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      業(yè)界:128Gb閃存芯片正式投入生產(chǎn)

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      智能血壓計語音芯片開發(fā)在人口老齡化加劇和慢性病高發(fā)的雙重壓力下，血壓，作為反映人體健康狀態(tài)的重要指標之一，更是需要我們時刻關注。傳統(tǒng)血壓測量設備存在操作復雜、讀數(shù)不便等痛點，尤其對老年群體和視障人士
      2025-05-06 11:49:42864

      世邁科技最新 128GB E3.S 2T CMM內(nèi)存模塊榮獲 CXL 聯(lián)盟整合商認證

      隸屬Penguin Solutions??（Nasdaq：?PENG） 控股集團，全球?qū)I(yè)整合型內(nèi)存與存儲解決方案領導者?SMART Modular 世邁科技?（“SMART”）宣布其最新128GB
      2025-04-16 10:54:04757

      邁向3.2T光模塊，業(yè)界首款400 Gb/s D-EML亮相

      電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道? 最近在OFC2025（光網(wǎng)絡與通信研討會及博覽會）上，Coherent展示了業(yè)界首款400 Gb/s差分電吸收調(diào)制激光器(D-EML)，Coherent表示，這意味著
      2025-04-16 00:21:003285

      QuarkPi-CA2 RK3588S卡片電腦：6.0Tops NPU+8K視頻編解碼+接口豐富，高性能嵌入式開發(fā)！

      /8GB/16GB）與eMMC存儲（32GB/64GB/128GB），支持TF卡擴展，滿足不同存儲需求；集成千兆以太網(wǎng)和M.2 WIFI接口（兼容正點原子店鋪在售的RTL8852BE PCIE WIFI
      2025-04-11 16:03:36

      3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

      3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
      2025-04-08 14:38:392037

      將NXP RT1166更換為RT1064，可以使用JTAG/SWD存儲和檢索其閃存上的數(shù)據(jù)嗎？

      我在我的項目中使用了 RT1166，但是，其中一個要求是芯片應該具有可被 JTAG/SWD 訪問的內(nèi)部閃存。 RT1166 有，但 RT1064 有 4MB 的內(nèi)部 Flash。 我可以使用 JTAG/SWD 存儲和檢索其閃存上的數(shù)據(jù)嗎？
      2025-04-07 06:29:21

      求助，關于LX2160ARDB上的UEFI問題求解

      我最近LX2160ARDB 具有 32GB RAM 和 128GB EMMC 的開發(fā)套件。 Currenty 正在運行來自 SDCard 和 EMMC 的 u-boot 和 LSDK，但卡在正在
      2025-04-04 08:17:54

      得一微電子亮相2025中國閃存市場峰會

      近日，CFMS | MemoryS 2025中國閃存市場峰會（以下簡稱“MemoryS 2025”）在深圳前海舉辦。作為國內(nèi)領先的存儲主控芯片設計企業(yè)，得一微電子（YEESTOR）聚焦AI時代存儲
      2025-03-25 09:44:191376

      NAND閃存的工作原理和結構特點

      NAND閃存是一種非易失性存儲技術，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
      2025-03-12 10:21:145317

      視頻記錄儀_音視頻記錄儀定制_工作記錄儀整機及方案

      11.0智能操作系統(tǒng)，用戶可以選擇不同存儲配置，包括4GB或8GB的LPDDR4內(nèi)存，以及64GB或128GB的eMMC存儲選項，最大支持128GB的TF卡擴展，滿足多
      2025-03-03 20:10:35707

      LPDDR4 16Gb 技術文檔詳解：SK hynix H9HCNNNBKUMLXR 規(guī)格書

      本文詳細介紹了 SK hynix 公司生產(chǎn)的 LPDDR4 16Gb（x16，2 Channel，1 CS）內(nèi)存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術規(guī)格書。該文檔提供了芯片的詳細參數(shù)、功能描述
      2025-03-03 14:07:05

      鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術，實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

      兩家公司預展第十代3D閃存技術，為性能、能效和位密度設立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術，憑借4.8Gb/sNAND接口速度、卓越
      2025-02-25 11:31:38862

      醫(yī)療手持機_醫(yī)療PDA手持終端主板方案過醫(yī)療認證

      醫(yī)療PDA手持機配備了強大的聯(lián)發(fā)科2.0GHz八核處理器，標配4GB運行內(nèi)存和64GB存儲空間，用戶可選配6GB內(nèi)存和128GB存儲。搭載的Android 13操作系統(tǒng)確保了設備的快速響應和流暢的操作體驗，使醫(yī)護人員能夠迅速訪問關鍵信息。
      2025-02-24 20:02:02657

