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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET

      SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET

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      新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

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      安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性
      2025-06-16 16:40:051229

      安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

      和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。
      2025-06-13 10:01:291350

      國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

      隨著新能源、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，輔助電源對(duì)高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度
      2025-06-09 17:21:23506

      Power Integrations發(fā)布1700 V SiC開關(guān)集成電路，專為800 V電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)

      在全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關(guān)集成電路，專門為800V電動(dòng)汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此款新產(chǎn)品
      2025-05-28 11:42:09650

      東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

      東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
      2025-05-22 14:51:22901

      聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

      在全球新能源汽車加速普及的今天，續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn)，高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切，1200V SiC功率器件成為行業(yè)競(jìng)相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)。在這一趨勢(shì)下
      2025-05-14 17:55:021060

      Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

      Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
      2025-05-12 16:06:34897

      Power Integrations的1700V開關(guān)IC為800V純電動(dòng)汽車 提供可靠性和節(jié)省空間的優(yōu)勢(shì)

      功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch
      2025-05-08 14:30:334723

      LP8728副邊控制反激PWM控制器，集成 650V 高壓 MOSFET

      LP8728是一款適合于副邊控制反激應(yīng)用的PWM控制器，集成 650V 高壓 MOSFET。PWM 工作狀態(tài)時(shí)，采用峰值電流控制模式，并且在中載以下開始降低頻率以提升平均效率，在輕載或者空載時(shí)，系統(tǒng)
      2025-04-27 09:35:390

      方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能國際峰會(huì)暨展覽會(huì)

      近日，在2025年第十三屆儲(chǔ)能國際峰會(huì)暨展覽會(huì)上，深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講，發(fā)布了“750V/650V中壓SiC MOS產(chǎn)品系列 & SiC功率模塊新品”，之后介紹了方正微SiC全系產(chǎn)品。
      2025-04-12 15:56:021524

      2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

      由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要
      2025-03-14 11:01:15793

      BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

      本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管
      2025-03-09 16:58:52797

      BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

      該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器集成
      2025-03-09 16:38:10731

      微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片LPD2106

      輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達(dá)650V，開關(guān)節(jié)點(diǎn)動(dòng)態(tài)能力支持達(dá)50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護(hù)功能，集成了輸入最小
      2025-03-08 10:11:281248

      GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
      2025-03-07 16:45:55748

      GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
      2025-03-07 15:46:54909

      內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

      內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
      2025-03-05 10:09:23890

      超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

      隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
      2025-03-01 08:53:441053

      SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      ：SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 通過 AEC-Q101 認(rèn)證 TO-263-2 封裝 超快速
      2025-02-28 18:21:04899

      SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
      2025-02-28 17:52:15811

      SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
      2025-02-28 17:21:08850

      SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
      2025-02-28 17:12:48792

      SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
      2025-02-27 18:25:13833

      SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、全隔離封裝便于直接散熱、100% 經(jīng)過 UIS 測(cè)試等特性。封裝形式為TO - 220F - 2。 *附件：SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基
      2025-02-27 17:59:06713

      SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2，具有超
      2025-02-27 17:32:44805

      SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2，具備超快速
      2025-02-27 17:11:28674

      Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用效率

      40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
      2025-02-27 12:49:35763

      SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
      2025-02-26 18:01:16854

      SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
      2025-02-26 17:40:46774

      SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
      2025-02-26 17:25:48806

      SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
      2025-02-26 17:07:13727

      SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
      2025-02-26 16:54:52783

      SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS
      2025-02-25 18:13:42813

      SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
      2025-02-25 17:44:07772

      SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
      2025-02-25 17:23:30763

      SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
      2025-02-25 17:03:23871

      SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
      2025-02-25 16:01:30888

      SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

      P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)
      2025-02-25 15:44:15791

      SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

      P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
      2025-02-25 14:18:58844

      國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析

      ) B3M040065Z （650V/67A）和 B3M040120Z （1200V/64A）的耐壓能力均適配該需求，且冗余設(shè)計(jì)增強(qiáng)可靠性。 高頻性能優(yōu)勢(shì) SiC MOSFET的快速開關(guān)特性（如 B3M040120Z 的開關(guān)延遲僅12ns，關(guān)斷延
      2025-02-24 22:30:201065

      技術(shù)文檔：LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

      LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-24 10:43:28987

      技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET

      LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-24 10:21:011089

      技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

      LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-24 09:18:47923

      LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

      LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-21 14:37:23727

      LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

      LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
      2025-02-21 14:14:05805

      TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

      LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-20 16:54:57881

      TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V 170mΩ GaN FET

      LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-20 16:35:36829

      ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

      具有廣泛的應(yīng)用前景。ROHM此次量產(chǎn)的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封裝的650V耐壓GaN HEMT，為市場(chǎng)提供
      2025-02-18 10:03:531191

      AMEYA360代理：羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱
      2025-02-17 15:42:22673

      650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

      ~同時(shí)加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
      2025-02-13 14:29:18779

      650V碳化硅MOSFET在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案

      650V碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
      2025-02-08 07:56:071202

      為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案

      基本公司的門極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)需求。 BASiC基本公司低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓
      2025-02-06 11:54:031032

      為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

      650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
      2025-01-23 16:27:431780

      SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

      近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
      2025-01-23 15:46:58994

      SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

      近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
      2025-01-22 11:03:221221

      40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

      BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
      2025-01-22 10:43:28

      泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作推進(jìn)1700V GaN器件

      近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測(cè)試與評(píng)估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
      2025-01-20 11:07:33962

      高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

      JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
      2025-01-16 14:16:081124

      PI公司1700V氮化鎵產(chǎn)品直播預(yù)告

      PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
      2025-01-15 15:41:09898

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)
      2025-01-14 09:42:281899

      NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

      NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
      2025-01-07 10:58:261543

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