資料介紹
CY7C1510KV18、CY7C1525KV18、CY7C1512KV18 和 CY7C1514KV18
都是包含 QDR II 架構(gòu)的 1.8 V 同步流水線 SRAM。 QDR II 架
構(gòu)由兩個(gè)單獨(dú)的端口組成:訪問存儲(chǔ)器陣列的讀端口和寫端口。
讀端口有專用的數(shù)據(jù)輸出來支持讀操作,寫端口則有專用的數(shù)據(jù)
輸入來支持寫操作。QDR II 架構(gòu)具有單獨(dú)的數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸
出,完全消除了公用 I/O 器件上存在的 “ 轉(zhuǎn)換 ” 數(shù)據(jù)總線方面
的需要。對(duì)每個(gè)端口的訪問都通過一個(gè)公用地址總線進(jìn)行。用于
讀和寫的地址被鎖止在輸入 (K) 時(shí)鐘的備選上升沿。對(duì) QDR II
讀端口和寫端口的訪問完全相互獨(dú)立。為了獲得最大的數(shù)據(jù)吞吐
量,讀端口和寫端口上都配備有 DDR 接口。每個(gè)地址都與兩個(gè) 8
位字 (CY7C1510KV18)、9 位字 (CY7C1525KV18)、18 位字
?。–Y7C1512KV18) 或 36 位字 (CY7C1514KV18) 相關(guān)聯(lián),這些字以
突發(fā) (Burst) 模式按順序傳入或傳出器件。由于數(shù)據(jù)可以在兩個(gè)
輸入時(shí)鐘 (K 和 K 以及 C 和 C)的每個(gè)上升沿傳入和傳出器
件,因此通過消除總線轉(zhuǎn)換,能夠在獲得最大內(nèi)存帶寬的同時(shí),
簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
深度擴(kuò)展 (Depth Expansion) 是通過端口選擇實(shí)現(xiàn)的,能夠使每
個(gè)端口獨(dú)立工作。
所有同步輸入都會(huì)通過由 K 或 K 控制的輸入寄存器。 所有數(shù)據(jù)
輸出都會(huì)通過由 C 或 C(在單時(shí)鐘域中為 K 或 K)控制的輸出
寄存器。 寫操作通過片上同步自定時(shí)寫電路進(jìn)行。
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