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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1911個(gè) 瀏覽：94189次 帖子：51個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些？

      碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

      2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC寬禁帶 927 0

      碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

      硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開(kāi)始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車，以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效率和高功率器件所...

      2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC能源 1.3k 0

      從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

      由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享，接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

      2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4.4k 0

      碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

      碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...

      2023-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3.5k 0

      碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

      二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

      2023-01-17 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 1.1k 1

      功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

      mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平，并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

      2022-12-29 標(biāo)簽：二極管MOS管功率器件 8.4k 0

      國(guó)內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

      碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

      2022-12-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 493 0

      MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些？

      MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

      2022-12-28 標(biāo)簽：MOSFET晶體管MOS 2k 0

      功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用

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      2022-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 658 0

      提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

      提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

      對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一...

      2022-12-13 標(biāo)簽：功率器件頻譜儀 1.6k 0

      炸管，探頭也被燒壞了？

      在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開(kāi)發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí)，都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試，這時(shí)大多數(shù)工程...

      2022-12-09 標(biāo)簽：功率器件探頭氮化鎵 1.5k 0

      碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

      碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

      2022-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.8k 0

      驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通及應(yīng)對(duì)方法

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      功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開(kāi)關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開(kāi)通閾值時(shí)，功率器件就會(huì)被開(kāi)通；而當(dāng)門極電壓低于開(kāi)通閾值時(shí)，功率器...

      2022-11-29 標(biāo)簽：MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬(wàn) 0

      碳化硅功率器件市場(chǎng)前景！

      在過(guò)去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開(kāi)關(guān)，并開(kāi)始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

      2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 605 0

      當(dāng)前碳化硅功率器件回顧！

      硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限，已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開(kāi)關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

      2022-11-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 779 0

      IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)（一）

      大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

      2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1.9k 0

      不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討

      近年來(lái)新能源汽車發(fā)展迅速，對(duì)充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相LLC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場(chǎng)需...

      2022-11-23 標(biāo)簽：功率器件LLC充電樁 4.6k 0

      碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

      電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

      2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1.4k 0

      SiC功率器件和模塊！

      SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)（擊穿場(chǎng)）和帶隙...

      2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2.3k 0

      提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法

      功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)往往需要具備多種測(cè)試功能、覆蓋多種電壓等級(jí)的被測(cè)器件，此時(shí)就需要對(duì)測(cè)試電路調(diào)整以滿足測(cè)試需求。如果是將多項(xiàng)功能集成一塊測(cè)試板上，...

      2022-11-15 標(biāo)簽：功率器件 1.1k 0

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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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