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標(biāo)簽 > 串?dāng)_
串?dāng)_是兩條信號線之間的耦合、信號線之間的互感和互容引起線上的噪聲。容性耦合引發(fā)耦合電流，而感性耦合引發(fā)耦合電壓。 PCB板層的參數(shù)、信號線間距、驅(qū)動(dòng)端和接收端的電氣特性及線端接方式對串?dāng)_都有一定的影響。
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技術(shù)資訊 I 容性耦合噪聲抑制方法如何減少串?dāng)_
本文要點(diǎn)容性耦合噪聲取決于電路中的電壓變化和耦合電容的值，其中耦合電容受兩個(gè)電路之間距離的影響。雜散電容會(huì)增大耦合電容值。如果減少或消除雜散電容，耦合電...
碳化硅MOSFET的串?dāng)_來源與應(yīng)對措施詳解
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用越來越廣泛，成為高壓、大功率應(yīng)用（如電動(dòng)汽車、可再生能源并網(wǎng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等）的核心器件。碳化硅MOSFET憑借低...
歡迎來到 “掌握 PCB 設(shè)計(jì)中的 EMI 控制” 系列的第六篇文章。本文將探討串?dāng)_如何影響信號完整性和 EMI，并討論在設(shè)計(jì)中解決這一問題的具體措施。
2025-08-25 標(biāo)簽：emialtiumPCB設(shè)計(jì) 9.8k 0
看下噪聲分析過程，一個(gè)是干擾，一個(gè)是電化學(xué)
我們徹底排除了一遍電路，排除了系統(tǒng)自激或是系統(tǒng)內(nèi)部的串?dāng)_（也叫串音干擾），也排除了電源引入的干擾，通過各種排除，最終把問題定位到他們使用的一個(gè)設(shè)備，這個(gè)...
在高頻電路的精密布局中，信號線的近距離平行布線往往成為引發(fā)“串?dāng)_”現(xiàn)象的潛在因素。串?dāng)_，這一術(shù)語描述的是未直接相連的信號線間因電磁耦合而產(chǎn)生的不期望噪聲...
2024-09-25 標(biāo)簽：電磁串?dāng)_高頻電路設(shè)計(jì) 1.1k 0
信號串?dāng)_（Crosstalk）是指在信號傳輸過程中，一條信號線上的信號對相鄰信號線產(chǎn)生的干擾，這種干擾是由于電磁場耦合或直接電容、電感耦合引起的。根據(jù)耦...
高速PCB設(shè)計(jì)時(shí)：仿真分析揭示保護(hù)地線的重要性
這個(gè)地網(wǎng)絡(luò)真的就可以保護(hù)信號網(wǎng)絡(luò)了嗎？尤其是上圖所示的這類地網(wǎng)絡(luò)（沒有加地過孔）。本文和大家一起來討論下這個(gè)地網(wǎng)絡(luò)是否真的一定需要增加。
電路布線常會(huì)有串?dāng)_的風(fēng)險(xiǎn)，最后簡單說明幾個(gè)減小串?dāng)_的方法，常見增大走線間距、使兩導(dǎo)體的有串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)的區(qū)域最小化、相鄰層走線時(shí)傳輸線互相彼此垂直、降低板材介...
SiC MOSFET模塊串?dāng)_應(yīng)用對策
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 標(biāo)簽：MOSFET數(shù)字示波器SiC 2.6k 0
在設(shè)計(jì)印刷電路板（PCB）時(shí)，確保信號完整性和最小化噪聲是至關(guān)重要的。串?dāng)_和地線反彈噪聲是兩種常見的問題，它們可以影響電路的性能和穩(wěn)定性。以下是一些與P...
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2024-09-21 標(biāo)簽：pcb反射串?dāng)_ 557 0
高速數(shù)字設(shè)計(jì)和信號完整性分析之傳輸線理論立即下載
類別：模擬數(shù)字 2022-09-20 標(biāo)簽：傳輸線串?dāng)_負(fù)載效應(yīng) 757 0
PCB設(shè)計(jì)中，如何避免串?dāng)_立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-11-29 標(biāo)簽：pcb串?dāng)_ 1.1k 0
耳機(jī)放大器是減少串?dāng)_的必經(jīng)之路立即下載
類別：音視頻類 2017-05-24 標(biāo)簽：耳機(jī)放大器串?dāng)_耳機(jī)放大電路 1.5k 0
降低串?dāng)_的DirectPath耳機(jī)放大器立即下載
類別：音視頻類 2017-05-20 標(biāo)簽：耳機(jī)放大器串?dāng)_耳機(jī)放大電路 1.1k 0
為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施
為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施：結(jié)合基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)器件的深度分析 傾佳電子（Ch...
2025-11-17 標(biāo)簽：串?dāng)_SiC MOSFET 1.4k 0
激光雷達(dá)為什么會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_的問題？
[首發(fā)于智駕最前沿微信公眾號]自動(dòng)駕駛技術(shù)自提出以來，激光雷達(dá)就是非常重要的感知硬件，即便到現(xiàn)如今很多技術(shù)方案開始傾向于純視覺時(shí)，依舊有很多的車企堅(jiān)定地...
2025-11-04 標(biāo)簽：串?dāng)_激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 732 0
傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告
傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...
2025-09-01 標(biāo)簽：串?dāng)_碳化硅SiC MOSFET 2.8k 0
深入分析：常說的3H原則在PCB設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
“3H”這個(gè)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)我們一直在傳頌，到底它在具體PCB設(shè)計(jì)項(xiàng)目中到底效果怎么樣呢？話不多說，本期文章從理論到實(shí)際給大家全面分析，揭開它那神秘的面紗！
2024-07-15 標(biāo)簽：阻抗仿真PCB設(shè)計(jì) 2k 0
哪些原因會(huì)導(dǎo)致 BGA 串?dāng)_？
哪些原因會(huì)導(dǎo)致 BGA 串?dāng)_？
干貨 | 在高速PCB設(shè)計(jì)時(shí)，打孔包地能否解決串?dāng)_問題？
工程界常常使用保護(hù)地線進(jìn)行隔離，來抑制信號間的相互干擾。的確，保護(hù)地線有時(shí)能夠提高信號間的隔離度，但是保護(hù)地線并不是總是有效的，有時(shí)甚至反而會(huì)使干擾更加...
康普工程師團(tuán)隊(duì)勾畫了需要哪些額外的規(guī)范來支持10GBASE-T。正是這些要求奠定了Cat 6A的基礎(chǔ)，并且距離最終規(guī)范只有幾分貝的差異。
超低損耗、機(jī)械相位穩(wěn)定性高的國產(chǎn)柔性射頻電纜推薦
在日常生活中，大家對于射頻電纜并不陌生。射頻電纜使用廣泛，包括天線、無線電、雷達(dá)、微波等領(lǐng)域。當(dāng)前，市場上射頻電纜品牌琳瑯滿目，其中不乏國內(nèi)外一些知名品...
什么是近端串?dāng)_與遠(yuǎn)端串?dāng)_？
關(guān)于兩個(gè)公式，我們不需要去記住，我們只需要知道它告訴了我們什么：攻擊信號的幅值影響著串?dāng)_的大小;減小串?dāng)_的途徑就是減小信號之間的耦合，增加信號與其回流平...
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