TC Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。
【應(yīng)用范圍】
物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設(shè)備、晶圓臨時(shí)鍵合、涂膠顯影 TRACK 設(shè)備、 加熱板、加熱盤
【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. 1200℃耐高溫測(cè)量：熱電偶傳感器能夠承受1200℃的溫度，TC Wafer適合用于監(jiān)控在極端溫度條件下進(jìn)行的半導(dǎo)體制造過(guò)程。
2. 溫度精確實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)：TC Wafer可提供晶圓上特定位置的準(zhǔn)確溫度數(shù)據(jù)。
3. 詳細(xì)溫度分布圖：通過(guò)在晶圓上布置多個(gè)點(diǎn)來(lái)收集溫度數(shù)據(jù)，TC Wafer能夠提供整個(gè)晶圓的溫度分布情況，幫助識(shí)別不均勻加熱或冷卻的問(wèn)題。
4. 瞬態(tài)溫度跟蹤：TC Wafer能夠捕捉到快速變化的溫度動(dòng)態(tài)，如升溫、降溫、恒溫過(guò)程以及延遲時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)的變化，為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。
5. 支持過(guò)程控制與優(yōu)化：持續(xù)監(jiān)控晶圓在熱處理過(guò)程中的溫度變化有助于工程師調(diào)整工藝參數(shù)，提高生產(chǎn)效率并確保產(chǎn)品質(zhì)量。
6. 適用于多種晶圓尺寸：TC Wafer的設(shè)計(jì)使其能夠適用于不同直徑的晶圓，包括2英寸和大至12英寸的晶圓，滿足各種制造需求。
【參數(shù)配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圓材質(zhì) | 硅片 / 藍(lán)寶石等 |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 1-34 | 線長(zhǎng) | L1- 腔體內(nèi)部；L2- 倉(cāng)門過(guò)渡段；L3- 腔體外部 |
測(cè)溫元件 | TC | 采樣頻率 | 1Hz |
TC 線徑 | 0.127mm/0.254mm | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
溫度范圍 | K 型：RT~1200℃;R/S 型：RT~1200℃;T 型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃ | ||
溫度精度 | K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃ | ||
測(cè)溫軟件 | 測(cè)溫專用軟件，實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖 | ||
