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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)(擊穿場)和帶隙...
提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)往往需要具備多種測(cè)試功能、覆蓋多種電壓等級(jí)的被測(cè)器件,此時(shí)就需要對(duì)測(cè)試電路調(diào)整以滿足測(cè)試需求。如果是將多項(xiàng)功能集成一塊測(cè)試板上,...
2022-11-15 標(biāo)簽:功率器件 978 0
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn),如:碳化硅的禁...
作為一種電源轉(zhuǎn)換器,車載逆變電源能夠?qū)?chǔ)能電池直流電轉(zhuǎn)換為220V的交流電,給筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、無人機(jī)等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦...
在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...
榮湃產(chǎn)品助力數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源效率的提升
近年來,公有云、私有云的市場快速增長,數(shù)據(jù)中心大量建設(shè),對(duì)服務(wù)器電源的性能提出更高要求,服務(wù)器電源逐漸向高功率密度、高可靠性、高智能化、遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)監(jiān)...
2022-10-21 標(biāo)簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1364 0
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表...
2022-10-19 標(biāo)簽:功率器件GaN電源環(huán)路 1573 0
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見的問題
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
特高壓技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。
通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。
低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快,海外市場會(huì)多一些,包括這幾年崛起的終端客戶,比如德業(yè)和錦浪。
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件,通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件,具有顯著優(yōu)勢(shì)。
扁線電機(jī)激光焊接工藝的8大應(yīng)用難點(diǎn)
在實(shí)際上生產(chǎn)中,扁線電機(jī)會(huì)比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來看看,扁線電機(jī)定子生產(chǎn)過程中,當(dāng)下主流的6大核心工序!
汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號(hào)角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期
在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。
2022-09-05 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 996 0
紋波主要在五個(gè)方面:輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2022-08-31 標(biāo)簽:功率器件紋波開關(guān)變換電路 4095 0
近年來,電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展,對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能...
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