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      TS2DDR2811 具有低而平坦的導(dǎo)通電阻的 1GHz 帶寬、8 位 SPST 開關(guān)

      數(shù)據(jù)：

      描述

      TS2DDR2811是一款8通道單刀單擲（SPST）信號開關(guān)，能夠切換帶寬超過1 GHz的信號。該器件包含一個選擇引腳（SEL），用于選擇8個通道輸入中的任何一個。該選擇引腳控制SPST開關(guān)的數(shù)據(jù)路徑。該器件提供低而平坦的導(dǎo)通電阻（r ON ）和出色的導(dǎo)通電阻匹配。低輸入/輸出電容，高帶寬，低偏斜和通道間低串?dāng)_使該器件適用于各種高帶寬應(yīng)用，如DDR2,10 /100/1000 Base-T，音頻和視頻。

      特性

      • 寬帶寬（BW = 1100 MHz典型值）
      • 低串?dāng)_（X TALK = -37 dB（典型值）
      • 低位到位偏移（t sk（o） =最大100 ps）
      • 低和平坦導(dǎo)通狀態(tài)阻力
        （r ON = 4 Typ，r ON（平面） = 0.5 Typ）
      • 低輸入/輸出電容
        （C ON = 8 pF典型值）
      • 數(shù)據(jù)I /O端口上的軌到軌切換
        （0 V至5 V）< /li>
      • V CC 工作范圍3 V至3.6 V
      • 閂鎖性能超過JESD 78，Class II 100 mA
      • 每個JESD測試的ESD性能22
        • 2000-V人體模型
          （A114-B，II類）
        • 1000V充電器件模型（C101）
      • 應(yīng)用程序
        • DDR2信號切換
        • GbE LAN信號切換
        • 集線器和路由器信號切換
          • < li>音頻/視頻開關(guān)ng

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 特定于協(xié)議的開關(guān)/多路復(fù)用器

       
      Protocols
      Configuration
      Number of Channels (#)
      VCC (Min) (V)
      VCC (Max) (V)
      Ron (Typ) (Ohms)
      Input/Ouput Voltage (Min) (V)
      Input/Ouput Voltage (Max) (V)
      ICC (Max) (uA)
      Bandwidth (MHz)
      ESD HBM (Typ) (kV)
      Operating Temperature Range (C)
      Package Size: mm2:W x L (PKG)
      Package Group
      Crosstalk (dB)
      ESD Charged Device Model (kV)
      ICC (Typ) (uA)
      Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
      Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
      Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
      OFF-state leakage current (Max) (µA)
      Propagation Delay (ns)
      Ron (Max) (Ohms)
      Ron Channel Match (Max) (?)
      RON Flatness (Typ) (Ohms)
      Turn off Time (Disable) (Max) (ns)
      Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
      VIH (Min) (V)
      VIL (Max) (V)
      TS2DDR2811 TS3DDR3812
      DDR2     DDR3    
      1:1 SPST     2:1 SPDT    
      8     12    
      3     3    
      3.6     3.6    
      4     8    
      0     0    
      3.6     3.6    
      500     400    
      1100     1675    
      2     2    
      -40 to 85     -40 to 85    
      20BGA MICROSTAR JUNIOR: 8 mm2: 3 x 2.5(BGA MICROSTAR JUNIOR)     42WQFN: 32 mm2: 3.5 x 9(WQFN)    
      BGA MICROSTAR JUNIOR     WQFN    
        -71    
      1     1    
      250      
      128     128    
      2.5     5.6    
      4     2    
        1    
      0.04     0.04    
      6     12    
      1     1    
      0.5     1.5    
      9     5    
      15     7    
      2     2    
      0.8     0.8    

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 TS2DDR2811 相關(guān)庫存