因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
金屬熱蒸鍍設(shè)備 Metal Thermal
熱蒸發(fā)是物理氣相沉積 PVD 中最常用方法, 也是 PVD 最簡單的形式之一. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法最為常見的. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法, 以電流通過其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料, 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時, 材??料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上.
上海伯東代理的熱蒸鍍設(shè)備可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于+/- 3％, 使用美國 KRi 離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
上海伯東金屬熱蒸鍍設(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn):
客制化的基板尺寸, 最大直徑為 12寸晶圓或 470 x 370 mm2 (玻璃)
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和蒸發(fā)源
優(yōu)異的薄膜均勻度小于±3％
具有順序操作或共沉積的多個蒸發(fā)源
基板可加熱到 800°C
利用載臺旋轉(zhuǎn)來改善薄膜沉積之質(zhì)量
基板至蒸發(fā)源之間距為可調(diào)式的
每個蒸發(fā)源和基材均有安裝遮板
金屬熱蒸鍍設(shè)備基本參數(shù):
| 系統(tǒng)類型 | 超高真空 | 高真空 | 高真空緊湊型 |
| 腔室設(shè)計 | 鎳墊圈密封 | O型圈密封 | O型圈密封 |
| 極限真空 | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 一些密封圈 | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| Load-lock | 標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn) | 可選 |
| 蒸發(fā)源 | 舟型或坩堝 7-25 cc | 舟型或坩堝 7-25 cc | 舟型或坩堝 7-25 cc |
| 基板 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 | 2-4 英寸 加熱 / 水冷 |
| 真空泵 | 低溫泵 / 分子泵 冷阱設(shè)計 | 低溫泵 / 分子泵 冷阱設(shè)計 | 分子泵和油泵 |
| 監(jiān)控 | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM |
| 工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
| 供氣 | 氮?dú)?/td> | 氮?dú)?/td> | 氮?dú)?/td> |
| 手套箱連接 | 可選 | 可選 | 可選 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和蒸發(fā)源
腔體的極限真空度約為 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合 KRi 離子源, 濺鍍槍, 電子束, 等離子清潔...
基板冷卻
殘留氣體分析儀
應(yīng)用領(lǐng)域
金屬材料研究
納米薄膜
太陽能電池
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