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      ISO5452-Q1 ISO5452-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，具有分離輸出

      數(shù)據(jù)：

      描述

      ISO5452-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有分離輸出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 2.25V 至 5.5V 的單電源供電運(yùn)行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至
      30V。兩個(gè)互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時(shí)間保證了對(duì)于輸出級(jí)的精確控制。

      內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測(cè)功能可識(shí)別 IGBT 何時(shí)處于過流狀態(tài)。檢測(cè)到 DESAT 時(shí)，“靜音”邏輯會(huì)立即阻斷隔離器輸出，并啟動(dòng)軟關(guān)斷過程以禁止 OUTH 并將 OUTL 拉至低電平持續(xù)
      2μs。當(dāng) OUTL 達(dá)到 2V 時(shí)（相對(duì)于最大負(fù)電源電勢(shì) VEE2），柵極驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)被“硬”拉至 VEE2 電勢(shì)，從而立即將 IGBT 關(guān)斷。

      當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入?！办o音”邏輯在軟關(guān)斷期間激活。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，并只能在 RDY 變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^ RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

      如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。

      柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制，這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖?，否則該輸出為高電平。

      ISO5452-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

      特性

      • 適用于汽車電子應(yīng)用
      • 具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
        • 器件溫度1級(jí)：-40°C至125°C的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
        • 器件人體模型（HBM）分類等級(jí)3A
        • 器件充電器件模型（CDM）分類等級(jí)C6
      • 共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）
        的最小值為50kV /μs，典型值為100kV /μs（V CM = 1500V時(shí)）
      • 分離輸出，可提供2.5A峰值拉電流和5A峰值灌電流
      • 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
        110ns（最大值）
      • 2A有源米勒鉗位
      • 輸出短路鉗位
      • 短路期間的軟關(guān)斷（STO）
      • 在檢測(cè)到去飽和故障時(shí)通過 FLT 發(fā)??出故障報(bào)警，并通過 RST 復(fù)位
      • 具有就緒（RDY）引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定（UVLO）
      • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
      • 2.25V至5.5V輸入電源電壓
      • 15V至30V輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
      • 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容輸入
      • 抑制短于20ns的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
      • 可承受的浪涌隔離電壓達(dá)10000V PK “
      • 安全及管理認(rèn)證：
        • 符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）：2006-12標(biāo)準(zhǔn)的8000 V PK V IOTM 和1420 V PK V IORM 增強(qiáng)型隔離
        • 符合UL 1577標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá)1分鐘的5700 V RMS 隔離
        • CSA組件驗(yàn)收通知5A，IEC 60950-1和IEC 60601-1終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
        • 符合EN 61010-1和EN [li> GB4943.1-2011 CQC認(rèn)證
        • 已通過UL，VDE，CQC，TUV認(rèn)證并規(guī)劃進(jìn)行CSA認(rèn)證

      應(yīng)用

      • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）驅(qū)動(dòng)器：
        • 混合動(dòng)力汽車（HEV）和電動(dòng)車（EV）電源模塊
        • 工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)
        • 工業(yè)電源
        • 太陽能逆變器
        • 感應(yīng)加熱

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

      ?
      Isolation Rating (Vrms)
      DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
      DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
      Number of Channels (#)
      Power Switch
      Enable/Disable Function
      Output VCC/VDD (Max) (V)
      Output VCC/VDD (Min) (V)
      Input VCC (Min) (V)
      Input VCC (Max) (V)
      Peak Output Current (A)
      Prop Delay (ns)
      Prop Delay (Max) (ns)
      Operating Temperature Range (C)
      Package Group
      ISO5452-Q1 ISO5451-Q1 ISO5851-Q1 ISO5852S-Q1
      5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ? 5700 ? ?
      8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ? 8000 ? ?
      1420 ? ? 1420 ? ? 2121 ? ? 2121 ? ?
      1 ? ? 1 ? ? 1 ? ? 1 ? ?
      SiCFET
      IGBT ? ?      		 IGBT ? ? IGBT ? ? IGBT
      MOSFET ? ?
      N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ? N/A ? ?
      30 ? ? 30 ? ? 30 ? ? 30 ? ?
      15 ? ? 15 ? ? 15 ? ? 15 ? ?
      2.25 ? ? 3 ? ? 3 ? ? 2.25 ? ?
      5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ? 5.5 ? ?
      5 ? ? 5 ? ? 5 ? ? 5 ? ?
      76 ? ? 76 ? ? 76 ? ? 76 ? ?
      110 ? ? 110 ? ? 110 ? ? 110 ? ?
      -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ?
      SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
      元器件購(gòu)買 ISO5452-Q1 相關(guān)庫(kù)存

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