shù)萬(wàn)億個(gè)半導(dǎo)體電子元件，如集成電路(IC)、晶體管、二極管和發(fā)光二極管等。從智能手機(jī)到汽車，各種電子設(shè)備都嵌入了這些小巧的技術(shù)元件，并為其提供動(dòng)力，它們?cè)谖覀兂?jí)互聯(lián)的日常生活中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2025-03-18 14:05:311277 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作，渥爾曼電路的設(shè)計(jì)，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì)，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作，差動(dòng)放大電路的設(shè)計(jì)，op放大器電路的設(shè)計(jì)與制作等
2025-03-07 13:46:06
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補(bǔ)雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對(duì)，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補(bǔ)雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來(lái)減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022608 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP52系列晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:36:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4480X晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS5350PAS晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:09:070 金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Vth? （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTA123ET晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:18:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTC123EMB晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 16:58:190 在現(xiàn)代電子技術(shù)中，二極管和晶體管是兩種不可或缺的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用，從簡(jiǎn)單的信號(hào)處理到復(fù)雜的集成電路。 二極管 二極管是一種兩端器件，其主要功能是允許電流單向流動(dòng)。它由一個(gè)P
2025-02-07 09:50:371618 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
菲爾德（Julius Edgar Lilienfeld）的一項(xiàng)專利中就已顯現(xiàn)。 盡管利利恩菲爾德從未制造出實(shí)物原型，但他在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)突破方面發(fā)揮了決定性作用。他1925年申請(qǐng)的專利被廣泛認(rèn)為是世界上第一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（幾乎所有電子設(shè)備的關(guān)鍵組件）的理論概念
2025-01-23 09:42:111476 
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022 微電子學(xué)的基礎(chǔ)，可以被認(rèn)為是大多數(shù)現(xiàn)代處理器的“原始單元”。如今，微電子行業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模創(chuàng)新，但半導(dǎo)體制造商每年仍會(huì)生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)NPN和PNP雙極性晶體管，安裝在各種類型的電氣和電子設(shè)備中。
2025-01-10 16:01:501488 已全部加載完成
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