資料介紹
綜述了全球CMP設(shè)備市場概況及適應(yīng)0. 1$N.m工藝平坦化要求的CMP技術(shù)
現(xiàn)狀,給出了向今300mm國片轉(zhuǎn)移過程中CMP技術(shù)占用成本及CMP設(shè)備性能指標(biāo)。
為了進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率和降低成本,制備器件村底的硅片現(xiàn)正在由中200二 圓片向中300mm圓片過渡,對這種襯底必須進(jìn)行全局平坦化。多年的研究表明,需要對多層布線互連結(jié)構(gòu)中絕緣體、導(dǎo)體、層間介質(zhì)(ILD),鑲嵌金屬W, Al, Cu, Au、多晶硅、硅氧化物等進(jìn)行平面化處理,化學(xué)機械拋光(CMP)則是唯一的全局平面化技術(shù)。 利用 Strasbaugh公司的拋光機在 EastFishkill T廠進(jìn)行工藝的開發(fā)。1988年,IBM開始將CMP工藝用于4MDRAM器件的制造。到1990年,IBM公司便向Micron Technolog公司出瞥了采用CMP技術(shù)的4MDRAM工藝。此后不久,又與咖-torol。公司合作,共同進(jìn)人為蘋果計算機公司生產(chǎn)PC機器件的行列。從此各種邏輯電路和存儲器便以不同的發(fā)展規(guī)模走向CMP。到1994年,隨著0. 5wm器件的批量生產(chǎn)和0. 35 P,rn工藝的開發(fā),CMP工藝便逐漸進(jìn)人生產(chǎn)線,設(shè)備市場初步形
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