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      標(biāo)簽　>　刻蝕工藝

      刻蝕工藝

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      2020-10-09 標(biāo)簽：刻蝕工藝 1.6萬 0

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      濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點，則被稱為凸點下金屬層(UBM，Under ...

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      2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.1萬 0

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      2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造技術(shù)刻蝕工藝 9940 0

      刻蝕工藝主要分為哪幾種類型 刻蝕的目的是什么？

      PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

      2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 7539 0

      半導(dǎo)體制造工藝最強科普

      半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒有明確的答案，但與其說加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說制造過程無法用肉眼看到所致。

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      硅基轉(zhuǎn)接板2.5 D集成技術(shù)作為先進(jìn)的系統(tǒng)集成技術(shù)，近年來得到迅猛的發(fā)展。但硅基轉(zhuǎn)接板存在兩個的主要問題。

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      多晶硅蝕刻工藝講解

      下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...

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      半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

      等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

      2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 4512 0

      半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

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      壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。

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      和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的...

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      在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是...

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      半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(3)

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      半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)之干法刻蝕工藝詳解

      半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)之干法刻蝕工藝詳解

      今天我們要一起揭開一個隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對微觀世界的深入探秘，更是一次對半導(dǎo)體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。

      2024-08-26 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體刻蝕工藝 3015 0

      等離子體刻蝕工藝簡介

      鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

      2023-02-17 標(biāo)簽：PVDICPCVD 2932 0

      Bosch刻蝕工藝的制造過程

      Bosch刻蝕工藝的制造過程

      Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，對于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。

      2024-10-31 標(biāo)簽：工藝BOSCH刻蝕工藝 2756 0

      半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(1)

      等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì)，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會很快與...

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