RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。瑞樂(lè)提 供核心的 DUAL SHIELD 技術(shù)，具有強(qiáng)抗干擾能力，可實(shí)現(xiàn)在干法刻蝕環(huán) 境中正常工作，精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)刻蝕工藝溫度；結(jié)合核心的 TEMP-BLOCK 技術(shù)， 可實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境中，精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)制程溫度。
【應(yīng)用范圍】PVD(物理氣相沉積)、CVD(化學(xué)氣相沉積)、全自 動(dòng)涂膠顯影TRACK設(shè)備、無(wú)線測(cè)溫設(shè)備場(chǎng)景
【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. ±0.05℃高精度測(cè)溫監(jiān)測(cè)：RTD傳感器能夠提供高精度的溫度讀數(shù)，確保半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟能夠在最佳溫度下進(jìn)行，從而保證產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。
2. 實(shí)時(shí)測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)獲取：通過(guò)RTD Wafer，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓在熱處理和刻蝕過(guò)程中的溫度變化，實(shí)現(xiàn)即時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，優(yōu)化生產(chǎn)效率。
3. 測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力：測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過(guò)軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù)，提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。
4.支持過(guò)程調(diào)整與驗(yàn)證：通過(guò)分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件，以確保最佳性能。
5.全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè)：在晶圓上支持多達(dá)81個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)，從而獲得全面的熱分布圖。
【參數(shù)配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 測(cè)溫元件 | RTD |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 1-17 | 晶圓材質(zhì) | 硅片 / 藍(lán)寶石等 |
溫度范圍 | 10-250℃ | 通信方式 | 無(wú)線通信傳輸 |
溫度精度 | ±0.5℃ | 采樣頻率 | 1Hz/2Hz |
sensor to sensor | ＜ 0.5℃ | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
測(cè)溫軟件 | 測(cè)溫專用軟件，實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖 | ||
4.TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
TC Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。
【應(yīng)用范圍】
物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設(shè)備、晶圓臨時(shí)鍵合、涂膠顯影 TRACK 設(shè)備、 加熱板、加熱盤(pán)
【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. 1200℃耐高溫測(cè)量：熱電偶傳感器能夠承受1200℃的溫度，TC Wafer適合用于監(jiān)控在極端溫度條件下進(jìn)行的半導(dǎo)體制造過(guò)程。
2. 溫度精確實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)：TC Wafer可提供晶圓上特定位置的準(zhǔn)確溫度數(shù)據(jù)。
3. 詳細(xì)溫度分布圖：通過(guò)在晶圓上布置多個(gè)點(diǎn)來(lái)收集溫度數(shù)據(jù)，TC Wafer能夠提供整個(gè)晶圓的溫度分布情況，幫助識(shí)別不均勻加熱或冷卻的問(wèn)題。
4. 瞬態(tài)溫度跟蹤：TC Wafer能夠捕捉到快速變化的溫度動(dòng)態(tài)，如升溫、降溫、恒溫過(guò)程以及延遲時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)的變化，為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。
5. 支持過(guò)程控制與優(yōu)化：持續(xù)監(jiān)控晶圓在熱處理過(guò)程中的溫度變化有助于工程師調(diào)整工藝參數(shù)，提高生產(chǎn)效率并確保產(chǎn)品質(zhì)量。
6. 適用于多種晶圓尺寸：TC Wafer的設(shè)計(jì)使其能夠適用于不同直徑的晶圓，包括2英寸和大至12英寸的晶圓，滿足各種制造需求。
【參數(shù)配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圓材質(zhì) | 硅片 / 藍(lán)寶石等 |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 1-34 | 線長(zhǎng) | L1- 腔體內(nèi)部；L2- 倉(cāng)門(mén)過(guò)渡段；L3- 腔體外部 |
測(cè)溫元件 | TC | 采樣頻率 | 1Hz |
TC 線徑 | 0.127mm/0.254mm | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
溫度范圍 | K 型：RT~1200℃;R/S 型：RT~1200℃;T 型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃ | ||
溫度精度 | K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃ | ||
