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標(biāo)簽 > 刻蝕工藝
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引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...
刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝
在本篇文章中,我們主要介紹刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。 一、刻蝕工藝質(zhì)量評(píng)價(jià) 1)刻蝕速率 刻蝕速率是指在蝕刻過(guò)程中被去...
嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過(guò)1...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過(guò)物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線(xiàn)切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過(guò)1毫米 ...
2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1667 0
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中,我們了解了如何制作“餅干模具”。本期,我們就來(lái)講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn),在于如何移除...
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡(jiǎn)稱(chēng)BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是...
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
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