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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術(shù)

解析電動車控制器損壞的常見原因

控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問題；電動機無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良，導致...

2024-03-11 標簽：單片機控制器 MOS管 3784 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的...

2024-03-08 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2259 0

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET 功率器件互連技術(shù) 1937 0

IGBT導熱機理及導熱材料的作用

根據(jù) IGBT 熱傳導示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對流和輻射的形式），而大部分熱量通過...

2024-03-06 標簽：散熱器散熱片 IGBT 1521 0

百億美元的BLDC電機市場，其驅(qū)動電路可使用170N1F4A場效應管代換！

依據(jù)數(shù)據(jù)分析，在2022年BLDC的市場規(guī)模是189億美元，預計2025年的市場規(guī)?？蛇_223億美元。

2024-03-05 標簽：場效應管電機驅(qū)動 BLDC 1253 0

SiC功率器件先進互連工藝研究

共讀好書杜隆純何勇劉洪偉劉曉鵬（湖南國芯半導體科技有限公司湖南省功率半導體創(chuàng)新中心）摘要：針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 標簽：功率器件 SiC AMB 886 0

半導體設計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設計挑戰(zhàn)如何破？

基于開關電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...

2024-03-01 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 595 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

2024-02-29 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2053 0

淺析碳化硅功率器件：原理、應用與未來發(fā)展前景

隨著能源效率和環(huán)保要求的日益提高，電力電子系統(tǒng)正在向著更高效、更緊湊的方向發(fā)展。

2024-02-28 標簽：晶體管硅二極管功率器件 1419 0

繼電器光耦的工作原理與應用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當輸入電流通過時，會發(fā)出特定波長的光。

2024-02-27 標簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 844 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復雪崩的失效機理并不相同。

2024-02-25 標簽：MOSFET 雪崩擊穿功率器件 5877 0

碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

2024-02-25 標簽：晶體管功率器件碳化硅 1431 0

外延層在半導體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進步有了什么具體的幫助呢？

2024-02-23 標簽：光電器件功率器件電阻率 1708 0

碳化硅功率器件的特點和應用

隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當今研究的熱點。在這一領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學...

2024-02-22 標簽：半導體功率器件碳化硅 1127 0

簡單認識碳化硅功率器件

隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有...

2024-02-21 標簽：半導體功率器件碳化硅 1541 0

西門子邏輯指令輕松辨別

梯形圖由多個梯級組成，每個線圈可構(gòu)成一個梯級，每個梯級有多條支路，每個梯級代表一個邏輯方程；

2024-02-20 標簽：繼電器 plc 存儲器 847 0

全碳化硅直流充電設備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標簽：新能源汽車功率器件碳化硅 767 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1077 0

SiC功率元器件中浪涌抑制電路設計

只是由于SiC MOSFET的跨導比Si MOSFET的跨導小一個數(shù)量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能...

2024-01-25 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 732 0

碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點及其應用領域

隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展，對高效、高速、高溫工作的半導體器件需求日益增長。

2024-01-25 標簽：半導體晶體管功率器件 1586 0

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