'LVTH16652器件是16位總線收發(fā)器，專為低壓（3.3V）VCC操作而設(shè)計(jì)，但是能夠?yàn)? V系統(tǒng)環(huán)境提供TTL接口。這些器件可用作兩個(gè)8位收發(fā)器或一個(gè)16位收發(fā)器。

提供輸出使能（OEAB和OEBA \）輸入來控制收發(fā)器功能。提供選擇控制（SAB和SBA）輸入以選擇是傳送實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)還是存儲數(shù)據(jù)。低輸入電平選擇實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，高輸入電平選擇存儲數(shù)據(jù)。用于選擇控制的電路消除了在存儲的和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)之間的轉(zhuǎn)換期間在多路復(fù)用器中發(fā)生的典型解碼故障。圖1顯示了可以使用'LVTH16652器件執(zhí)行的四種基本總線管理功能。

A或B總線上的數(shù)據(jù)或兩者都可以通過適當(dāng)時(shí)鐘（CLKAB或CLKBA）輸入的低到高轉(zhuǎn)換存儲在內(nèi)部D觸發(fā)器中，無論其電平如何在選擇控制或輸出使能輸入上。當(dāng)SAB和SBA處于實(shí)時(shí)傳輸模式時(shí)，通過同時(shí)啟用OEAB和OEBA \，也可以在不使用內(nèi)部D型觸發(fā)器的情況下存儲數(shù)據(jù)。在此配置中，每個(gè)輸出都會增強(qiáng)其輸入。當(dāng)兩組總線的所有其他數(shù)據(jù)源都處于高阻態(tài)時(shí)，每組總線保持其最后一級配置。

當(dāng)VCC介于0和1.5 V之間時(shí)，器件在上電或斷電期間處于高阻態(tài)。但是，為了確保1.5 V以上的高阻態(tài)，OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到VCC，OE應(yīng)通過下拉電阻連接到GND;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收/電流源功能決定。

提供有源總線保持電路，用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動(dòng)數(shù)據(jù)輸入。

使用Ioff和上電3狀態(tài)為熱插入應(yīng)用程序完全指定了這些設(shè)備。 Ioff電路禁用輸出，防止在斷電時(shí)損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間，上電三態(tài)電路將輸出置于高阻態(tài)，從而防止驅(qū)動(dòng)器沖突。

SN54LVTH16652的特點(diǎn)是可在-55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。 SN74LVTH16652的工作溫度范圍為-40°C至85°C。

Widebus是德州儀器公司的商標(biāo)。

• 德州儀器WidebusTM家庭成員
• 用于3.3V工作和低靜態(tài)功耗的最先進(jìn)的先進(jìn)BiCMOS技術(shù)（ABT）設(shè)計(jì)
• 支持混合模式信號操作（具有3.3VV的5V輸入和輸出電壓）CC）
• 支持低至2.7 V的未調(diào)節(jié)電池工作
• 典型VOLP（輸出接地反彈）＆lt; 0.8 V，VCC= 3.3 V，TA= 25°C
• Ioff和上電3 - 狀態(tài)支持熱插入
• 數(shù)據(jù)輸入上的總線保持消除了對外部上拉/下拉電阻的需求
• 分布式VCC和GND引腳配置最小化 - 速度切換噪聲
• 流通式架構(gòu)優(yōu)化PCB布局
• 每個(gè)JESD 17的閂鎖性能超過500 mA
• ESD保護(hù)每MIL-STD超過2000 V -883，方法3015;使用機(jī)器型號超過200 V（C = 200 pF，R = 0）
• 封裝選項(xiàng)包括塑料收縮小外形（DL）和薄收縮小外形（DGG）封裝和380密耳精細(xì) - 使用25密耳中心到中心間距的間距陶瓷扁平（WD）封裝