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輻照電子在光纖芯處能量沉積的計算:摘要 為了用盡可能低的輻照電子能量在光纖芯處形成大的性質(zhì)改變， 模擬 了0 ． 1 ～1?? Me V能量的電子輻照二氧化硅。發(fā)現(xiàn)每一特定能量的電子輻照二氧化硅時， 在其中有個能量沉積最快 的位置。計算得到 0 ． 4 4 7?? 4?? Me V能量的電子在單模光纖中心能量沉積最快， 分析發(fā)現(xiàn)對于這個 能量的電子多數(shù)可以穿透到光纖芯處， 電子能量在光纖芯處的沉積主要是由于電子能量的減小 造成的。這些結(jié)果可為用電子輻照光纖制作光器件時的初始電子能量選擇提供參考。?
關(guān)鍵詞 石英光纖； 電子輻照 ； 能量沉積
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