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標簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程,或指晶體管門電路的尺寸,單位為納米(nm)。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米(AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝,intel第9代全面采用14nm),更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高,已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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隨著科技的飛速發(fā)展,電子設備的種類和數(shù)量不斷增加,人們對設備的能效要求也越來越高。低功耗處理器因其在節(jié)能、環(huán)保和成本效益方面的優(yōu)勢而受到廣泛關(guān)注。 低功...
光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導體材料,如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性,以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備...
鉭電容的制造工藝是一個復雜而精細的過程,以下是對其制造工藝的詳細解析: 一、原料準備 鉭粉制備 : 鉭粉是鉭電容器的核心材料,通常通過粉末冶金工藝制備。...
在工業(yè)自動化、航空航天、醫(yī)療設備和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域,壓力傳感器扮演著至關(guān)重要的角色。它們能夠測量并監(jiān)控壓力變化,為系統(tǒng)提供必要的數(shù)據(jù)支持。隨著技術(shù)的發(fā)展,...
隨著科技的不斷進步,DMD芯片技術(shù)在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力和應用前景。 1. 技術(shù)創(chuàng)新 1.1 高分辨率和高幀率 隨著消費者對顯示質(zhì)量要求的提高,D...
鈮電容器的制造工藝 鈮電容器的制造工藝主要包括以下步驟: 被膜制造工藝 : 空燒 :除掉Nb2O5氧化膜層上的表面雜碎物質(zhì),并激發(fā)其表面的活性度,以確保...
焊接是一種將兩個或多個金屬部件通過加熱、加壓或兩者結(jié)合的方式連接在一起的制造工藝。焊接方法可以根據(jù)焊接過程中使用的能量源、保護介質(zhì)、焊接材料和操作方式等...
在近期舉行的投資者會議上,英特爾公司首席財務官David Zinsner透露了公司對未來的樂觀預期,特別是針對其合同芯片制造業(yè)務。Zinsner表示,英...
從全球半導體TOP15最新排名出爐,看中國:差距、機遇與崛起之路!
在科技日新月異的今天,半導體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的基礎和核心,其發(fā)展狀況直接影響著全球科技產(chǎn)業(yè)的競爭格局。近期,英國品牌評估機構(gòu)“品牌金融”(Brand F...
上海伯東工業(yè)級3D打印機為機器人的制造工藝帶來新變革
上海伯東 Stratasys H350 3D打印機, 使用工業(yè)級 SAF 選擇性吸收熔融技術(shù), 逐步替代傳統(tǒng)的生產(chǎn)方式, 3D打印機助力機器人研發(fā)與制造...
近日,國家工業(yè)和信息化部、中國工業(yè)經(jīng)濟聯(lián)合會發(fā)布的第八批制造業(yè)單項冠軍企業(yè)“最終版”名單出爐,立訊精密入選國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)。 制造業(yè)單項冠軍一般...
高精度滾珠絲桿在自動化生產(chǎn)中的關(guān)鍵因素!
自動化技術(shù)正以前所未有的速度改變著人們的生活和工作方式,特別是在高精度精密設備的制造與應用領(lǐng)域,提高生產(chǎn)效率和優(yōu)化生產(chǎn)流程正變得越來越重要。在自動化生產(chǎn)...
合肥-北航2024年深化合作系列活動在合肥新站高新區(qū)舉行
據(jù)合肥市官方報道,作為該省市重點科研機構(gòu)之一,自旋芯片研發(fā)與制造實驗室致力于自旋芯片研發(fā)和制造領(lǐng)域的關(guān)鍵共性技術(shù)研究,著重攻克下一代存儲器設計、關(guān)鍵制造...
需要注意的是,LCoS技術(shù)相較于傳統(tǒng)LCD技術(shù),具有更優(yōu)秀的分辨率和光源利用率,但其生產(chǎn)制造工藝要求相對更高,且良品率控制難度大。據(jù)悉,目前掌握這一前沿...
據(jù)悉,18A制程作為英特爾推動至技術(shù)領(lǐng)先地位的第五個階段,盡管未采用1.8納米制造工藝,但宣稱性能及晶體管密度均可與競爭對手的1.8納米工藝相媲美。
在當前的形勢下業(yè)界共識是,如何在沒有先進工藝的情況下發(fā)展市場上最需要的成熟工藝、打造特色工藝,并結(jié)合架構(gòu)創(chuàng)新、先進封裝等,實現(xiàn)芯片性能的系統(tǒng)級提升。在第...
如今,半導體制造工藝快速發(fā)展,每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進制造工藝。
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