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      怎么測(cè)量碳化硅？臺(tái)階儀 0.5mg測(cè)力解決易損、干涉測(cè)量難題

      2025-12-11 | docx | 0.39 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      在半導(dǎo)體制造圈，這幾年大家談?wù)撟疃嗟哪^(guò)于“第三代半導(dǎo)體”——SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）。我們都在談?wù)搶捊麕Р牧蠋?lái)的高耐壓、高頻性能。但對(duì)于身處Fab廠一線工藝或從事量測(cè)設(shè)備的工程師來(lái)說(shuō)，材料屬性的變化，往往意味著新的工藝挑戰(zhàn)。
      怎么測(cè)量碳化硅？晶圓應(yīng)力怎么測(cè)？比如，SiC非常硬，莫氏硬度非常高；同時(shí)它又是透明的，且往往生長(zhǎng)在異質(zhì)襯底上。傳統(tǒng)的測(cè)量邏輯在這里經(jīng)常行不通：
      1.看不清：光學(xué)測(cè)量在透明多層膜結(jié)構(gòu)上容易遇到復(fù)雜的干涉問(wèn)題，數(shù)據(jù)往往存在噪點(diǎn)。
      2.不敢碰：傳統(tǒng)的接觸式測(cè)量如果力度控制不好，很容易劃傷昂貴的光刻膠或晶圓表面。

      ?

      當(dāng)摩爾定律的戰(zhàn)場(chǎng)轉(zhuǎn)移到微觀結(jié)構(gòu)的“縱深”和“新材料”上，我們的測(cè)量工具在如何升級(jí)？結(jié)合最近應(yīng)用的NS系列臺(tái)階儀，我想聊聊在亞埃級(jí)尺度下，這種被戲稱為“微觀畫師”的設(shè)備，是如何解決新材料研發(fā)中三個(gè)關(guān)鍵難題的。

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      半導(dǎo)體 測(cè)量
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