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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)
英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競(jìng)爭(zhēng)激烈的碳化硅市場(chǎng),屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在...
2024-07-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率半導(dǎo)體 986 0
功率半導(dǎo)體IGBT模塊的封裝工藝及芯片封測(cè)技術(shù)發(fā)展
共讀好書(shū) 前言 作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,IGBT應(yīng)用非常廣泛,如家用電器、電動(dòng)汽車(chē)、鐵路、充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電樁,光伏、風(fēng)能,工業(yè)制造、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
2024-07-10 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 3k 0
中國(guó)大陸半導(dǎo)體功率器件企業(yè)(TOP 65)!
近年來(lái),國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體賽道逐漸火爆,為何業(yè)內(nèi)普遍看好功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景呢?這要從功率半導(dǎo)體的特性說(shuō)起??陀^而言,功率半導(dǎo)體屬于特色工藝產(chǎn)品,非尺寸依賴(lài)...
2024-07-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 1.4k 0
在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺(tái)上,瑞能半導(dǎo)體以其卓越的行業(yè)地位和深厚的技術(shù)底蘊(yùn),成為全場(chǎng)矚目的焦點(diǎn)。作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,瑞能半導(dǎo)體始...
2024-07-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體 1.2k 0
研討會(huì)報(bào)名丨電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)公交/貨車(chē)(eCAV)充電與乘用車(chē)充電的對(duì)比及其對(duì)功率半導(dǎo)體的影響
線上研討會(huì)時(shí)間:2024年7月15日下午3點(diǎn)會(huì)議概述隨著首批商用長(zhǎng)途電動(dòng)卡車(chē)的推出以及首個(gè)兆瓦級(jí)充電系統(tǒng)(MCS)測(cè)試的成功完成,電動(dòng)巴士和貨車(chē)的充電問(wèn)...
2024-07-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 681 0
黃山谷捷具備同步研發(fā)優(yōu)勢(shì),推動(dòng)營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)
同步研發(fā)能力是汽車(chē)零部件行業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn),新能源汽車(chē)研發(fā)生產(chǎn)周期相比傳統(tǒng)燃油車(chē)明顯縮短,因此整車(chē)廠商或一級(jí)零部件供應(yīng)商要求上游供應(yīng)商能夠參與產(chǎn)品...
2024-07-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體散熱基板黃山谷捷 548 0
TMC2024丨車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透二丨全球技術(shù)趨勢(shì)與主驅(qū)功率半導(dǎo)體應(yīng)用創(chuàng)新
聚焦車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢(shì) 21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報(bào)告 15+車(chē)規(guī)級(jí)SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示 1場(chǎng)高層閉門(mén)會(huì) ? 隨著新能源汽車(chē)快速發(fā)展,...
2024-06-26 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1.2k 0
SK啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年底完成650V GaN HEMT開(kāi)發(fā)工作
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵...
2024-06-25 標(biāo)簽:晶圓GaN功率半導(dǎo)體 975 0
瑞薩電子收購(gòu)Transphorm,加速GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)布局
全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布,已成功完成對(duì)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)的...
2024-06-22 標(biāo)簽:GaN瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1.5k 0
黃山谷捷擬創(chuàng)業(yè)板上市,募資5.02億元
近日,黃山谷捷股份有限公司更新IPO招股書(shū),擬在深交所創(chuàng)業(yè)板上市。據(jù)悉,本次IPO黃山谷捷計(jì)劃募資50,201.19萬(wàn)元,用于功率半導(dǎo)體模塊散熱基板智能...
2024-06-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體AI功率半導(dǎo)體 686 0
安森美 (onsemi)將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計(jì)劃,鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈
2024-06-20 標(biāo)簽:安森美人工智能功率半導(dǎo)體 1k 0
芯導(dǎo)科技榮獲祥承科技“風(fēng)雨同舟獎(jiǎng)”
近日,“聚心凝力 感恩同行”祥承科技全球供應(yīng)伙伴大會(huì)在四川宜賓舉辦。近十年合作前行,攜手共贏!芯導(dǎo)科技憑借優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與卓越的服務(wù)榮獲“風(fēng)雨同舟獎(jiǎng)”。
2024-06-19 標(biāo)簽:光伏逆變器功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 1.4k 0
TMC2024丨車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新
聚焦車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢(shì) 21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報(bào)告 15+車(chē)規(guī)級(jí)SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示 1場(chǎng)高層閉門(mén)會(huì) ? SiC在新能源汽車(chē)上的應(yīng)...
2024-06-18 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 4.4k 0
近日,全球矚目的德國(guó)紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)(PCIM Europe)于當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月11日至13日盛大舉行。作為電力電子行業(yè)的年度盛事,PCIM...
2024-06-17 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體pcim宏微科技 938 0
日本旭化成氮化鋁基板技術(shù)突破:邁向更大面積與實(shí)用化
在全球半導(dǎo)體科技日新月異的大背景下,日本旭化成株式會(huì)社在功率半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域取得了令人矚目的技術(shù)突破。該公司近日宣布,其氮化鋁基板技術(shù)已實(shí)現(xiàn)了可使用面積...
2024-06-15 標(biāo)簽:基板功率半導(dǎo)體旭化成 1.6k 0
安建半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2024,展示功率半導(dǎo)體創(chuàng)新實(shí)力
近日,安建半導(dǎo)體作為在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)的高技術(shù)領(lǐng)先企業(yè),成功登陸歐洲最高質(zhì)量的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)——PCIM Europe,在德國(guó)紐倫...
2024-06-14 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體安建半導(dǎo)體 1.3k 0
安建半導(dǎo)體出席第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際研討會(huì)
在前不久結(jié)束的ISPSD2024 征稿評(píng)比中,安建半導(dǎo)體以工作單位獨(dú)立參加碳化硅領(lǐng)域投稿,在口頭報(bào)告錄取率僅只有12.4%的激烈角逐下,成功入圍口頭報(bào)告...
2024-06-12 標(biāo)簽:集成電路功率器件功率半導(dǎo)體 1.1k 0
安建半導(dǎo)體在ISPSD2024再展技術(shù)鋒芒
在近日結(jié)束的ISPSD2024征稿評(píng)比中,安建半導(dǎo)體憑借其在碳化硅領(lǐng)域的卓越技術(shù)實(shí)力,成功脫穎而出,榮獲口頭報(bào)告機(jī)會(huì)。此次評(píng)比中,口頭報(bào)告的錄取率僅為1...
2024-06-12 標(biāo)簽:集成電路功率半導(dǎo)體安建半導(dǎo)體 1.6k 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)...
2024-06-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅納微半導(dǎo)體 1.6k 0
聚焦功率半導(dǎo)體測(cè)試 | 普賽斯儀表多款測(cè)試新品亮相中國(guó)光谷九峰山論壇
“聚勢(shì)賦能共赴未來(lái)”,2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì),已在中國(guó)武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動(dòng)作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...
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