• 受控基線
  • 一個(gè)裝配/測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)，一個(gè)制造現(xiàn)場(chǎng)
• 增強(qiáng)的減少制造資源（DMS）支持
• 增強(qiáng)產(chǎn)品更改通知
• 資格譜系
• 最先進(jìn)的EPIC- II B ?? BiCMOS設(shè)計(jì)顯著降低功耗
• 閂鎖性能超過(guò)每個(gè)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD-17 500 mA
• 典型V _OLP （輸出接地反彈）＆lt; 1 V V _CC = 5 V，T _A = 25°C
• 上電和斷電期間的高阻狀態(tài)
• 高驅(qū)動(dòng)輸出（?? 32 mA I _OH ，64-mA I _OL ）

符合JEDEC和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的元件認(rèn)證，確保在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。這包括但不限于高加速應(yīng)力測(cè)試（HAST）或偏壓85/85，溫度循環(huán)，高壓釜或無(wú)偏HAST，電遷移，鍵合金屬間壽命和模塑化合物壽命。此類鑒定測(cè)試不應(yīng)被視為超出規(guī)定的性能和環(huán)境限制使用該組件的合理性。
EPIC- II B是德州儀器的商標(biāo)。