一文看懂巴倫（功能原理、性能參數(shù)、基本類型）

延遲線巴倫連有其上不設(shè)任何變壓器件且具有特定長(zhǎng)度的傳輸線，通常用于較窄的頻率范圍，其中，所連的傳輸線長(zhǎng)度為該傳輸線介質(zhì)內(nèi)目標(biāo)頻率的四分之一波長(zhǎng)的倍數(shù)。此...

2019-09-29 標(biāo)簽：傳輸線串?dāng)_巴倫 8.6萬 2

串?dāng)_幾種常見措施的效果及差異

如圖1所示，現(xiàn)實(shí)中為了測(cè)量串?dāng)_幅值，會(huì)分別測(cè)受擾線兩端的噪聲情況，為了區(qū)分這兩個(gè)末端，把距離源端最近的一端稱為“近端”，而遠(yuǎn)離源端最遠(yuǎn)的一端稱為“遠(yuǎn)端”...

2018-08-27 標(biāo)簽：噪聲串?dāng)_ 4.3萬 0

串?dāng)_問題產(chǎn)生機(jī)理及解決方法

今天該聊聊——串?dāng)_！

2019-08-14 標(biāo)簽：PCB串?dāng)_ 2.6萬 0

什么是串?dāng)_它的形成原理是怎樣的

串?dāng)_是信號(hào)完整性中最基本的現(xiàn)象之一，在板上走線密度很高時(shí)串?dāng)_的影響尤其嚴(yán)重。我們知道，線性無緣系統(tǒng)滿足疊加定理，如果受害線上有信號(hào)的傳輸，串?dāng)_引起的噪聲...

2019-09-18 標(biāo)簽：耦合信號(hào)完整性串?dāng)_ 1.6萬 0

怎么解決SiC MOSFET的橋臂串?dāng)_？

SiCmosfet三相全橋逆變電路中，同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾，該現(xiàn)象稱為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功...

2021-05-15 標(biāo)簽：MOSFETasic串?dāng)_ 1.2萬 0

碳化硅MOSFET的串?dāng)_來源與應(yīng)對(duì)措施詳解

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用越來越廣泛，成為高壓、大功率應(yīng)用（如電動(dòng)汽車、可再生能源并網(wǎng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等）的核心器件。碳化硅MOSFET憑借低...

2026-01-13 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體串?dāng)_ 1.1萬 0

PCB設(shè)計(jì)中的3W和3H原則

最近在總結(jié)學(xué)習(xí)PCB設(shè)計(jì)規(guī)則的相關(guān)知識(shí)，在一些消費(fèi)類或者速率要求不高的產(chǎn)品上，還在沿用著“3W原則”。所謂“3W原則”，就是保證線與線的間距，保持線與線...

2023-03-03 標(biāo)簽：PCB仿真多層板 1.1萬 0

串?dāng)_如何影響信號(hào)完整性和EMI

歡迎來到 “掌握 PCB 設(shè)計(jì)中的 EMI 控制” 系列的第六篇文章。本文將探討串?dāng)_如何影響信號(hào)完整性和 EMI，并討論在設(shè)計(jì)中解決這一問題的具體措施。

2025-08-25 標(biāo)簽：emialtiumPCB設(shè)計(jì) 9.8k 0

淺析影響串?dāng)_因素

在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，板層特性(如厚度，介質(zhì)常數(shù)等)以及線長(zhǎng)、線寬、線距、信號(hào)的上升時(shí)間等都會(huì)對(duì)串?dāng)_有所影響。

2019-08-14 標(biāo)簽：串?dāng)_仿真分析 9.3k 0

什么是串?dāng)_？如何減少串?dāng)_？

01 . 什么是串?dāng)_？ ? 串?dāng)_ 是 PCB 的走線之間產(chǎn)生的不需要的噪聲 （電磁耦合）。 串?dāng)_是 PCB 可能遇到的最隱蔽和最難解決的問題之一。最難搞...

2023-05-23 標(biāo)簽：PCB電路板串?dāng)_ 8.9k 0

信號(hào)完整性中最基本的現(xiàn)象之串?dāng)_

靜態(tài)網(wǎng)絡(luò)靠近干擾源一端的串?dāng)_稱為近端串?dāng)_(也稱后向串?dāng)_)，而遠(yuǎn)離干擾源一端的串?dāng)_稱為遠(yuǎn)端串?dāng)_(或稱前向串?dāng)_)。

2021-01-24 標(biāo)簽：pcb信號(hào)完整性串?dāng)_ 8.7k 0

SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對(duì)策

針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵...

2023-06-05 標(biāo)簽：三極管MOSFET探頭 8.6k 0

串?dāng)_學(xué)習(xí)筆記(2)

上一篇推文，小P學(xué)習(xí)了集成串?dāng)_噪聲（ICN）的相關(guān)公式及概念，文末提到了一個(gè)ccICN的概念。那么這個(gè)又是什么呢。ccICN，全稱component c...

2023-10-25 標(biāo)簽：連接器芯片封裝串?dāng)_ 8.2k 0

串?dāng)_學(xué)習(xí)筆記(1)

講到串?dāng)_，基礎(chǔ)的串?dāng)_知識(shí)比如串?dāng)_是由電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合的共同結(jié)果啊，從串?dāng)_影響的方向來分有FEXT和NEXT這些小P就都不說了。當(dāng)小P在學(xué)習(xí)一篇PCIe...

2023-10-25 標(biāo)簽：接收器連接器PCIe 8.2k 1