      九影X2直播一體機

      CPU：RK3588S主頻：2.4GHzRAN：8GB/16GBROM: 128GB/256GB屏幕尺寸: 10.1工藝: CNC氧化工藝攝像頭: SONY IMX7665000W MIPI1/1.55大底     
      2025-02-21 15:09:44

      【性能強者再升級】迅為RK3588開發(fā)板16GB+128GB高配3588核心板發(fā)布！

      【性能強者再升級】迅為RK3588開發(fā)板16GB+128GB高配3588核心板發(fā)布！
      2025-02-20 15:22:002034

      蘋果iPhone 16e上架，國補后起售價3999元

      售價方面，iPhone 16e提供了128GB、256GB和512GB三個存儲版本，以滿足不同用戶的需求。具體來說，128GB版本的售價為4499元，256GB版本售價為5499元，而頂配的512GB
      2025-02-20 09:33:161287

      昂科燒錄器支持ISSI芯成半導體的串行閃存IS25WP128F

      芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，芯成半導體（ISSI）推出的串行閃存IS25WP128F已被昂科燒寫工具AP8000所支持
      2025-02-19 09:14:28815

      智能安全帽_工地/電力/鐵路/礦業(yè)視頻通話智能頭盔

      為2GB，存儲空間為16GB，同時提供4GB內(nèi)存和64GB存儲的升級選項，并預留TF卡插槽，支持最大128GB的外部存儲擴展。這些配置在運行Android 11.0
      2025-02-18 19:57:12598

      DLPC410如何對SPI閃存進行編程？

      ，但是找不到下載的地方。 如何對 SPI 閃存進行編程？ 終端客戶將在 PCB 組裝之前或組裝后通過 Xilinx 工具對 SPI 閃存進行編程。
      2025-02-17 07:31:51

      WINBOND/華邦全線 W25X10CLUXIG USON8串行閃存芯片

      特點W25X10CL（1M位）串行閃存為容量有限的系統(tǒng)提供了一種存儲解決方案空間、引腳和電源。25X系列提供的靈活性和性能遠遠超出了普通串行閃存設備。它們是代碼下載應用程序以及存儲語音、文本和數(shù)
      2025-02-15 15:25:20

      醫(yī)學人體教學模型語音提示芯片方案開發(fā)：NV128H

      醫(yī)用教學人體模型用NV128H語音芯片增強互動性，支持中英文播放，可自定義詞條，提升培訓效果。NV128H性能卓越，功能豐富，是醫(yī)學教學模型中的關鍵組件。
      2025-02-15 15:16:181166

      MTFC128GBCAQTC-AAT存儲器

      為3,000個，生產(chǎn)日期為23+。 產(chǎn)品技術資料 數(shù)量 : 3,000個 型號 : MTFC128GBCAQTC-AAT 
      2025-02-14 07:44:29

      MTFC128GAVATTC-AAT存儲器

      為3,000個，生產(chǎn)日期為DC23+。 產(chǎn)品技術資料 數(shù)量 : 3,000個 型號 : MTFC128GAVATTC-AAT&nbs
      2025-02-14 07:43:46

      MTFC128GASAQJP-AAT存儲器

      為3,000個，生產(chǎn)日期為23+。 產(chǎn)品技術資料 數(shù)量 : 3,000個 型號 : MTFC128GASAQJP-AAT 
      2025-02-14 07:42:49

      MT28EW128ABA1HJS-0SIT 內(nèi)存

      MT28EW128ABA1HJS-0SIT是一款高性能的NOR閃存存儲器，由MICRON制造，專為滿足各種電子設備的存儲需求而設計。該產(chǎn)品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度，適用于多種應用場景。目前
      2025-02-14 07:30:51

      999AVV/NMA1XXD128GPSU4內(nèi)存條

      999AVV/NMA1XXD128GPSU4是一款高性能的128GB PC4-21300 DDR4-2666 Optane DC持久性內(nèi)存，專為需要大容量和高效能的應用而設計。這款內(nèi)存條采用
      2025-02-14 07:16:05

      999HGR/NMB1XXD128GPSU4內(nèi)存條

      999HGR/NMB1XXD128GPSU4是一款高性能的128GB DIMM內(nèi)存條，采用288-pin封裝，支持2666 MHz的速度和PC4-21300的數(shù)據(jù)帶寬。該內(nèi)存條專為需要大容量和高性能
      2025-02-14 07:00:28

