美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 的電流隔離是一個(gè)常見的要求，功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化，它還應(yīng)該能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，通常從 300 V 到 1000 V。單開關(guān)反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單，元件數(shù)量最少，成本低，是此類低功率 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換的廣泛使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之一。
2022-08-03 09:11:512292 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）GaN器件已經(jīng)在消費(fèi)電子領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，而在消費(fèi)電子之外，電源產(chǎn)品還有很多較大的應(yīng)用市場，包括光伏逆變器、服務(wù)器電源、汽車領(lǐng)域等。而新能源汽車作為目前規(guī)模增長最快的市場之一，SiC已經(jīng)成功導(dǎo)入電動(dòng)汽車產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)大批量落地。
2024-02-04 00:01:007243 
（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對(duì)工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。
2025-01-14 09:42:281902 
的關(guān)注。這是由于在開關(guān)過程中，得益于SiC MOS的高電子飽和漂移速度，載流子能迅速在導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)間切換，從而顯著減少開關(guān)時(shí)間。與此同時(shí)，SiC MOS這一單極型器件在續(xù)流過程中沒有p型襯底的電荷存儲(chǔ)，使得反向恢復(fù)損耗低于Si IGBT這一雙極性器件，SiC MOS的反向恢復(fù)電荷僅為同規(guī)
2025-12-02 09:36:222300 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢?；谶@些優(yōu)勢，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442725 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
PI看到了電動(dòng)車的這個(gè)發(fā)展趨勢，因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:226765 潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級(jí)認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:004670 
?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平
2024-11-05 10:56:55863 
鎵開關(guān)IC，這是業(yè)內(nèi)首款高達(dá)1700V的氮化鎵開關(guān)IC。新品一出，PI再次成為在氮化鎵領(lǐng)域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業(yè)。 PI的功率變換開關(guān)持續(xù)迭代 早在2022年，PI就推出了1700V 碳化硅初級(jí)開關(guān)的汽車級(jí)高壓開關(guān)電源IC，彼時(shí)，該產(chǎn)品以高輸入電壓，高輸出
2024-11-18 08:57:006137 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）比亞迪在最近的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上，推出了一系列的“王炸”技術(shù)，包括全域1000V高壓架構(gòu)、10C兆瓦閃充平臺(tái)、3萬轉(zhuǎn)580kW電機(jī)等。這些技術(shù)在1000V電壓
2025-03-31 01:23:412260 功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch
2025-05-08 14:30:334725 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，湖南三安半導(dǎo)體舉行了碳化硅芯片上車儀式，標(biāo)志著國產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)?；b車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
2025-12-09 09:25:464889 CRD-060DD12P，用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統(tǒng)的雙開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器，用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的，僅用作評(píng)估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
另
一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，
SiC-MOSFET的
MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！ ∫虼耍礁叩拈T極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20
V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
，1200V產(chǎn)品可支持50A的裸芯片。而且在進(jìn)行1700V高耐壓產(chǎn)品的開發(fā)。下表為機(jī)型名中符號(hào)的意義及當(dāng)前供應(yīng)中的產(chǎn)品陣容一覽。此外，機(jī)型名的最后帶有HR的表示為支持車載產(chǎn)品，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
半導(dǎo)體有限公司的第一大股東，是行業(yè)龍頭天科合達(dá)。11月中旬，天科合達(dá)舉辦了“8英寸導(dǎo)電型SiC襯底”新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，預(yù)計(jì)項(xiàng)目明年量產(chǎn)。這一量產(chǎn)時(shí)間，緊跟全球步伐。SiC大規(guī)模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：
1 車載電源OBC與最新發(fā)展
2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過載，電網(wǎng)波動(dòng)，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關(guān)斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產(chǎn)品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
本文介紹了一個(gè)新的1700V 25A至300A快速恢復(fù)二極管（FRD）系列。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與數(shù)值模擬結(jié)果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亞胺鈍化法的橫向摻雜變化（VLD）可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的1700V
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評(píng)估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
驅(qū)動(dòng)1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過對(duì)幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級(jí)第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域
2023-07-28 14:21:34
通過對(duì)幾種常用的1700V IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579系列和CONCEPT公司的2SD系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能框圖，設(shè)計(jì)了典型應(yīng)用電路，討
2010-08-11 16:12:5876 英雄的低調(diào)作風(fēng)，默默付出，從不張揚(yáng)。它能夠承受高達(dá) 1700V 的電壓，就像英雄擁有超人的力量，無懼挑戰(zhàn)，勇往直前。它擁有軟恢復(fù)平行二極管，就像英雄注重團(tuán)隊(duì)協(xié)作，
2024-11-11 15:51:16
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:191 今年即將發(fā)布的iphone8多次被曝光會(huì)采用AR技術(shù)，并且豎排分布的攝像頭就是為了這一技術(shù)而準(zhǔn)備，不過，這一次可能要被截胡了，國產(chǎn)手機(jī)率先用上。
2017-05-22 09:41:401683 國產(chǎn)芯片替代這一國家發(fā)展戰(zhàn)略正在顯示出成效。隨著國內(nèi)資金大規(guī)模投入、技術(shù)引進(jìn)后自主研發(fā)形成突破，國產(chǎn)芯片有望在未來幾年內(nèi)迅速崛起，這給相關(guān)領(lǐng)域的上市公司帶來發(fā)展前景。
2017-12-20 10:46:545496 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:002379 海市政府新聞辦發(fā)放了全國首批智能網(wǎng)聯(lián)汽車開放道路測試牌照，蔚來、上汽率先上路。下一步，將分級(jí)逐步開放更多的道路環(huán)境用于智能網(wǎng)聯(lián)汽車測試。
2018-03-03 07:22:401378 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174502 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:376278 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 最近手機(jī)廠商紛紛涌入電視市場，前有榮耀、華為，后續(xù)紅米、一加也被曝出將會(huì)推出電視產(chǎn)品，且消息也已經(jīng)坐實(shí)。據(jù)悉，此款電視將在海外市場率先上市，并搭載更高端的顯示技術(shù)，國內(nèi)很多網(wǎng)友對(duì)這款產(chǎn)品的評(píng)價(jià)是：“國外鍍金之后再回國做高端”。
2019-08-29 10:00:001811 對(duì)BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實(shí)施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，試驗(yàn)條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗(yàn)結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導(dǎo)致的漏電流增加現(xiàn)象，在1,000小時(shí)內(nèi)發(fā)生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計(jì)輔助電源而開發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計(jì)輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:033834 
在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對(duì)國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:375747 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:512174 
?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 （SiC）初級(jí)開關(guān) MOSFET。這些新設(shè)備可產(chǎn)生高達(dá) 70 瓦的輸出功率，用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動(dòng)乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和一系列工業(yè)電源應(yīng)用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:272204 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654 BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要
2022-08-14 10:00:242094 
Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:069 使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多，但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V，每個(gè)人都有自己的理解，今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:584406 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規(guī)格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動(dòng)安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:191305 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:241336 
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:051223 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊(cè) （采用100%國產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5514 已全部加載完成
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