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      SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET

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      BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

      本產(chǎn)品是面向工業(yè)設備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管
      2025-03-09 16:58:52797

      BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

      該產(chǎn)品是工業(yè)設備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器集成
      2025-03-09 16:38:10731

      微源半導體推出650V半橋柵極驅(qū)動芯片LPD2106

      輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達650V，開關節(jié)點動態(tài)能力支持達50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護功能，集成了輸入最小
      2025-03-08 10:11:281248

      GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

      GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
      2025-03-07 16:45:55748

      GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

      GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
      2025-03-07 15:46:54909

      內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

      內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
      2025-03-05 10:09:23890

      超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

      隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
      2025-03-01 08:53:441053

      SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      ：SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 TO-263-2 封裝 超快速
      2025-02-28 18:21:04899

      SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
      2025-02-28 17:52:15811

      SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正
      2025-02-28 17:21:08850

      SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
      2025-02-28 17:12:48792

      SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
      2025-02-27 18:25:13833

      SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、全隔離封裝便于直接散熱、100% 經(jīng)過 UIS 測試等特性。封裝形式為TO - 220F - 2。 *附件：SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基
      2025-02-27 17:59:06713

      SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封裝形式為 TO - 220I - 2，具有超
      2025-02-27 17:32:44805

      SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。封裝形式為 TO - 220 - 2，具備超快速
      2025-02-27 17:11:28674

      Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用效率

      40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
      2025-02-27 12:49:35763

      SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
      2025-02-26 18:01:16854

      SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
      2025-02-26 17:40:46774

      SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
      2025-02-26 17:25:48806

      SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
      2025-02-26 17:07:13727

      SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向
      2025-02-26 16:54:52783

      SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS
      2025-02-25 18:13:42813

      SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
      2025-02-25 17:44:07772

      SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，符合 AEC - Q101 標準，采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
      2025-02-25 17:23:30763

      SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
      2025-02-25 17:03:23871

      SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標準，無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻
      2025-02-25 16:01:30888

      SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

      P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準，無鹵且符合RoHS標準。產(chǎn)品具備超快速開關、零反向恢復
      2025-02-25 15:44:15791

      SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

      P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
      2025-02-25 14:18:58844

      國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓撲中的應用分析

      ) B3M040065Z （650V/67A）和 B3M040120Z （1200V/64A）的耐壓能力均適配該需求，且冗余設計增強可靠性。 高頻性能優(yōu)勢 SiC MOSFET的快速開關特性（如 B3M040120Z 的開關延遲僅12ns，關斷延
      2025-02-24 22:30:201065

      技術文檔：LMG3616 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET

      LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-24 10:43:28987

      技術資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET

      LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-24 10:21:011089

      技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和電流感應

      LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-24 09:18:47923

      LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

      LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-21 14:37:23727

      LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動器、保護和電流感應概述

      LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設計，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
      2025-02-21 14:14:05805

      TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術文檔

      LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-20 16:54:57881

      TI LMG3624 具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET

      LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
      2025-02-20 16:35:36829

      ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

      具有廣泛的應用前景。ROHM此次量產(chǎn)的“GNP2070TD-Z”正是基于TOLL封裝的650V耐壓GaN HEMT，為市場提供
      2025-02-18 10:03:531191

      AMEYA360代理：羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

      全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱
      2025-02-17 15:42:22673

      650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

      ~同時加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
      2025-02-13 14:29:18779

      650V碳化硅MOSFET在AI服務器電源中的高能效解決方案

      650V碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在AI服務器電源中的高能效解決方案 一、AI服務器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
      2025-02-08 07:56:071202

      為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案

      基本公司的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅(qū)動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。 BASiC基本公司低邊驅(qū)動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅(qū)動或在變壓
      2025-02-06 11:54:031032

      為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

      650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
      2025-01-23 16:27:431780

      SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

      近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
      2025-01-23 15:46:58994

      SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領域

      近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用設計。
      2025-01-22 11:03:221221

      40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

      BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
      2025-01-22 10:43:28

      泰克與遠山半導體合作推進1700V GaN器件

      近日，泰克科技與遠山半導體的合作再次取得了突破性進展，雙方共同對遠山半導體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證了遠山半導體
      2025-01-20 11:07:33962

      高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

      JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術。
      2025-01-16 14:16:081124

      PI公司1700V氮化鎵產(chǎn)品直播預告

      PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
      2025-01-15 15:41:09898

      遠山半導體1700V GaN器件的特性測試方案

      遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結
      2025-01-14 09:42:281899

      NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動芯片介紹

      NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
      2025-01-07 10:58:261543

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