      【實測】用全志A733平板搭建一個端側Deepseek算力平臺

      模型，并進行實測效果展示。 端側平臺環(huán)境 設備：全志A733平板 系統(tǒng)：Android 15 DDR: 8GB LPDDR5 @2400MHz Flash：128GB UFS3.0 測試模型
      2025-02-13 10:19:01

      利用全志A733平板構建端側DeepSeek算力平臺

      模型，并進行實測效果展示。 端側平臺環(huán)境 設備：全志A733平板 系統(tǒng)：Android 15 DDR：8GB LPDDR5 @2400MHz Flash：128GB UFS3.0 測試模型
      2025-02-13 10:18:021655

      三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

      推進NAND閃存生產(chǎn)線的技術遷移工作，即將舊工藝生產(chǎn)線升級為更先進的新工藝。這一過程中，廠商需要引進并安裝全新的生產(chǎn)設備，整個升級周期大約耗時三個月。 在此期間，由于新設備尚未正式投入使用，原有的生產(chǎn)線將暫時無法進行晶圓加工
      2025-02-12 10:38:13856

      OpenAI自研AI芯片即將進入試生產(chǎn)階段

      據(jù)最新報道，OpenAI正加速推進其減少對英偉達芯片依賴的戰(zhàn)略計劃，并即將迎來重大突破——其首款自研人工智能芯片已完成設計工作，即將進入試生產(chǎn)階段。 據(jù)悉，OpenAI已決定將這款自研芯片交由全球
      2025-02-11 11:04:06984

      M323R1GB4BB0-CQK

      高性能的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，工作頻率為 PC4800。這款內(nèi)存條由三星（Samsung）生產(chǎn)，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設計，適用
      2025-02-10 07:44:13

      FEMDRM032G-A3A55 BGA-153 EMMC工業(yè)級閃存芯片

      FORESEE eMMC 是一款采用球柵陣列（BGA）封裝設計的嵌入式存儲解決方案。FORESEE eMMC 由 NAND 閃存和 eMMC 控制器組成。該控制器能夠管理接口協(xié)議、耗損均衡、壞塊管理
      2025-02-08 14:06:20

      智能安全帽_帶攝像頭5G/4G智能安全帽頭盔

      智能安全帽采用了基于聯(lián)發(fā)科12nm低功耗高性能處理器的硬件方案，主頻高達2.0GHz，標配2GB運行內(nèi)存和16GB存儲空間，且支持擴展至128GB，運行Android 9.0操作系統(tǒng)。如此配置不僅能滿足復雜工況下的性能需求，還能確保高清視頻通話的流暢性和穩(wěn)定性。
      2025-02-07 20:12:10948

      DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

      。這一趨勢直接導致了DDR4現(xiàn)貨價格的下跌，給相關供應商帶來了不小的壓力。盡管業(yè)界普遍期待隨著市場需求的逐步恢復，DRAM價格能夠有所反彈，但目前來看，這一期望似乎還需要一段時間才能實現(xiàn)。 與此同時，NAND閃存市場也面臨著交易低迷的困境。盡管供應商已經(jīng)
      2025-02-07 17:08:291017

      鴻海GB200 AI服務器順利完成英偉達交付目標

      據(jù)臺媒報道，鴻海近期在AI服務器領域取得了顯著成果。為確保英偉達超級AI芯片GB200的出貨進度，鴻海在中國臺灣和越南等地的廠區(qū)在農(nóng)歷新年期間進行了大規(guī)模動員，總計投入超過5000人全力趕工。
      2025-02-06 17:59:361418

      雷卯針對野火魯班貓4卡片電腦Linux瑞芯微RK3588S開發(fā)板推薦靜電防護示意圖

      ， GPU Mali-G610 3， 算力 6TOPS 4， 內(nèi)存 4/8/16GB,LPDDR4X(其它存儲需求可定制) 5， 存儲 0/32/64/128GB,eMMC(其它存儲需求可定制) 三、擴展接口 審核編輯 黃宇
      2025-02-06 17:19:29946

      燃氣檢測儀語音報警方案——NV128H語音芯片

      天然氣泄漏報警器必備，NV128H語音芯片以其卓越性能為燃氣檢測儀提供語音報警，保障家庭安全，支持多語言、低功耗，可根據(jù)需求定制報警語音，未來將在更多領域發(fā)揮作用。
      2025-02-05 11:57:25713

