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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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中國制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振 ,實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”...
2025-03-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1098 0
一文看懂功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者PI的最新產(chǎn)品(PowiGaN 技術(shù) InnoSwitch3-EP)
作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,Power Integrations(以下簡(jiǎn)稱:PI)始終專注于前沿技術(shù)研發(fā),持續(xù)為全球客戶提供突破性解決方案。PI 在...
2025-03-06 標(biāo)簽:PI電源管理功率半導(dǎo)體 610 0
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng),新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿...
2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 562 0
2025年功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì)
2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì):功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長(zhǎng),SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長(zhǎng),GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域, 中國功率半...
2025-03-04 標(biāo)簽:電源人工智能功率半導(dǎo)體 952 0
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...
2025-03-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 464 0
見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 722 0
安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去...
2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 525 0
華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)
近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì),共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體華大半導(dǎo)體 687 0
從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌
近期,多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問題,嚴(yán)重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代進(jìn)程,從...
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 334 0
晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨
? 【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月21日,晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下,下游客戶逐步規(guī)劃實(shí)施擴(kuò)產(chǎn),公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市...
2025-02-22 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅晶盛機(jī)電 1098 0
第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件...
2025-02-15 標(biāo)簽:芯片封裝功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 731 0
芯干線產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)詳解:DeepSeek視角下的專業(yè)解讀
DeepSeek 科技領(lǐng)域的重磅炸彈! 這股來自東方的神秘力量 以強(qiáng)大的自然語言處理能力 鑄就溝通交互的新高度 任何復(fù)雜問題 都能輕松應(yīng)對(duì)、精準(zhǔn)作答 如...
2025-02-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體DeepSeek 505 0
功率半導(dǎo)體展 聚焦 APSME 2025,共探功率半導(dǎo)體發(fā)展新征程
2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng),打造功率...
2025-02-13 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 364 0
近期,炬光科技股份有限公司作為全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光器及原材料、激光光學(xué)、光子應(yīng)用模塊與系統(tǒng)解決方案的提供商,宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措。為了進(jìn)一步深化...
2025-02-10 標(biāo)簽:激光器功率半導(dǎo)體炬光科技 496 0
2025 廣州!功率半導(dǎo)體展重磅來襲,光伏、新能源汽車產(chǎn)業(yè)迎來新契機(jī)?
在全球科技蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,功率半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心支撐,正以前所未有的速度推動(dòng)著光伏、新能源汽車等領(lǐng)域的變革。隨著中國在這些優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)力,...
2025-02-08 標(biāo)簽:新能源汽車光伏功率半導(dǎo)體 525 0
近日,香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)體和集成電路中心張宇昊教授和汪涵教授、美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子研究中心(CPES)東棟教授、酈強(qiáng)教授、Richard Zhan...
2025-02-07 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1197 0
在日常生活中,我們對(duì)手機(jī)、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設(shè)備正常運(yùn)行的背后,是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案...
2025-02-06 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體碳化硅 708 0
泰瑞達(dá)與英飛凌建立戰(zhàn)略合作,共推功率半導(dǎo)體測(cè)試發(fā)展
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)(Teradyne)與功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌(Infineon)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,旨在共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體...
2025-02-06 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體泰瑞達(dá) 585 0
儲(chǔ)能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊
在儲(chǔ)能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢(shì)主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、成本效益以及系統(tǒng)級(jí)性能提升。SiC模塊在PCS...
2025-02-05 標(biāo)簽:IGBT儲(chǔ)能功率半導(dǎo)體 608 0
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 703 0
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