完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 內(nèi)存芯片
“內(nèi)存顆?!笔侵袊叟_地區(qū)對內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對內(nèi)存),其他的芯片則稱為“晶片”。晶片經(jīng)過封裝之后就成為一個閃存顆粒。
文章:122個 視頻:4個 瀏覽:22272次 帖子:6個
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計
DDR是運行內(nèi)存芯片,其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識上采...
2023-07-28 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存芯片PCB設(shè)計 4578 0
美光預(yù)測芯片過剩情況緩解,宣布減產(chǎn)至約30%!
美光科技最近發(fā)布了一份聲明,對芯片行業(yè)的前景做出了樂觀預(yù)測。盡管在中國市場面臨挑戰(zhàn),但產(chǎn)能過剩情況有所改善。
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時,半導(dǎo)體存儲技術(shù)被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器,存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失,也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器,用于存儲運算數(shù)據(jù),...
長鑫原廠DRAM顆粒的臺電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測評方案
一、前言:長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺電內(nèi)存,可能會覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會有什么亮點,不過這一次...
8個接內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)線,一個芯片接一個數(shù)據(jù)組也就是8根線組成的一個數(shù)據(jù)組,依次為Data[0:7], Data[8:15], …, Data[56:63...
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
CFan曾在《芯希望來自新工藝!EUV和GAAFET技術(shù)是個什么鬼?》一文中解讀過EUV(極紫外光刻),它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進制程工藝的技術(shù),特...
HBM新技術(shù),橫空出世:引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章
隨著人工智能、高性能計算(HPC)以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù),如DDR和GDDR,已逐漸難以滿足這些新...
2025-03-22 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片HBM半導(dǎo)體設(shè)備 553 0
近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔(dān)憂。他預(yù)測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會面臨內(nèi)存芯片價...
近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。...
SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產(chǎn)基地
全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項重大投資決策,計劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級...
2023年首季度全球半導(dǎo)體材料收入增長緩慢,2024年預(yù)測將突破
值得關(guān)注的是,2023年第一季度,雖然增幅放緩,但半導(dǎo)體材料收入依然呈現(xiàn)增長態(tài)勢。主要原因是除了晶圓制造,前沿邏輯芯片與內(nèi)存芯片的銷售均有所改善。
2024-05-29 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片半導(dǎo)體材料晶圓制造 483 0
值得注意的是,三星的業(yè)績遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了市場預(yù)期20%以上,該公司尚未公開各業(yè)務(wù)部門的具體數(shù)據(jù)。預(yù)計將在下月晚些時候公布更為詳細(xì)的財務(wù)報表。
AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險,AMD發(fā)布公告
需要注意的是,Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性,即通過連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片,改變相鄰存儲單元的電荷狀態(tài),從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...
消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
據(jù)報道,三星將在即將到來的2024年IEEE國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。這次峰會將是全球固態(tài)電路領(lǐng)域的一次盛會,匯集了眾多業(yè)內(nèi)頂尖專家和企業(yè)...
臺積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
三星電子瞄準(zhǔn)2024年營業(yè)利潤目標(biāo) 中國存儲份額占據(jù)全球第二
三星電子2024年的營業(yè)利潤總額將達到33.8萬億韓元。這表明,三星電子正積極應(yīng)對市場變化,努力提升其業(yè)務(wù)表現(xiàn)。
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |