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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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電源功率器件的散熱主要有熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)和散熱器技術(shù)。熱封裝技術(shù)是將電子元件封裝在一個熱熔膠中，以保護(hù)元件免受外界環(huán)境的損害，并使元件能夠正常工作...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低...
2024-11-19 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 1.1k 0
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...
在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。
功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應(yīng)用
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...
繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時，會發(fā)出特定波長的光。
功率器件的選擇應(yīng)根據(jù)電路的要求，考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù)，以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素，以確保功率器件的可靠性和性能。
隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...
射頻微波（RF&Microwave）技術(shù)是利用300MHz～300GHz頻段電磁波實現(xiàn)信息傳輸、能量轉(zhuǎn)換與傳遞的核心技術(shù)。隨著航空航天、無線通信...
2025-04-09 標(biāo)簽：功率器件無線電通信微波射頻技術(shù) 1k 0
用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品
電動汽車的普及將功率半導(dǎo)體性能的界限推向了一個新的水平。硅功率器件傳統(tǒng)上用于控制汽車中的各種電力電子系統(tǒng)，例如主逆變電機(jī)、泵、暖通空調(diào)壓縮機(jī)、制動和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。
2022-08-04 標(biāo)簽：電動汽車功率器件碳化硅技術(shù) 1k 0
光耦的主要作用是電氣絕緣和信號隔離，優(yōu)點是其輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離，抗干擾能力強(qiáng)，使用壽命長，傳輸效率高。
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...
2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC MOSFET 1k 0
能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片，例如存儲器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素，在地面電源...
功率器件開關(guān)速度對傳導(dǎo)、輻射產(chǎn)生的認(rèn)識
高頻變化的電流在電感上產(chǎn)生電磁能量收放，這種磁場是空間發(fā)散的，不受控集中時，會對空間別的線路產(chǎn)生d電-d磁-d電的干擾，應(yīng)盡量做小線路中分布電感。
碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和...
MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大...
圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動技術(shù)有哪些？
MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...
大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon核心技術(shù)的 48V EEA方案 引領(lǐng)未來
品佳集團(tuán)推出基于Infineon技術(shù)的48V EEA方案，兼容12V與48V平臺，支持多種負(fù)載類型，具備高安全性、靈活性和可擴(kuò)展性，滿足新型電動汽車的多...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（S...
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