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      CSD95372BQ5M 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級

      數(shù)據(jù)：

      描述

      CSD95372BQ5M NexFET功率級的設(shè)計針對高功率，高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器中的使用進(jìn)行了高度優(yōu)化。這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路（IC）和功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）來完善功率級開關(guān)功能。這個組合在小型5mm x 6mm外形尺寸封裝中提供高電流，高效和高速開關(guān)功能。它還集成了準(zhǔn)確電流感測和溫度感測功能，以簡化系統(tǒng)設(shè)計并提高準(zhǔn)確度。此外，已經(jīng)PCB封裝進(jìn)行了優(yōu)化以幫助減少設(shè)計時間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計的完成。

      特性

      • 60A持續(xù)運(yùn)行電流能力
      • 電流30A時，系統(tǒng)效率達(dá)到93.4％
      • 電流30A時，2.8W低功率損耗
      • 高頻運(yùn)行（高達(dá)1.25MHz）
      • 支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式（FCCM）的二極管仿真模式
      • 溫度補(bǔ)償雙向電流感測
      • 模擬溫度輸出（0°C時600mV）
      • 故障監(jiān)控
        • 高端短路，過流和過熱保護(hù)
          • < /ul>
        • 輸入電壓高達(dá)14.5V
        • 與3.3和5V脈寬調(diào)制（PWM）信號兼容
        • 三態(tài)PWM輸入
          • < li>集成型自舉二極管
        • 針對擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時間
        • 高密度小外形尺寸無引線（SON）5mm x 6mm封裝
          • < li>超低電感封裝
        • 系統(tǒng)已優(yōu)化的印刷電??路板（PCB）封裝
        • 雙冷卻封裝
        • 符合RoHS綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛端子鍍層
        • 無鹵素

        應(yīng)用范圍

        • 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器
          • 高頻應(yīng)用< /LI>
          • 高電流，低占空比應(yīng)用
        • 負(fù)載點(diǎn)（POL）直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
        • 內(nèi)存和圖形卡
          • < li>臺式機(jī)和服務(wù)器VR11.x /VR12.x V內(nèi)核和存儲器同步轉(zhuǎn)換器

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

      ?
      VDS (V)
      Power Loss (W)
      Ploss Current (A)
      ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
      Configuration
      Package (mm)
      Operating Temperature Range (C)
      Pin/Package
      CSD95372BQ5M
      20 ? ?
      2.8 ? ?
      30 ? ?
      60 ? ?
      PowerStage ? ?
      SON5x6 PowerStage ? ?
      -55 to 150 ? ?
      12LSON-CLIP ? ?

      技術(shù)文檔

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