臺(tái)積電近日宣布，與工研院共同研發(fā)出一種名為自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性內(nèi)存（SOT-MRAM）的陣列芯片。這一技術(shù)成果為臺(tái)積電在AI和高性能運(yùn)算（HPC）市場(chǎng)搶占先機(jī)提供了新的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。此次推出的SOT-MRAM將進(jìn)一步鞏固其在市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位。

這款SOT-MRAM芯片由臺(tái)積電和工研院共同設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極快的工作速度，達(dá)到10納秒，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片。這一創(chuàng)新突破了MRAM僅用作內(nèi)存的局限，極大地提高了存儲(chǔ)與內(nèi)部運(yùn)算的性能。

臺(tái)積電表示，新款SOT-MRAM內(nèi)存采用了獨(dú)特的運(yùn)算架構(gòu)，使得其功耗僅相當(dāng)于STT-MRAM的1%。這一卓越成果在國(guó)際上處于領(lǐng)先地位，并在國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上發(fā)表了相關(guān)論文，引起了廣泛關(guān)注。

臺(tái)積電通過(guò)推出SOT-MRAM技術(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)了在AI和HPC市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。這款芯片提供了更高性能和更低功耗的解決方案，將為臺(tái)積電在全球微電子元件領(lǐng)域的發(fā)展帶來(lái)巨大優(yōu)勢(shì)。

審核編輯：黃飛