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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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自“雙碳”目標(biāo)確定以來(lái),我國(guó)能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能等新能源行業(yè)也迎來(lái)了井噴式發(fā)展。下圖是一個(gè)光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...
在功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開(kāi)這一關(guān)鍵工序。目前,我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,...
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段...
2025-06-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 410 0
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...
SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用的秘密
-回答星友xuu的提問(wèn),關(guān)于SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選,完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布...
2025-06-01 標(biāo)簽:功率器件SiC純電動(dòng)車 140 0
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
在現(xiàn)代電子設(shè)備的研發(fā)、測(cè)試和生產(chǎn)過(guò)程中,電子負(fù)載作為一種重要的測(cè)試工具,其應(yīng)用范圍廣泛且不可或缺。本文將從電子負(fù)載的定義、工作原理、優(yōu)勢(shì)以及實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景...
SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)
通過(guò)并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
近年來(lái),家居清潔產(chǎn)品正朝著無(wú)線化、智能化和高效能的方向快速發(fā)展。無(wú)繩吸塵器憑借其便捷性和靈活性,已成為市場(chǎng)主流。然而,為了滿足用戶對(duì)更長(zhǎng)續(xù)航、更強(qiáng)動(dòng)力和...
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
功率器件開(kāi)關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源示波器 322 0
電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究
隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展,這對(duì)于器件的散熱要求變得更為嚴(yán)格。陶瓷基板因其卓越的熱導(dǎo)率和機(jī)械性能,被廣泛應(yīng)用于大功率器件的封裝工藝中。
YAGEO與Pulse產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)的快速發(fā)展,設(shè)備之間的高效、可靠連接成為關(guān)鍵課題。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中,集成連接器模塊、功率器件與保護(hù)器件的協(xié)同應(yīng)用,不僅能確保數(shù)據(jù)與...
2025-04-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)保護(hù)器件功率器件 496 0
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM介紹
PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計(jì)分析套件,支持高精度提取Rdson、驗(yàn)證器件的開(kāi)關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級(jí)IDM和設(shè)計(jì)...
UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14240-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14240-Q1 將變...
大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon核心技術(shù)的 48V EEA方案 引領(lǐng)未來(lái)
品佳集團(tuán)推出基于Infineon技術(shù)的48V EEA方案,兼容12V與48V平臺(tái),支持多種負(fù)載類型,具備高安全性、靈活性和可擴(kuò)展性,滿足新型電動(dòng)汽車的多...
中微愛(ài)芯高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路AiP2180介紹
AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)中壓功率器件,如N型MOSFET或IGBT等,電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制,可以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)效率,支持獨(dú)...
2025-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率器件 285 0
GRGTEST:無(wú)線電通信的核心基石 微波射頻功率器件
射頻微波(RF&Microwave)技術(shù)是利用300MHz~300GHz頻段電磁波實(shí)現(xiàn)信息傳輸、能量轉(zhuǎn)換與傳遞的核心技術(shù)。隨著航空航天、無(wú)線通信...
2025-04-09 標(biāo)簽:功率器件無(wú)線電通信微波射頻技術(shù) 567 0
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