資料介紹
【產(chǎn)品特點(diǎn)】
高速:速度與DRAM相當(dāng),比FLASH快1萬(wàn)倍;高擦寫(xiě)次數(shù):比NAND Flash多一千萬(wàn)倍
掉電不丟失:MRAM可以斷電保存數(shù)據(jù);低功耗,只有讀寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)才上電;抗輻射抗惡劣環(huán)境,CMOS兼容性好
【應(yīng)用領(lǐng)域】
- 工業(yè)自動(dòng)化
- 智能儀表
- 醫(yī)療器械
- 游戲設(shè)備
- 互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
- 磁盤(pán)系列… …
【常用存儲(chǔ)器性能對(duì)比】

- 使用XOD訪(fǎng)問(wèn)ESP32非易失性存儲(chǔ)
- STT-MRAM高密度低能耗技術(shù)
- 使用Everspin MRAM的精選案例研究
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