（電子發(fā)燒友原創(chuàng)? 文/章鷹）近日，美國(guó)Power Integrations公布了截至2022年3月31日的季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，第一季度的營(yíng)業(yè)收入為1.821億美元，同比增長(zhǎng)5%。第一季度的凈利潤(rùn)為
2022-05-16 09:09:33
5879 美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:012901 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)
2025-01-14 09:42:281902 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)。基于這些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442725 Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級(jí)SID1181KQSCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動(dòng)器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:003701 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
PI看到了電動(dòng)車的這個(gè)發(fā)展趨勢(shì)，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:226765 中國(guó)上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:551734 
?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平
2024-11-05 10:56:55863 
鎵開關(guān)IC，這是業(yè)內(nèi)首款高達(dá)1700V的氮化鎵開關(guān)IC。新品一出，PI再次成為在氮化鎵領(lǐng)域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業(yè)。 PI的功率變換開關(guān)持續(xù)迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初級(jí)開關(guān)的汽車級(jí)高壓開關(guān)電源IC，彼時(shí)，該產(chǎn)品以高輸入電壓，高輸出
2024-11-18 08:57:006138 
1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)符合IEC 60664-1絕緣標(biāo)準(zhǔn) ? ? 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞， 2024 年 12 月 18 日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域
2024-12-20 17:50:01980 
電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出TinySwitch?-5，將廣受歡迎的集成離線式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的輸出功率擴(kuò)展至175W
2025-03-18 11:24:29720 
功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334725 
（Power Integrations）推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)IC實(shí)現(xiàn)。 ? 從12V 到800V ：解讀電動(dòng)汽車高壓化背后的電源革命難題 與新能源汽車相比，傳統(tǒng)燃油汽車跟電源管理相關(guān)應(yīng)用的電壓等級(jí)相
2025-05-16 18:21:297525 
DER-937是一款采用高度集成的升壓PFC和氮化鎵反激式開關(guān)IC設(shè)計(jì)的100W USB PD充電器，總共僅使用117個(gè)元件深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓?！ ∫虼?，沒有必要再采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷！ ?. VD
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
新品發(fā)布|業(yè)界首款！潤(rùn)開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的智能硬件開發(fā)平臺(tái)HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評(píng)估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅(qū)動(dòng)電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
驅(qū)動(dòng)1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過對(duì)幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40 Power Integrations再次推出新的TOPSwitch?-HX系列離線式開關(guān)IC
Power Integrations公司宣布為其廣受歡迎的TOPSwitch-HX系列AC-DC功率轉(zhuǎn)換IC推出全
2008-08-18 09:48:01841 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布推出其HiperPLC(名稱涵義為高功率、功率因數(shù)校正、LLC及控制器)系列電源控制器IC。HiperPLC是高度集成、高
2008-11-13 10:05:111045 Power Integrations新推出的參考設(shè)計(jì)可滿足最新的ENERGY STAR音頻放大器電源待機(jī)功率規(guī)范
PeakSwitch?集成PSU控制器 / MOSFET IC，可為5.1通道家庭
2009-05-29 00:01:13931 Power Integrations 實(shí)現(xiàn)能效高達(dá)92%、最大功率 150 W 的LED 路燈電源設(shè)計(jì)
用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations 公
2009-06-21 12:25:03799 Power Integrations 的能效計(jì)算器將幫助設(shè)計(jì)師克服外部電源標(biāo)準(zhǔn)的困擾
用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations
2009-06-21 12:26:56858 Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX電源轉(zhuǎn)換IC
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個(gè)725V功率
2010-03-05 10:41:231359 集成控制器和MOSFET的新型TOPSwitch-JX
Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個(gè)725 V功率MOSFET
2010-03-09 10:34:42887 日前，用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）宣布，推出使用其新近發(fā)布的TOPSwitch-JX IC產(chǎn)品系列設(shè)計(jì)的兩款
2010-07-22 09:56:291255 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司日前推出集成
2010-10-15 09:15:041856 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET
