功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度（2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（0.8×10...

2023-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.3k 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵鍍膜 1.3k 0

安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡(jiǎn)單容易

GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美（ons...

2024-07-23 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器安森美功率器件 1.3k 0

如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性？

電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

2024-04-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 1.3k 0

電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元

市場(chǎng)估計(jì)表明，SiC總潛在市場(chǎng)將從2022年的30億美元增長(zhǎng)到2030年的210億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為28%。相干公司宣布，電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...

2023-10-12 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率器件電裝 1.3k 0

碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1.3k 0

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。

2023-04-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 1.3k 0

碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上...

2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件碳化硅 1.3k 0

雙脈沖平臺(tái)搭建的難題如何破解

雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

2023-07-12 標(biāo)簽：示波器功率器件雙脈沖測(cè)試 1.3k 0

小信號(hào)器件和功率器件又是什么？

隨著小信號(hào)器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號(hào)器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）也將小信號(hào)器件定義為耗...

2023-02-07 標(biāo)簽：分立器件功率器件額定電流 1.3k 0

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽：pcb 功率器件 SiC 1.3k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

2023-11-20 標(biāo)簽：蓄電池不間斷電源 MOS 1.3k 0

貼片元件溫度（散熱）的影響

對(duì)應(yīng)于同樣的貼片測(cè)試任務(wù)，貼片機(jī)的冷態(tài)Cpk值較貼片機(jī)的熱態(tài)Cpk值要好。通常設(shè)備制造商都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠前測(cè)試，熱態(tài)Cpk值是通過將貼片機(jī)連續(xù)高速空運(yùn)行...

2023-09-13 標(biāo)簽：功率器件貼片機(jī)cpk 1.3k 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...

2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī) 1.3k 0

注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)（Injection Enha...

2025-05-21 標(biāo)簽：工藝 IGBT 功率器件 1.3k 0

插件封裝技術(shù)VS頂部散熱封裝技術(shù)

貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB（印刷電路板）之間的接觸，利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的...

2023-05-06 標(biāo)簽：pcb 封裝技術(shù)功率器件 1.3k 0

功率器件封裝和適當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)的重要性

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成...

2023-07-10 標(biāo)簽：MOSFET 封裝功率器件 1.3k 0

芯片小白必讀中國(guó)“功率器件半導(dǎo)體”

放眼一條完整的從電能產(chǎn)生到電能最終被用電終端應(yīng)用的電力傳輸鏈時(shí)，功率半導(dǎo)體則更類似于一名“廚師”的角色。它負(fù)責(zé)將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的粗電“...

2023-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分立器件功率器件 1.3k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

2025-02-03 標(biāo)簽：IGBT 功率器件碳化硅 1.3k 0

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者：Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標(biāo)簽：變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1.3k 0

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工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達(dá)

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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mbed

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以無人駕駛來說，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt

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OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
ARM架構(gòu)

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ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
DragonBoard 410c

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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
OpenCL

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OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
JDI

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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
麒麟960

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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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X86架構(gòu)

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uCOS II

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米爾科技

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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
ARM公司

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ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
數(shù)字電子鐘

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OpenStack

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OpenStack是一個(gè)開源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項(xiàng)目。
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YunOS

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MMU

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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
馬云

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OMAPL138

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OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。

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