      影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？

      影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談談影響寫入速度九個方面：存儲容量和架構：存儲容量的增加會導致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復雜，從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時，需要更多時間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲架構未經(jīng)優(yōu)化，同樣會限制寫入速度。
      2025-01-22 16:48:251099

      SCB33S128160AE-6BI TSOP-54 128M 閃存芯片 存儲器

      1 概述 本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件產(chǎn)品，并介紹其主要特點。特性。1.1 特性 - 與正時鐘邊沿完全同步 - 工作溫度 - 商用溫度范圍 0 °C
      2025-01-16 14:59:36

      三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

      價格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場環(huán)境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應規(guī)模，這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈的競爭環(huán)境，三星電子不得不重新審視自身的生產(chǎn)策略
      2025-01-14 14:21:24866

      MediaTek與NVIDIA攜手設計GB10 Grace Blackwell超級芯片

      MediaTek與NVIDIA近日宣布了一項重要合作，雙方將共同設計NVIDIA GB10 Grace Blackwell超級芯片。這款超級芯片將被應用于NVIDIA的個人AI超級計算機
      2025-01-13 10:48:16954

      英偉達推出GB200 NVL4芯片！液冷UQD快接頭崛起

      中，英偉達推出了全新的硬件產(chǎn)品——GB200 NVL4超級芯片。該芯片展現(xiàn)出了較為出色的性能表現(xiàn)，在業(yè)界引起了廣泛關注，并預計于2025年下半年正式進入市場。 ▲英偉達GB200 NVL4超級芯片 回溯至 2024 年 3 月，GB200 NVL4的初次亮相便成為了高速銅纜發(fā)展的關鍵驅(qū)動力，開啟了技術聯(lián)
      2025-01-10 16:58:332002

      臺積電亞利桑那州晶圓廠啟動AMD與蘋果芯片生產(chǎn)

      近日，據(jù)最新消息透露，臺積電位于美國亞利桑那州的Fab 21晶圓廠已開始逐步提升產(chǎn)能，并正式投入生產(chǎn)AMD Ryzen 9000系列處理器以及蘋果智能手表的S9系統(tǒng)級封裝(SiP)關鍵組件。 這一
      2025-01-10 15:19:291101

      華芯邦Norflash閃存芯片HT25Q20D廣泛應用在汽車電子領域，主要為藍牙、音頻、WIFI等SoC主控芯片生產(chǎn)商供貨

      華芯邦Norflash閃存芯片HT25Q20D廣泛應用在汽車電子領域，主要為藍牙、音頻、WIFI等SoC主控芯片生產(chǎn)商供貨，其產(chǎn)品廣泛應用于各種消費電子品牌。
      2025-01-09 14:45:561126

      今日看點丨黃仁勛稱基于英偉達 Blackwell 的服務器已全面投產(chǎn)；美國開發(fā)新一代BAT激光器：可“超越EUV”

      1. 臺積電亞利桑那工廠開始生產(chǎn)第二款蘋果芯片 ? 臺積電在亞利桑那州的芯片代工廠不僅在生產(chǎn)一款蘋果芯片，據(jù)報道，第二款蘋果設計芯片正在該工廠投入生產(chǎn)。9 月，臺積電終于開始在其亞利桑那州代工廠生產(chǎn)
      2025-01-09 11:22:09829

      影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？

      影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
      2025-01-08 16:05:031429

      MediaTek與NVIDIA攜手打造GB10 Grace Blackwell超級芯片

      MediaTek近日正式宣布與NVIDIA攜手合作，共同設計NVIDIA GB10 Grace Blackwell超級芯片。這款芯片將被應用于NVIDIA的個人AI超級計算機——NVIDIA
      2025-01-08 15:32:031355

      美銀分析師：英偉達加大“物理AI”投入為明智之舉

      新興分支，正逐漸受到業(yè)界的廣泛關注。英偉達作為全球領先的圖形處理器(GPU)制造商，其在人工智能領域的實力不容小覷。此次加大對“物理AI”的投入，不僅體現(xiàn)了英偉達對市場趨勢的敏銳洞察，也展示了其在技術創(chuàng)新方面的堅定決心。 然而
      2025-01-08 10:51:38785

      聯(lián)發(fā)科與NVIDIA合作 為NVIDIA 個人AI超級計算機設計NVIDIA GB10超級芯片

      聯(lián)發(fā)科近日宣布與NVIDIA合作設計NVIDIA GB10 Grace Blackwell超級芯片，將應用于NVIDIA 的個人AI超級計算機NVIDIA? Project DIGITS。 聯(lián)發(fā)科在
      2025-01-07 16:26:16883

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