TTV、BOW、WARP對晶圓制造工藝的影響

• 對化學(xué)機械拋光工藝的影響：拋光不均勻，可能會導(dǎo)致CMP過程中的不均勻拋光，從而造成表面粗糙和殘留應(yīng)力。
• 對薄膜沉積工藝的影響：凸凹不平的晶圓在沉積過程中會導(dǎo)致沉積薄膜厚度的不均勻，影響隨后的光刻和蝕刻過程中創(chuàng)建電路圖案的精度。
• 對光刻工藝的影響：影響聚焦；不平整的晶圓，在光刻過程中，會導(dǎo)致光刻焦點深度變化，從而影響光刻圖案的質(zhì)量。
• 對晶圓裝載工藝的影響：在自動裝載過程中，凸凹的晶圓容易損壞。如碳化硅襯底加工過程中，一般還會在切割工藝時留有余量，以便在后續(xù)研磨拋光過程中減小TTV、BOW、Warp的數(shù)值。

TTV、BOW、Warp的區(qū)別

TTV描述晶圓的厚度變化，不量測晶圓的彎曲或翹曲；BOW度量晶圓彎曲程度，主要度量考慮中心點與邊緣的彎曲；Warp更全面，度量整個晶圓表面的彎曲和翹曲。盡管這三個參數(shù)都與晶圓的幾何特性有關(guān)，但量測的關(guān)注點各有不同，對半導(dǎo)體制程和晶圓處理的影響也有所區(qū)別。

WD4000系列晶圓幾何量測系統(tǒng)功能及應(yīng)用方向

WD4000晶圓幾何量測系統(tǒng)可自動測量Wafer厚度、彎曲度、翹曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等參數(shù)。該系統(tǒng)可用于測量不同大小、不同材料、不同厚度晶圓的幾何參數(shù);晶圓材質(zhì)如碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等。它是以下測量技術(shù)的組合：

• 光譜共焦技術(shù)測量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數(shù)，同時生成Mapping圖； 
• 三維輪廓測量技術(shù)：對Wafer表面進(jìn)行光學(xué)掃描同時建立表面3D層析圖像，高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測量鐳射槽深寬等形貌參數(shù)；
• 白光干涉光譜分析儀，可通過數(shù)值七點相移算法計算，以亞納米分辨率測量晶圓表面的局部高度，并實現(xiàn)膜厚測量功能；
• 紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），適用于測量外延片、鍵合晶圓幾何參數(shù)。
• CCD定位巡航功能，具備Mark定位，及圖案晶圓避障功能。

WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設(shè)備、晶圓拋光設(shè)備、及封裝減薄工藝段的量測；覆蓋半導(dǎo)體前道、中道、后道整條工藝線。該系統(tǒng)不僅廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，在3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業(yè)也大幅鋪開應(yīng)用。

量測系統(tǒng)自動上下料，自動測量