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      LF198-N 單片采樣和保持電路

      數(shù)據(jù)：

      描述

      LF298和LFx98x器件是單片采樣保持電路，采用BI-FET技術，通過快速采集信號和低下垂獲得超高直??流精度率。作為單位增益跟隨器工作，DC增益精度典型值為0.002％，采集時間低至6μs至0.01％。雙極性輸入級用于實現(xiàn)低失調(diào)電壓和寬帶寬。輸入失調(diào)調(diào)整由單個引腳完成，不會降低輸入失調(diào)漂移。寬帶寬允許LF198-N包含在1-MHz運算放大器的反饋環(huán)路內(nèi)，而不會出現(xiàn)穩(wěn)定性問題。 10 10 Ω的輸入阻抗允許使用高源阻抗而不會降低精度。

      P溝道結(jié)FET與輸出放大器中的雙極器件相結(jié)合，以提供下垂率使用1μF保持電容，低至5 mV /min。 JFET的噪聲比以前設計中使用的MOS器件低得多，并且不會出現(xiàn)高溫不穩(wěn)定性。整體設計確保在保持模式下輸入到輸出都沒有饋通，即使輸入信號等于電源電壓也是如此。

      LF198-N上的邏輯輸入是全差分，輸入電流低，允許直接輸入連接到TTL，PMOS和CMOS。差分閾值為1.4 V.LF198-N將采用±5 V至±18 V電源供電。

      A型可提供更嚴格的電氣規(guī)格。

      特性

      • 采用±5 V至±18 V電源供電
      • 采集時間小于10-μs
      • 邏輯輸入兼容TTL，PMOS，CMOS
      • 0.5 mV典型保持步長，Ch =0.01μF
      • 低輸入偏移
      • 0.002％增益精度
      • 保持模式下的低輸出噪聲
      • 保持模式期間輸入特性不會改變
      • 采樣或保持時的高電源抑制比
        • < li>寬帶寬
      • 空間合格，JM38510

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?采樣保持放大器

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      LF198-N
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      方框圖 (1)

      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
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