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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>顯示及光電>MBE技術在InN材料中的應用及其晶體質(zhì)量和光學特性的影響介紹

      MBE技術在InN材料中的應用及其晶體質(zhì)量和光學特性的影響介紹

      2017-10-10 | rar | 2.7 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　在si （ 111）襯底上分別預沉積0，0．1，o．5，1 nm厚度的In插入層后，采用等離子輔助分子束外延法制備了纖鋅礦結構的I nN材料，結合x射線衍射（XRD） 、掃描電子顯微鏡（SEM） 、吸收譜及光致發(fā)光譜研究了不同厚度的I n插入層對外延I nN晶體質(zhì)量和光學特性的影響。XRD和SEM的測試結果表明，在si 襯底上預沉積O．5 nm厚的I n插入層有利于改善外延I nN材料的形貌，提高材料的晶體質(zhì)量。吸收譜和光致發(fā)光譜測試表明，0．5 nm厚I n插入層對應的I nN樣品吸收邊藍移程度最小，光致發(fā)射譜半峰寬最窄，并且有最高的帶邊輻射復合發(fā)光效率?？梢?，引入適當厚度的I nN插入層可以改善Si襯底上外延InN材料的晶體質(zhì)量和光學特性。

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