2010-11-11 08:48:52831 Power Integrations公司日前宣布推出一款適用于高壓應(yīng)用的高集成度電源IC產(chǎn)品系列 - HiperTFS。HiperTFS系列器件是唯一一款
2010-11-15 08:53:351024 MXIM推出MAX12005，業(yè)界首款8 × 4衛(wèi)星中頻開關(guān)IC可擴(kuò)充到允許多達(dá)16個(gè)衛(wèi)星信號(hào)。高度集成，MAX12005非常靈活，一個(gè)空間受限的范圍廣，如果分配和多路開關(guān)應(yīng)用衛(wèi)星的適應(yīng)性。
2011-01-14 09:52:00811 Power Integrations公司近日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器以及兩個(gè)MOSFET同時(shí)集成到了一個(gè)低成本封裝中
2011-09-15 10:01:501209 Power Integrations公司日前推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器以及兩個(gè)MOSFET同時(shí)集成到了一個(gè)低成本封裝中
2011-09-23 09:17:451635 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持 14 個(gè)電源電壓軌的汽車電源管理集成電路 (PMIC)。作為業(yè)界首款支持超過 10 個(gè)電壓軌的汽車 PMIC
2011-10-26 09:45:51976 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
2013-06-05 10:17:191608 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2013年11月12日訊 – 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布推出HiperTFS
2013-11-13 14:53:531980 2014年7月23日，用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）宣布推出其LinkSwitch?-3系列高度集成的單片開關(guān)IC。
2014-07-30 09:16:461828 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布一類全新的電源IC。
2014-11-13 10:39:332885 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2015年1月28日訊 — 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布LinkSwitch?-4系列恒壓/恒流初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)（PSR）開關(guān)IC。
2015-01-29 15:37:072312 SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 09:29:312449 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2016年4月12日訊 — 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?-CE IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC的子系列。
2016-04-13 09:38:131654 Power Integrations公司4月12日發(fā)布InnoSwitch-CEIC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線A反激式開關(guān)IC的子系列。InnoSwitch-CEIC適用于TEC法規(guī)相關(guān)的消費(fèi)電子應(yīng)用（TEC法規(guī)是由政府認(rèn)定的重要總能耗法規(guī)）。
2016-04-13 17:16:203301 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:093406 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174504 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:376278 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC
2018-10-24 11:40:015128 深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)POWI）近日發(fā)布一系列集成了900 V初級(jí)MOSFET的離線式開關(guān)電源IC。新發(fā)布的器件既
2019-05-14 08:38:244540 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）宣布其200 V Qspeed?二極管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ
2019-09-16 10:23:003615 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級(jí)SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅(qū)動(dòng)器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動(dòng)器IC之后，新器件擴(kuò)展了公司的汽車級(jí)驅(qū)動(dòng)器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:003483 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations宣布其InnoSwitch?3-MX隔離式開關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴(kuò)大陣容，再添三款全新PowiGaN?器件。
2020-04-23 23:03:013020 。 該板有三個(gè)輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達(dá)62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關(guān)，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:033834 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國(guó)外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC。新IC可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
2022-02-15 11:45:531476 Power Integrations今日發(fā)布兩款新器件，為InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品系列新添兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)
2022-02-16 14:10:122674 APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出內(nèi)部集成750V PowiGaN?氮化鎵開關(guān)
2022-03-22 12:44:091730 Power Integrations （PI）發(fā)布了兩款新的符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定耐壓1700V的IC，為其InnoSwitch?3-AQ產(chǎn)品系列再添新成員。
2022-05-07 16:14:452490 
