刻蝕工藝

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刻蝕工藝技術(shù)

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2025-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻刻蝕 3.4k 0

一文詳解干法刻蝕工藝

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。

2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 2.7k 0

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢...

2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 3.7k 0

后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解

后段刻蝕工藝（Back-End of Line ETCH，簡稱BEOL ETCH）作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié)，其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是...

2024-12-31 標(biāo)簽：集成電路刻蝕工藝 2.5k 0

刻蝕工藝評價的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝

在本篇文章中，我們主要介紹刻蝕工藝評價的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。一、刻蝕工藝質(zhì)量評價 1）刻蝕速率刻蝕速率是指在蝕刻過程中被去...

2024-11-15 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕工藝 3.6k 0

Bosch刻蝕工藝的制造過程

Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，對于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。

2024-10-31 標(biāo)簽：工藝 BOSCH 刻蝕工藝 4.1k 0

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)之干法刻蝕工藝詳解

今天我們要一起揭開一個隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對微觀世界的深入探秘，更是一次對半導(dǎo)體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。

2024-08-26 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體刻蝕工藝 4.1k 0

半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造技術(shù)刻蝕工藝 1.2萬 0

晶圓級封裝工藝：濺射工藝和電鍍工藝

濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點(diǎn)，則被稱為凸點(diǎn)下金屬層(UBM，Under ...

2023-10-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝工藝 1.3萬 0

芯片制造的刻蝕工藝科普

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是...

2023-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制程工藝 3.9k 0

碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1.9k 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 8.3k 0

半導(dǎo)體前端工藝之刻蝕工藝

在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除...

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù) 1.8k 0

詳解半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的...

2023-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝刻蝕工藝 4.1k 0

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...

2023-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 2k 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.5萬 0

3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點(diǎn)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 1.6k 0

玻璃通孔工藝(TGV)簡介

硅基轉(zhuǎn)接板2.5 D集成技術(shù)作為先進(jìn)的系統(tǒng)集成技術(shù)，近年來得到迅猛的發(fā)展。但硅基轉(zhuǎn)接板存在兩個的主要問題。

2023-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體嵌入式濾波器 5.5k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕簡析

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。

2023-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 3.6k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。

2023-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC設(shè)計刻蝕工藝 4.4k 0

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。

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