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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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全球大廠帶節(jié)奏,日本功率半導(dǎo)體市場(chǎng)承受壓力
近日,日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝,聯(lián)合發(fā)布聲明,計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。
近日,全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳...
2025-05-14 標(biāo)簽:傳感器比亞迪功率半導(dǎo)體 507 0
功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化先鋒:長(zhǎng)晶科技的創(chuàng)新與崛起
近年來,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國(guó)政策支持的背景下,國(guó)產(chǎn)化替代已成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心方向。面對(duì)國(guó)際技術(shù)壁壘與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的雙重挑戰(zhàn),中國(guó)企業(yè)正通...
2025-04-09 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 503 0
東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)
Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折射出歐美與中...
2025-03-31 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 501 0
~關(guān)于“Power Eco Family”~ ? 1.? ?前言 近年來,全球耗電量逐年增加,在工業(yè)和交通運(yùn)輸領(lǐng)域的增長(zhǎng)尤為顯著。另外,以化石燃料為基礎(chǔ)...
2025-01-15 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體羅姆 495 0
第27屆俄羅斯國(guó)際電子元器件展將于4月15日-17日在莫斯科盛大舉行。作為電源測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),航裕電源將攜多款高科技產(chǎn)品與解決方案,亮相番紅花展覽中...
2025-03-31 標(biāo)簽:電源電子元器件功率半導(dǎo)體 492 0
英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用,未來將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠
日前英飛凌宣布,其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)(Kulim 3)一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn),也將關(guān)注氮化鎵(GaN)外圍晶圓...
2024-08-27 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 487 0
核心車載功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng),這兩個(gè)點(diǎn)是關(guān)鍵
隨著電動(dòng)汽車銷量穩(wěn)健增長(zhǎng),最先獲益的功率半導(dǎo)體器件有望是哪些?車載功率半導(dǎo)體廠商應(yīng)該把握哪兩個(gè)核心市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力? 當(dāng)前,電動(dòng)汽車作為新能源汽車的最重要載體...
2023-08-31 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 486 0
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...
2025-03-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 483 0
電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)加速的原因
電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的加速趨勢(shì),既源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì),也與全球供應(yīng)鏈重構(gòu)下對(duì)自主可控的迫切需求密切相關(guān)。以下從技術(shù)優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)...
2025-04-12 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 480 0
黃山谷捷創(chuàng)業(yè)板IPO成功過會(huì),擬募資5.02億元
近日,深圳證券交易所上市審核委員會(huì)2024年第14次審議會(huì)議已順利召開。審議結(jié)果顯示,黃山谷捷股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“黃山谷捷”)首發(fā)申請(qǐng)獲通過,系滬深...
2024-08-13 標(biāo)簽:ipo功率半導(dǎo)體黃山谷捷 479 0
傾佳電子楊茜向您拜年:以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來!
新春賀辭 尊敬的電力電子行業(yè)伙伴與客戶朋友們: 祥龍回首辭舊歲,金蛇起舞迎新年!在這萬象更新的美好時(shí)刻,我謹(jǐn)代表傾佳電子及團(tuán)隊(duì),向廣大客戶、合作伙伴致以...
2025-01-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 478 0
2025瑞能半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)經(jīng)銷商大會(huì)成功舉辦
日前,2025瑞能半導(dǎo)體(大中國(guó)區(qū))經(jīng)銷商大會(huì)在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會(huì)以“瑞光照芯力·能量啟未來”為主題,匯聚了瑞能半導(dǎo)體布局大中國(guó)區(qū)的...
2025-04-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅瑞能半導(dǎo)體 478 0
三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布,將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)...
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為...
2025-05-21 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 470 0
浮思特 | SiC技術(shù)2025:突破性進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)變革
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)和高性能計(jì)算等新興技術(shù)將傳統(tǒng)硅技術(shù)推向極限,材料科學(xué)正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨著在多樣化嚴(yán)苛應(yīng)用中實(shí)...
2025-04-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 463 0
國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)
中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng),70年代逐漸成長(zhǎng),80年代的改革開放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段,21世紀(jì)初中國(guó)加入WTO,為我國(guó)半導(dǎo)體分...
2023-04-14 標(biāo)簽:分立器件功率半導(dǎo)體 463 0
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率...
航裕電源榮獲2024年度優(yōu)秀企業(yè)獎(jiǎng)
上海新閔經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)"優(yōu)秀企業(yè)獎(jiǎng)"的評(píng)選,旨在表彰在科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)責(zé)任等方面表現(xiàn)突出的標(biāo)桿企業(yè)。航裕電源從眾多參評(píng)...
2025-05-09 標(biāo)簽:電源功率半導(dǎo)體 460 0
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 458 0
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