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標簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章:1827 瀏覽:92442 帖子:50

功率器件技術(shù)

如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源的要求

在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費類和大眾市場設(shè)計迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高,對熱應(yīng)力和電...

2022-06-23 標簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬 0

溫度對CoolSiC? MOSFET的影響

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CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低,它們的效率很高,因此可以實現(xiàn)高功率密度。

2022-06-22 標簽:MOSFET電壓功率器件 4447 0

功率MOSFET搭配散熱器的分析講解

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功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計算所需的重要說明.

2022-05-19 標簽:MOSFET散熱器熱阻 1.1萬 0

高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?

首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參...

2022-04-27 標簽:功率器件半導(dǎo)體器件 9154 0

氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點加以說明。

2022-04-24 標簽:雷達功率器件收發(fā)系統(tǒng) 5807 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非常快,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標簽:功率器件SiCGaN 4378 0

英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)介紹

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無磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動技術(shù),基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計和應(yīng)用的經(jīng)驗,具有高共模瞬變抗擾度、精密時序控制、精確的短路保護、高電壓并可靠的輸出推挽MO...

2022-04-18 標簽:英飛凌功率器件隔離驅(qū)動芯片 5386 1

柵極電感對驅(qū)動電流的影響

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驅(qū)動設(shè)計時需要選取合適的驅(qū)動電流,太小驅(qū)動能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開通振蕩。

2022-05-01 標簽:IGBT功率器件驅(qū)動電流 4596 0

英飛凌隔離型驅(qū)動能輕松駕馭更高dv/dt

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通過上述的分析對比,英飛凌隔離型驅(qū)動在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面,相對光耦都有...

2022-04-11 標簽:英飛凌芯片技術(shù)功率器件 2067 0

外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標簽:工藝功率器件SiC 8655 0

成功實現(xiàn)功率器件熱設(shè)計的四大步驟

鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量(實現(xiàn)脫碳),需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...

2022-03-25 標簽:電力電子功率器件熱設(shè)計 2725 0

開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些

開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2022-03-21 標簽:開關(guān)電源功率器件集電極 4542 0

GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘

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如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...

2022-02-25 標簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 2623 0

電機驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

電機驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...

2021-04-28 標簽:電機驅(qū)動功率器件氮化鎵 2740 0

SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標簽:MOSFET功率器件SiC 8283 0

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

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尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年,當時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗,這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

2021-04-01 標簽:二極管功率器件GaN 2561 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。

2021-04-23 標簽:MOSFET晶體管功率器件 3787 0

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標簽:變壓器功率器件Rohm 4482 0

基于TOPSwitch-GX系列的離線電源

基于TOPSwitch-GX系列的離線電源

由于TOPSwitch-GX的高度集成,芯片中解決了許多電源設(shè)計問題。剩下很少的問題需要外部解決,從而為所有應(yīng)用提供了一種通用的電路配置。

2021-05-15 標簽:MOS功率器件 1560 0

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅(SiC)晶體管,這對尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計快速...

2021-05-20 標簽:MOSFET晶體管功率器件 2622 0

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    OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目,是一系列軟件開源項目的組合。由NASA(美國國家航空航天局)和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起,以Apache許可證(Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證)授權(quán)的開源代碼項目。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負責處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中,負責總線的仲裁以及存儲體切換。
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    OMAPL138
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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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