NLAS5223 模擬開關(guān) 雙SPDT 0.5歐姆
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:模擬開關(guān),雙SPDT,超低,0.5歐姆
NLAS5223是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進CMOS模擬開關(guān)。該器件是雙獨立單刀雙擲(SPDT)開關(guān),具有0.5歐姆的超低RON,VCC = 3.0 +/- 0.3 V.該器件還具有保證斷路前(BBM)開關(guān),確保開關(guān)永不簡短的驅(qū)動程序。
特性 |
- UltraLow RON,0.5 V,VCC = 3.0 +/- 0.3 V。
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電路圖、引腳圖和封裝圖
