--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Wafer 尺寸 8”、12”
- 晶圓材質(zhì) 硅片
- 測(cè)溫點(diǎn)數(shù) 53 點(diǎn) /65點(diǎn)/ 81 點(diǎn) / 可定制測(cè)溫點(diǎn)
- 厚度 1.2mm
- 溫度范圍 干法刻蝕15-100℃ 低溫刻蝕-40-40℃
- 溫度范圍 濕法清洗15-120℃ 高溫版刻蝕15-128℃
- 溫度精度 0.1℃/0.2℃
- 充電方式 無(wú)線充電
- 采樣頻率 1Hz/2Hz/4Hz
- 測(cè)溫元件 IC
--- 產(chǎn)品詳情 ---
On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。包括以下產(chǎn)品:
On Wafer WLS-EH 刻蝕無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
On Wafer WLS-CR-EH 低溫刻蝕無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
On Wafer WLS-WET 濕法無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
On Wafer WLS-WET-H 濕法無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
【應(yīng)用場(chǎng)景】濕法清洗、干法刻蝕
【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. 無(wú)線測(cè)溫采集:傳感器無(wú)需有線連接即可傳輸數(shù)據(jù),滿足晶圓在復(fù)雜性狀況下通過(guò)無(wú)線通信方式進(jìn)行溫度測(cè)量。
2. 實(shí)時(shí)測(cè)溫監(jiān)測(cè):系統(tǒng)可以提供實(shí)時(shí)溫度讀數(shù),通過(guò)測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)觀察晶圓在工藝過(guò)程中的溫度變化過(guò)程。
3. 滿足高精度測(cè)量:采用高精度溫度傳感器確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,晶圓生產(chǎn)過(guò)程中精確控制工藝條件至關(guān)重要。
4. 測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力:測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過(guò)軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù),提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。
5. 支持過(guò)程調(diào)整與驗(yàn)證:通過(guò)分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件,以確保最佳性能。
6. 全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè):在晶圓上支持多達(dá)128個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè),從而獲得全面的熱分布圖。
【參數(shù)配置】
Wafer 尺寸 | 8”、12” | 厚度 | 1.2mm |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 53 點(diǎn) /65點(diǎn)/ 81 點(diǎn) / 可定制測(cè)溫點(diǎn) | 晶圓材質(zhì) | 硅片 |
溫度范圍 | 干法刻蝕15-100℃ 低溫刻蝕-40-40℃ 濕法清洗15-120℃ 高溫版刻蝕15-128℃ 高溫版清洗15-150℃ | 通信方式 | 無(wú)線通信傳輸 |
溫度精度 | 0.1℃/0.2℃ | 充電方式 | 無(wú)線充電 |
sensor to sensor | < 0.2℃ | 采樣頻率 | 1Hz/2Hz/4Hz |
測(cè)溫元件 | IC | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
測(cè)溫軟件 | 無(wú)線測(cè)溫專用軟件,實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖 |
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