隨著充電速度的提高，800V電池正在成為電動(dòng)汽車的標(biāo)準(zhǔn)配置。PI的符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的InnoSwitch3-AQ系列開關(guān)IC現(xiàn)已推出額定電壓1700V的衍生新品，其內(nèi)部集成碳化硅（SiC）初級(jí)開關(guān)MOSFET，可使靈敏控制電路安全地從800V電池中取電。
2022-07-06 15:29:033358 Power Integrations （PI） 宣布為其 InnoSwitch?3-AQ 系列新增兩款 1700 伏額定 AEC-Q100 合格 IC。新的解決方案包括用于汽車級(jí)開關(guān)電源的碳化硅
2022-07-29 08:07:272204 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:069 8月，比利時(shí)增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）MicroLED廠商MICLEDI宣布推出業(yè)界首款集成微透鏡的MicroLED器件，可用于像素級(jí)光束整形（beam shaping），該器件是基于MICLEDI專有的300mm CMOS制作平臺(tái)打造。
2022-08-30 15:05:331322 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出InnoSwitch?4-Pro系列可數(shù)字控制的離線恒壓/恒流零電壓開關(guān)
2022-11-15 21:40:221397 Power Integrations今天推出InnoSwitch4-Pro系列可數(shù)字控制的離線恒壓/恒流零電壓開關(guān)(ZVS)反激式IC，可大幅縮減電源適配器的尺寸。這些高度集成的器件采用穩(wěn)定耐用
2022-11-16 11:44:371058 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-28 17:50:151160 
安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191214 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規(guī)格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動(dòng)安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:191306 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
耐壓的半導(dǎo)體器件。近期，深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)宣布推出900V耐壓的氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。 據(jù)了解，新IC采用該公司特有的PowiGaN技術(shù)，使用獨(dú)
2023-03-30 11:48:451624 前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552105 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長(zhǎng)等，對(duì)提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:071151 
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC
2023-10-31 11:12:521146 、1700V碳化硅開關(guān)以及其它衍生出的750V、900V和現(xiàn)在1250V耐壓的PowiGaN開關(guān)。 Power Integrations專有的1250V PowiGaN技術(shù)的開關(guān)損耗不到相同電壓下同等硅器件開關(guān)損耗的三分之一
2023-10-31 16:54:486323 新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵(GaN)電源IC，采用1,250 V
2023-11-02 17:21:001833 11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183075 
深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)
2023-12-14 11:37:101162 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:041174 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日宣布推出InnoSwitch?5-Pro系列高效率、可數(shù)字控制的反激式開關(guān)IC
2024-02-01 15:01:591039 power Integrations最近推出了InnoSwitch4-QR系列高頻準(zhǔn)諧振反激式開關(guān)IC，新器件適用于高達(dá)220W的緊湊型充電器和適配器應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-05-30 11:06:521743 
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。
2024-11-05 13:40:571067 PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日，Power Integrations(以下簡(jiǎn)稱PI)宣布推出InnoMux?-2系列單
2024-11-15 11:09:551395 
在剛剛結(jié)束的德國(guó)慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC，采用PI專有
2024-11-26 11:35:061179 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221225 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581002 近日，加利福尼亞州圣何塞——專注于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日宣布，其最新版本的MotorXpert?軟件
2025-02-19 18:10:341137 在全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關(guān)集成電路，專門為800V電動(dòng)汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此款新產(chǎn)品
2025-05-28 11:42:09650 
兩款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031 
傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)?、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告 I. 緒論：高壓電力電子系統(tǒng)對(duì)輔助電源的嚴(yán)苛要求 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體
2025-10-14 15:06:06457 
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)，展示了其經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98
2025-10-14 15:34:13805 
Power Integrations正利用其高壓PowiGaN技術(shù)，助力新興800VDC數(shù)據(jù)中心總線架構(gòu)的發(fā)展。作為已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開關(guān)的重點(diǎn)供應(yīng)商，PI正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向800VDC供電和兆瓦級(jí)機(jī)架的轉(zhuǎn)型。
2025-11-20 16:49:471157
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