研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。

半導(dǎo)體行業(yè)著名機(jī)構(gòu)IMEC在加利福尼亞州舊金山舉行的國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上發(fā)表了大量論文。

在關(guān)于5nm嵌入式MRAM的論文中，IMEC使用經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的pMTJ（SSDFans作者蛋蛋命名MTJ為茅臺(tái)酒）緊湊模型進(jìn)行了設(shè)計(jì)分析，該模型與5nm節(jié)點(diǎn)兼容。對(duì)于讀寫操作，pMTJ稱訪問(wèn)延遲分別小于2.5ns和7.1ns。分析表明，STT-MRAM滿足了高性能計(jì)算中一級(jí)到三級(jí)緩存的眾多要求，并且讀寫性能顯著高于SRAM。它滿足了超過(guò)100MHz的時(shí)鐘頻率的要求，同時(shí)占用面積為SRAM的43.3％。

IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格，并得出了一個(gè)結(jié)論，高性能STT-MRAM位單元的MRAM間距是45nm接觸柵極間距的兩倍，是5nm最后一級(jí)高速緩存的首選解決方案。在第二步中，在300mm 硅晶片上制造高性能STT-MRAM單元，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量磁隧道結(jié)的特性。

通過(guò)改變高速緩存大小，對(duì)SRAM和STT-MRAM進(jìn)行能耗比較。在0.4MB時(shí)的讀操作和5MB時(shí)的寫操作的情況下，與SRAM相比，STT-MRAM的能耗更低。資料來(lái)源：IMEC。

通過(guò)對(duì)SRAM和STT-MRAM的能耗曲線的觀察，研究人員認(rèn)為有兩個(gè)交叉點(diǎn)會(huì)影響系統(tǒng)能耗：STT-MRAM的讀和寫能耗分別在在0.4MB和5MB時(shí)低于SRAM。這是由于隨著SRAM容量的增加，SRAM待機(jī)功率呈指數(shù)增長(zhǎng)。

研究人員得出結(jié)論，即使SST-MRAM存在讀寫不對(duì)稱，但在5nm節(jié)點(diǎn)和高速緩存容量低于12MB時(shí)，無(wú)論在何種應(yīng)用場(chǎng)景下，STT-MRAM都是有好處的。

IMEC項(xiàng)目主管Gouri Sankar Kar在一份聲明中說(shuō)，“DTCO和硅驗(yàn)證模型讓我們首次得出了這樣的結(jié)論，在容量分別大于0.4MB和5MB時(shí)，STT-MRAM的讀寫能耗均比SRAM小；STT-MRAM的延遲足以滿足高性能計(jì)算領(lǐng)域中最后一級(jí)緩存的要求，這些緩存的工作頻率約為100MHz?！?/p>

我們應(yīng)該考慮到MRAM會(huì)進(jìn)一步改進(jìn)，這些MRAM現(xiàn)在已經(jīng)從研究領(lǐng)域中出現(xiàn)并且顯示出優(yōu)越的特性。