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基于非線性控制的磁滯控制［2］由于其快速的動態(tài)響應(yīng)變得越來越重要。常見的磁滯控制需要相對較高ESR 的輸出電容，文獻(xiàn)［3］-［6］中提出增加紋波注入的方式讓磁滯控制使用較低ESR 的陶瓷電容成為可能。圖1 是一種帶有紋波注入谷底檢測定導(dǎo)通時(shí)間的控制拓?fù)洹＿@種拓?fù)湟驗(yàn)槠漕愃贫}寬調(diào)制的操作以及兼容低ESR 陶瓷輸出電容，所以變得越來越普遍。這種控制方式很像線性控制，和電壓模式的頻率響應(yīng)很類似，同時(shí)保持較高的環(huán)路帶寬?！皫в屑y波注入谷底檢測定導(dǎo)通時(shí)間”的頻域分析用于優(yōu)化DCDC 變換器設(shè)計(jì)是基于以下兩個(gè)假設(shè)：（a） 在小信號分析時(shí)，遠(yuǎn)小于開關(guān)頻率的頻率可以用平均模型代替；（b） 注入的紋波電壓遠(yuǎn)小于參考電壓。所以，帶有紋波注入的比較器顯示出單零點(diǎn)特性。變換器的開環(huán)傳遞函數(shù)如公式1 所示。圖2 是基于公式1 的頻率響應(yīng)曲線，因?yàn)閱瘟泓c(diǎn)特性，所以相位在高頻時(shí)升高到接近90 度，是系統(tǒng)穩(wěn)定的主要因素。而傳統(tǒng)的線性模式如電壓控制模式（圖3）和電流控制模式（圖4），由于PWM延時(shí)和誤差放大器電路，相位曲線在高頻時(shí)會下降到0 度以下。故此種新控制方式有很大優(yōu)勢。
D-CAP2?控制方式和“帶有紋波注入谷底檢測定導(dǎo)通時(shí)間”的概念相類似。不同之處在于把紋波注入的電路集成到芯片里面。所以，此控制方式是穩(wěn)定的。
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