小型考夫曼離子源,真空鍍膜離子源

離子源

型號： KDC 10

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)

KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計(jì), 低成本等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標(biāo)準(zhǔn)配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)

KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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