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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?

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像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車(chē)用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 標(biāo)簽:CMOS晶圓大電流 1.4k 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

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內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力,并同時(shí)保持高質(zhì)量a和可靠...

2024-04-26 標(biāo)簽:功率器件IGBTS功率循環(huán)測(cè)試 2.2k 0

碳化硅功率器件:革新電力電子的未來(lái)龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來(lái)。

2024-04-26 標(biāo)簽:逆變器功率器件SiC 1.1k 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?

功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?

運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

2024-04-24 標(biāo)簽:二極管IGBT功率器件 2.2k 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

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化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽:集成電路二極管晶體管 2.2k 0

功率器件環(huán)境可靠性測(cè)試的加速老化物理模型

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高溫柵偏(HighTemperatureGateBias,HTGB)、高溫反偏(HighTemperatureReverseBias,HTRB)、高溫高...

2024-04-23 標(biāo)簽:功率器件可靠性測(cè)試半導(dǎo)體服務(wù) 4.3k 0

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者:Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì),所有這些都為近來(lái)降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1.2k 0

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)!

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)!

在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性,正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 2.1k 0

碳化硅(SiC)功率器件探討:未來(lái)的能源解決方案

碳化硅(SiC)功率器件探討:未來(lái)的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加,碳化硅(SiC)功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1.5k 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開(kāi)關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽:變壓器電感器功率器件 976 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 2.5k 0

碳化硅器件在車(chē)載充電機(jī)(OBC)中的性能優(yōu)勢(shì)

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碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車(chē)或混合動(dòng)力汽車(chē)功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%,在OBC產(chǎn)品上...

2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件碳化硅 1.3k 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 715 0

如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號(hào)鏈設(shè)計(jì)

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一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過(guò)編碼,可減少信號(hào)直流成分,從而在發(fā)送交流信號(hào)成分時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。但是,許多數(shù)字輸出傳感器接口(例如,SPI和I2C)尚未經(jīng)過(guò)...

2024-04-09 標(biāo)簽:傳感器以太網(wǎng)mems 1.5k 0

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段,特別是在汽車(chē)電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車(chē)行業(yè)對(duì)SiC功...

2024-04-07 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)晶圓功率器件 1.2k 0

如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性?

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

2024-04-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體功率器件 1.3k 0

碳化硅功率器件:能效革新的催化劑!

隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。

2024-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器功率器件 983 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo),市占率排名依次是:意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

2024-04-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 5k 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過(guò)程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。

2024-03-28 標(biāo)簽:功率器件石墨烯GaN 1.8k 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙,從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 992 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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