I.引言

DDR SDRAM的原理及特點(diǎn)：DDR SDRAM不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，因?yàn)樗试S在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀寫數(shù)據(jù)。至于地址和控制信號(hào)，還是跟傳統(tǒng)的SDRAM一樣，在時(shí)鐘的上升沿進(jìn)行傳輸。

DDR （Double Data Rate SDRAM），能夠以相同頻率SDRAM的兩倍來(lái)傳輸數(shù)據(jù)，每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩次數(shù)據(jù)，它在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元工作在相同的時(shí)鐘頻率下，但是內(nèi)部總線加寬，從內(nèi)部陣列到緩存之間的總線寬度是外部總線（buffer）到控制器）的兩倍，使得緩存到控制器的數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到內(nèi)部存儲(chǔ)單元工作頻率的兩倍。存儲(chǔ)單元內(nèi)部使用一個(gè)很寬但較慢的總線，但當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇刂破鲿r(shí)使用了一個(gè)較窄但是快速的總線。I/0口的控制電路對(duì)存儲(chǔ)器的總體控制和時(shí)序具有極大的影響。

在DDR的讀取過(guò)程中，需要考慮的有兩個(gè)主要類型的延遲。第一類的是連續(xù)的DRAM讀操作之間的延遲。DDR不可能在進(jìn)行完一個(gè)讀取操作之后就立刻進(jìn)行第兩個(gè)讀取操作，因?yàn)樽x取操作包括電容器的充電和放電另外還包括把信號(hào)傳送出去的時(shí)間，所以在兩個(gè)讀取操作中間至少留出足夠的時(shí)間進(jìn)行這些方面的操作。第二種延遲類型是叫做內(nèi)部讀取延遲（inside-the-read）。這種延遲同同兩次讀取操作之間的延遲非常的相似，但是不是由停止 /RAS和/CAS激活而產(chǎn)生的，而是由于要激活 /RAS和/CAS而產(chǎn)生的。比如，行存取時(shí)間（tRAC）－－它就是在你激活RAS和數(shù)據(jù)最終出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線之間的時(shí)間。同樣的列存取時(shí)間（tCAC）就是激活 /CAS引腳和數(shù)據(jù)最終出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上之間的時(shí)間。

DDR SDRAM 控制器是一個(gè)可配置的，用戶可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要，靈活修改數(shù)據(jù)寬度、脈沖傳輸速率和 CAS 等待時(shí)間的設(shè)置。另外，DDR 控制器還支持組塊管理，這是通過(guò)維護(hù)一個(gè)所有組塊均被激活以及每一組塊行激活的功能來(lái)實(shí)現(xiàn)的。DDR SDRAM 控制器通過(guò)這些信息決定是否需要一個(gè)激活命令或預(yù)充電命令。這有效縮短了 DDR SDRAM 接受讀寫命令的等待時(shí)間。

II.控制器總體框圖：

圖2中DATAIN、DATAOUT分別是輸入、輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，CMD信號(hào)為用戶對(duì)DDR SDRAM進(jìn)行的操作，可以支持NOP、WRITEA 、READA、REFRESH、PRECHARGE、LOAD_MODE命令。CS_N為片選信號(hào)，RAS_N、CAS_N分別為SDRAM的行選通、列選通信號(hào)。

圖2：DDR控制器的總體框圖

III.DDR 控制器主要模塊

DDR控制器主要是由Control interface 模塊、Data path模塊以及Command interface模塊組成，另外還包括FPGA上的DLL模塊，如圖3所示。

Control interface模塊主要是對(duì)來(lái)自用戶的command進(jìn)行保存、譯碼，可支持NOP、WRITEA 、READA、REFRESH、PRECHARGE、LOAD_MODE命令。Control interface模塊將Command信號(hào)和地址ADDR信號(hào)同時(shí)送到Command interface模塊中，同時(shí)產(chǎn)生地址選通信號(hào)CA_N。

Command interface模塊接收來(lái)自Control interface模塊的譯碼的命令，對(duì)DDR SDARM產(chǎn)生相應(yīng)的操作，即上面的6種命令。Command interface模塊里還包含一個(gè)簡(jiǎn)單的仲裁器，用于對(duì)Command和refresh要求的仲裁。refresh要求總是優(yōu)先于任何一個(gè)Command。有16 bits 的 refresh counter寄存器用于自動(dòng)refresh。

Data path模塊提供DDR和user interface之間的數(shù)據(jù)通路，通過(guò)對(duì)path width配置，可支持16、32、64的數(shù)據(jù)寬度。 burst length可以配置成是2、4、8。 Data path模塊的數(shù)據(jù)寬度是DDR SDRAM的兩倍，在時(shí)鐘的上下沿都對(duì)DDR SDRAM進(jìn)行操作。同時(shí)Data path模塊產(chǎn)生DQS信號(hào)，即在寫操作的時(shí)候Data path模塊對(duì)寫入DDR SDRAM的數(shù)據(jù)按照要求進(jìn)行選通。如圖中Data Strobe所示。

圖3：DDR 控制器內(nèi)部控制模塊

此外，DDR SDRAM 控制器還利用了FPGA內(nèi)部的DLL模塊，給系統(tǒng)提供了2個(gè)時(shí)鐘CLK 和CLK2X，并且可以改善時(shí)鐘性能，減少時(shí)鐘抖動(dòng)，改善了系統(tǒng)的性能。

IV讀寫波形

圖4：讀數(shù)據(jù)波形圖 圖5：寫數(shù)據(jù)波形

圖4、圖5是用采用Mentor modelsim 得到的仿真波形，是典型的讀寫波形，時(shí)鐘頻率為100MHz。

V系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)及結(jié)論

DDR SDRAM 控制器在 Xilinx公司的XC2V1000 FPGA上實(shí)現(xiàn)，綜合后使用了798個(gè)邏輯單元，在數(shù)據(jù)寬度為64，系統(tǒng)時(shí)鐘為100Mhz的工作環(huán)境下，最高可達(dá)到1.6Gbytes/s的速率。使用的DDR SDRAM是Toshiba的TC59WM803BFT。

本文給出了基于FPGA的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)。DDR SDRAM 控制器是一個(gè)可配置的，用戶可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要，靈活修改數(shù)據(jù)寬度和 CAS 等待時(shí)間的設(shè)置?？蓮V泛用于高速的DDR SDRAM中，提高系統(tǒng)的性能。

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