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      DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

      要長(zhǎng)高 ? 2025-02-27 09:19 ? 次閱讀
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      概述
      DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
      數(shù)據(jù)表：*附件：DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊(cè).pdf
      特性

      • 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年
      • 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)
      • 沒有寫次數(shù)限制
      • 低功耗CMOS操作
      • 70ns的讀寫存取時(shí)間
      • 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)
      • ±10% VCC工作范圍(DS1265Y)
      • 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)
      • 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND
        引腳配置
        image.png
        推薦的DC操作條件
        image.png
        時(shí)序圖
        image.png
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